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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | 噪音图 | 电压 -测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRF8S18120HR3 | 65.1500 | ![]() | 431 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF8 | 1.81GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 5A991 | 8541.29.0075 | 250 | - | 800 MA | 72W | 18.2db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S19060NBR1 | 44.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | TO-272BB | 1.93GHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 610 MA | 12W | 16dB | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF5S4140HR3 | 72.6600 | ![]() | 248 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF5 | 465MHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 1.25 a | 28W | 21dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF9002NR2 | 15.5300 | ![]() | 8416 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | 16 台(0.276英寸,7.00mm宽度) | 960MHz | ldmos | 16-PFP | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6 | - | 25 ma | 37DBM | 18db | - | 26 V | |||||||
![]() | MRF6S24140HSR5 | 136.5600 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 68 v | 表面安装 | NI-880S | 2.39GHz | ldmos | NI-880S | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.3 a | 28W | 15.2db | - | 28 V | ||||||
MRF6S27085HR5 | 87.5600 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.66GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900 MA | 20W | 15.5db | - | 28 V | |||||||
![]() | MRF7S21150HSR3 | 112.0100 | ![]() | 650 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780 | MRF7 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.35 a | 44W | 17.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6V2150NBR5 | - | ![]() | 8123 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | TO-272BB | MRF6 | 220MHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 450 MA | 150W | 25DB | - | 50 V | ||||
![]() | MRF7S38040HSR3 | 70.6800 | ![]() | 280 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-400S-2S | MRF7 | 3.4GHz〜3.6GHz | ldmos | NI-400S-2S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 450 MA | 8W | 14dB | - | 30 V | ||||
![]() | MRF8P20160HSR3 | 164.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780S-4 | MRF8 | 1.92GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | - | 550 MA | 37W | 16.5db | - | 28 V | |||
![]() | MRFG35003NR5 | 17.2800 | ![]() | 900 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 15 v | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 55 MA | 3W | 11.5db | - | 12 v | ||||
![]() | MRF21060R3 | 41.0100 | ![]() | 736 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.1GHz〜2.2GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 6µA | 500 MA | 60W | 12.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8S9100HSR3 | 66.8800 | ![]() | 138 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | NI-780 | MRF8 | 920MHz | ldmos | NI-780 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 500 MA | 72W | 19.3db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S9125NBR1 | 50.3600 | ![]() | 694 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | TO-272BB | MRF6 | 880MHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 950 MA | 27W | 20.2dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S21050LSR5 | 67.1100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | Ni-400s | MRF6 | 2.16GHz | ldmos | Ni-400s | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | - | 450 MA | 11.5W | 16dB | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF6VP11KHR5 | - | ![]() | 9462 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 底盘安装 | NI-1230S-4 GW | 130MHz | ldmos | NI-1230S-4 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 150 ma | 1000W | 26dB | - | 50 V | ||||||
![]() | MRFG35005NT1 | 22.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 15 v | 表面安装 | PLD-1.5 | 1.8GHz〜3.6GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 14 | 1.7a | 80 ma | 450MW | 11DB | - | 12 v | ||||
![]() | MRF8P20140WHSR5 | - | ![]() | 2610 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | NI-780S-4L | 1.88GHz〜2.03GHz | LDMO (双) | NI-780S-4L | - | 2156-MRF8P20140WHSR5 | 1 | 2 n通道 | 10µA | 500 MA | 24W | 16dB | - | 28 V | |||||||
![]() | MRF1550NT1 | - | ![]() | 9523 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 40 V | TO-272AA | MRF15 | 175MHz | ldmos | TO-272-6 | - | 不适用 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 12a | 500 MA | 50W | 14.5db | - | 12.5 v | ||||
![]() | MRF6VP41KHR7 | 399.9700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 110 v | 底盘安装 | NI-1230 | 450MHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 25 | 双重的 | - | 150 ma | 1000W | 20dB | - | 50 V | |||||
![]() | MRF7S21080HSR3 | - | ![]() | 4782 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 10µA | 800 MA | 22W | 18db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF373R1 | 41.6000 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-360 | 470MHz〜860MHz | n通道 | NI-360 | - | 2156-MRF373R1 | 8 | n通道 | 7a | 60W | 14.7dB | - | |||||||||
![]() | MRF7S19100NR1 | 47.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | TO-270AB | MRF7 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 1 a | 29W | 17.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S18100NBR1 | 56.8700 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | TO-272BB | MRF6 | 1.99GHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 900 MA | 100W | 14.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8S21200HSR6 | 113.8400 | ![]() | 139 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-1230S | MRF8 | 2.14GHz | ldmos | NI-1230S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 1.4 a | 48W | 18.1db | - | 28 V | |||
![]() | MRF8HP21130HR5 | 71.7100 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780-4 | 2.17GHz | ldmos | NI-780-4 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 双重的 | - | 360 MA | 28W | 14dB | - | 28 V | |||||
![]() | MRFG35010AR5 | 61.1600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 15 v | 底盘安装 | NI-360HF | 3.55GHz | Phemt fet | NI-360HF | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 140 MA | 1W | 10dB | - | 12 v | ||||||
![]() | AFT26P100-4WSR3 | 153.3100 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780S-4 | AFT26 | 2.69GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 155 | 双重的 | - | 200 ma | 22W | 15.1db | - | 28 V | |||
![]() | MRF21030LR3 | 49.0300 | ![]() | 200 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-400 | MRF21 | 2.14GHz | ldmos | NI-400 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | - | 250 MA | 30W | 13DB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6V13250HR5 | 454.7400 | ![]() | 274 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 120 v | SOT-957A | MRF6 | 1.3GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 100 ma | 250W | 22.7dB | - | 50 V |
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