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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | 噪音图 | 电压 -测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRF8P20100HSR3 | 93.7900 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780S-4 | MRF8 | 2.03GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 400 MA | 20W | 16dB | - | 28 V | ||
MRF6S27085HSR5 | 81.8500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | NI-780 | 2.66GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900 MA | 20W | 15.5db | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF5S21150HR3 | 72.1100 | ![]() | 316 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-880 | MRF5 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-880 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 150 | - | 1.3 a | 33W | 12.5db | - | 28 V | |||
![]() | MRF7S38040HSR5 | 80.5000 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-400S-2S | MRF7 | 3.4GHz〜3.6GHz | ldmos | NI-400S-2S | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 450 MA | 8W | 14dB | - | 30 V | |||
![]() | MRF6S19140HSR5 | 112.6200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | NI-880S | MRF6 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | NI-880S | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | - | 1.15 a | 29W | 16dB | - | 28 V | |||||
![]() | MRF8S21100HSR3 | 101.3300 | ![]() | 905 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | 10µA | 700 MA | 24W | 18.3db | - | 28 V | |||
![]() | MRF6VP3450HR6 | - | ![]() | 7297 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | NI-1230 | MRF6 | 860MHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 1.4 a | 90W | 22.5dB | - | 50 V | ||
![]() | AFV09P350-04GNR3 | 233.1000 | ![]() | 253 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 105 v | 表面安装 | OM-780G-4L | 920MHz | ldmos | OM-780G-4L | 下载 | 5A991G | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 860 MA | 100W | 19.5db | - | 48 v | |||||
![]() | MRF5S19060NR1 | 47.2300 | ![]() | 972 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | TO-270AB | MRF5 | 1.99GHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 500 | - | 750 MA | 12W | 14dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF6S27015NR1 | 30.4400 | ![]() | 325 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 表面安装 | TO-270AA | 2GHZ〜2.7GHz | ldmos | TO-270-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 10µA | 160 MA | 3W | 14dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF7P20040HSR3 | 46.9500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780S-4 | 1.8GHz〜2.2GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | 10µA | 150 ma | 10W | 18.2db | - | 32 v | ||
![]() | MRF24300NR3 | 1.0000 | ![]() | 5984 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 表面安装 | OM-780-2 | 2.45GHz | ldmos | OM-780-2 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 100 ma | 330W | 13.1db | - | 32 v | ||||||
![]() | MRFG35002N6T1 | 11.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 8 V | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1,000 | - | 65 ma | 1.5W | 10dB | - | 6 V | |||
![]() | MRFE6S9160HSR3 | 136.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | NI-780 | MRFE6 | 880MHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.2 a | 35W | 21dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF6S27050HSR3 | 56.0000 | ![]() | 3366 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | NI-780 | 2.62GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 500 MA | 7W | 16dB | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF6VP121KHR5-FR | 718.5900 | ![]() | 126 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 底盘安装 | NI-1230 | 1.215GHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | 10µA | 150 ma | 1000W | 21.4db | - | 50 V | ||
![]() | MRF18060BLSR3 | 65.3100 | ![]() | 224 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | 1.93GHZ〜1.99GHz | MOSFET | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 6µA | 500 MA | 60W | 13DB | - | 26 V | ||
![]() | MRF6S21100NR1 | 57.3200 | ![]() | 336 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 表面安装 | TO-270AB | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 10µA | 1.05 a | 23W | 14.5db | - | 28 V | |||
![]() | MRFE6S9046GNR1 | - | ![]() | 5531 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | 表面安装 | TO-270BB | 920MHz〜960MHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10µA | 300 MA | 35.5W | 19db | - | 28 V | |||
![]() | AFT26H250W03SR6 | 196.5200 | ![]() | 767 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-1230-4S | 2.496GHZ〜2.69GHz | ldmos | NI-1230-4S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 双重的 | 10µA | 700 MA | 50W | 14.1db | - | 28 V | ||
![]() | MRF1513T1 | - | ![]() | 8729 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 40 V | 表面安装 | PLD-1.5 | 520MHz | MOSFET | PLD-1.5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1,000 | n通道 | 1µA | 50 mA | 3W | 11DB | - | 12.5 v | ||
![]() | MRF6S9045NR1 | 21.6800 | ![]() | 1857年 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 68 v | 表面安装 | TO-270AA | 880MHz | ldmos | TO-270-2 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3 | - | 350 MA | 10W | 22.7dB | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF8P18265HSR5 | 139.8800 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-111110B | 1.88GHz | ldmos | NI1230S-8 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 800 MA | 72W | 16dB | - | 30 V | |||||
![]() | MRF7S16150HSR5 | - | ![]() | 2723 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780 | MRF7 | 1.6GHz〜1.66GHz | ldmos | NI-780 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | - | 1.5 a | 32W | 19.7db | - | 28 V | |||||
MRF7S27130HSR5 | 115.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | 2.7GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.5 a | 23W | 16.5db | - | 28 V | ||||||
![]() | MRFE6S9160HR3 | - | ![]() | 1884年 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | SOT-957A | MRFE6 | 880MHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2 | - | 1.2 a | 35W | 21dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF9060NR1 | 34.8500 | ![]() | 247 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | TO-270AA | MRF90 | 945MHz | ldmos | TO-270-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 450 MA | 60W | 18db | - | 26 V | |||
![]() | MRF6S27050HR5 | 60.6700 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | SOT-957A | MRF6 | 2.62GHz | ldmos | NI-780H-2L | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 500 MA | 7W | 16dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF6VP21KHR5 | 989.0600 | ![]() | 48 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 底盘安装 | SOT-979A | 235MHz | ldmos | NI-1230-4H | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 双重的 | 100µA | 150 ma | 1000W | 24dB | - | 50 V | ||
![]() | MRF18085BLSR3 | 29.7300 | ![]() | 146 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | 1.93GHZ〜1.99GHz | MOSFET | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 57 | n通道 | 10µA | 800 MA | 85W | 12.5db | - | 26 V |
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