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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | 噪音图 | 电压 -测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRF7S21110HR3 | 75.3800 | ![]() | 898 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF7 | 2.17GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.1 a | 33W | 17.3db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF7S21150HSR3 | 112.0100 | ![]() | 650 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780 | MRF7 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.35 a | 44W | 17.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S21050LSR5 | 67.1100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | Ni-400s | MRF6 | 2.16GHz | ldmos | Ni-400s | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | - | 450 MA | 11.5W | 16dB | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF21125R3 | 122.1100 | ![]() | 809 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.11GHZ〜2.17GHz | MOSFET | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | n通道 | 10µA | 1.6 a | 125W | 13DB | - | 28 V | |||
![]() | MRF6S23100HSR3 | 74.8400 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 底盘安装 | NI-780 | 2.3GHz〜2.4GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 10µA | 1 a | 20W | 15.4dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF19085LR3 | 163.5600 | ![]() | 220 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF19 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 850 MA | 18W | 13DB | - | 26 V | ||||
![]() | MRFG35010NR5 | 37.5500 | ![]() | 688 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 15 v | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 180 MA | 9W | 10dB | - | 12 v | ||||
![]() | MRF21030LR5 | - | ![]() | 4860 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-400 | MRF21 | 2.14GHz | ldmos | NI-400 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 6 | - | 250 MA | 30W | 13DB | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF5P21240HR6 | 162.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-1230 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 150 | 10µA | 2.2 a | 52W | 13DB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S24140HSR5 | 136.5600 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 68 v | 表面安装 | NI-880S | 2.39GHz | ldmos | NI-880S | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.3 a | 28W | 15.2db | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF5P21045NR1 | 41.5000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 表面安装 | TO-270AB | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 500 | 双重的 | 10µA | 500 MA | 10W | 14.5db | - | 28 V | |||
MRF8S21100H5 | - | ![]() | 7195 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.17GHz | MOSFET | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 4 | n通道 | - | 700 MA | 24W | 18.3db | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF21060R3 | 41.0100 | ![]() | 736 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.1GHz〜2.2GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 6µA | 500 MA | 60W | 12.5db | - | 28 V | ||||
![]() | AFT18H357-24NR6 | 148.4200 | ![]() | 900 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | OM-1230-4L2L | AFT18 | 1.81GHz | ldmos | OM-1230-4L2L | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 800 MA | 63W | 17.5db | - | 28 V | |||
MRF6S27085HR5 | 87.5600 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.66GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900 MA | 20W | 15.5db | - | 28 V | |||||||
![]() | MRFE6VP6300HSR3 | - | ![]() | 4544 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 130 v | NI-780S-4 | MRFE6 | 230MHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 100 ma | 300W | 26.5db | - | 50 V | |||
![]() | MRF6V14300HSR5 | 460.4300 | ![]() | 387 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 100 v | 底盘安装 | NI-780 | 1.4GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 150 ma | 330W | 18db | - | 50 V | |||||||
![]() | MRF6V2150NBR5 | - | ![]() | 8123 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | TO-272BB | MRF6 | 220MHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 450 MA | 150W | 25DB | - | 50 V | ||||
![]() | MRF6V13250HR5 | 454.7400 | ![]() | 274 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 120 v | SOT-957A | MRF6 | 1.3GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 100 ma | 250W | 22.7dB | - | 50 V | ||||
![]() | MRF1570FT1 | 34.1300 | ![]() | 423 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 40 V | 底盘安装 | TO-272-8 | 470MHz | MOSFET | TO-272-8 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 500 | n通道 | 1µA | 800 MA | 70W | 10dB | - | 12.5 v | |||
![]() | MRF8S9100HSR3 | 66.8800 | ![]() | 138 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | NI-780 | MRF8 | 920MHz | ldmos | NI-780 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 500 MA | 72W | 19.3db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6P9220HR5 | 149.3000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | NI-860C3 | MRF6 | 880MHz | ldmos | NI-860C3 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | - | 1.6 a | 47W | 20dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S18140HR5 | 112.6200 | ![]() | 51 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | NI-880 | MRF6 | 1.88GHz | ldmos | NI-880 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1.2 a | 29W | 16dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S21060NBR1 | 67.1100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 供应商不确定 | 2156-MRF6S21060NBR1-600055 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MRF7S19100NR1 | 47.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | TO-270AB | MRF7 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 1 a | 29W | 17.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8P23080HSR5 | 60.3200 | ![]() | 150 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | NI-780S-4L | 2.3GHz | ldmos | NI-780S-4L | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 双重的 | - | 280 MA | 16W | 14.6dB | - | 28 V | |||||
![]() | MRF8S9220HSR3 | 137.1200 | ![]() | 273 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | NI-780 | MRF8 | 960MHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | - | 1.6 a | 65W | 19.4dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8S21200H6 | 103.4900 | ![]() | 242 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-1230 | MRF8 | 2.14GHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 5A991 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 1.4 a | 48W | 18.1db | - | 28 V | |||
![]() | MRF6VP3091NBR1 | 80.3700 | ![]() | 127 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 115 v | TO-272BB | MRF6 | 860MHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 350 MA | 18W | 22DB | - | 50 V | |||
![]() | AFT09S282NR3卷轴 | 176.0300 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | 表面安装 | OM-780-2 | 720MHz〜960MHz | ldmos | OM-780-2 | 下载 | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | 10µA | 1.4 a | 80W | 20dB | - | 28 V |
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