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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | 噪音图 | 电压 -测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRF8P20140WHSR5 | - | ![]() | 2610 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | NI-780S-4L | 1.88GHz〜2.03GHz | LDMO (双) | NI-780S-4L | - | 2156-MRF8P20140WHSR5 | 1 | 2 n通道 | 10µA | 500 MA | 24W | 16dB | - | 28 V | |||||||
![]() | MRF6S18100NBR1 | 56.8700 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | TO-272BB | MRF6 | 1.99GHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 900 MA | 100W | 14.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF7S21080HSR3 | - | ![]() | 4782 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 10µA | 800 MA | 22W | 18db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF9045NBR1 | 23.1800 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | TO-272BC | 1GHz | ldmos | TO-272-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 500 | 10µA | 350 MA | 45W | 19db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF9030MBR1 | 22.6000 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | TO-272BC | 1GHz | MOSFET | TO-272-2 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 10µA | 250 MA | 30W | 20dB | - | 26 V | |||
![]() | MRF6V3090NR1 | 65.5400 | ![]() | 52 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 表面安装 | TO-270AB | 860MHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 5 | - | 350 MA | 18W | 22DB | - | 50 V | |||||||
![]() | MRF7S21210HR5 | 164.0700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF7 | 2.17GHz | ldmos | NI-780H-2L | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1.4 a | 63W | 18.5db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8S21120HSR3 | 95.7400 | ![]() | 399 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780 | MRF8 | 2.17GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 850 MA | 28W | 17.6dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8P9040NR1 | 22.4600 | ![]() | 314 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | 底盘安装 | TO-272BB | 960MHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 双重的 | - | 320 MA | 4W | 19.1db | - | 28 V | ||||||
![]() | MRFE6VS25NR1528 | - | ![]() | 1859年 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 133 v | 表面安装 | TO-270AA | 1.8MHz〜2GHz | ldmos | TO-270-2 | - | 2156-MRFE6VS25NR1528 | 1 | n通道 | - | 10 MA | 25W | 25.4db @ 512MHz | - | 50 V | |||||||
![]() | MRF6P24190HR6 | 255.7000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | NI-1230 | MRF6 | 2.39GHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 1.9 a | 40W | 14dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8S18260HSR6 | 147.9900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-1230S-4S4S | 1.805GHZ〜1.88GHz | ldmos | NI-1230S-4S4S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10µA | 1.6 a | 74W | 17.9db | - | 30 V | ||||
![]() | MRF373R1 | 41.6000 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-360 | 470MHz〜860MHz | n通道 | NI-360 | - | 2156-MRF373R1 | 8 | n通道 | 7a | 60W | 14.7dB | - | |||||||||
![]() | MRF5P21045NR1 | 41.5000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 表面安装 | TO-270AB | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 500 | 双重的 | 10µA | 500 MA | 10W | 14.5db | - | 28 V | |||
![]() | MRF6VP41KHR7 | 399.9700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 110 v | 底盘安装 | NI-1230 | 450MHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 25 | 双重的 | - | 150 ma | 1000W | 20dB | - | 50 V | |||||
![]() | AFT20S015NR1 | 18.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 表面安装 | TO-270AA | 2.17GHz | ldmos | TO-270-2 | 下载 | 5A991G | 8541.29.0075 | 16 | - | 132 MA | 1.5W | 17.6dB | - | 28 V | |||||||
![]() | MRF19085LR3 | 163.5600 | ![]() | 220 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF19 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 850 MA | 18W | 13DB | - | 26 V | ||||
![]() | MRF6VP3091NBR1 | 80.3700 | ![]() | 127 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 115 v | TO-272BB | MRF6 | 860MHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 350 MA | 18W | 22DB | - | 50 V | |||
![]() | MRF5P21240HR6 | 162.4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-1230 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 150 | 10µA | 2.2 a | 52W | 13DB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF21010LR1 | 39.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-360 | MRF21 | 2.17GHz | ldmos | NI-360 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 100 ma | 10W | 13.5dB | - | 28 V | ||||
![]() | MHT1008NT1 | 18.1000 | ![]() | 483 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2156-MHT1008NT1-600055 | Ear99 | 8541.29.0075 | 17 | ||||||||||||||||
![]() | AFT18HW355SR5 | 275.3000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-1230S | AFT18 | 1.88GHz | ldmos | NI-1230S | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 双重的 | - | 1.1 a | 63W | 15.2db | - | 28 V | |||
MRF8S21100H5 | - | ![]() | 7195 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.17GHz | MOSFET | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 4 | n通道 | - | 700 MA | 24W | 18.3db | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF1511NT1 | 8.2200 | ![]() | 9006 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 40 V | PLD-1.5 | MRF15 | 175MHz | ldmos | PLD-1.5 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 3 | 4a | 150 ma | 8W | 13DB | - | 7.5 v | ||||
![]() | MRF7S21110HR3 | 75.3800 | ![]() | 898 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF7 | 2.17GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.1 a | 33W | 17.3db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6V13250HR5 | 454.7400 | ![]() | 274 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 120 v | SOT-957A | MRF6 | 1.3GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 100 ma | 250W | 22.7dB | - | 50 V | ||||
![]() | AFT26P100-4WSR3 | 153.3100 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780S-4 | AFT26 | 2.69GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 155 | 双重的 | - | 200 ma | 22W | 15.1db | - | 28 V | |||
![]() | MRF6VP11KHR5 | - | ![]() | 9462 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 底盘安装 | NI-1230S-4 GW | 130MHz | ldmos | NI-1230S-4 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 150 ma | 1000W | 26dB | - | 50 V | ||||||
![]() | MRF5S19100HR | 62.3800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | ||||||||||||||||
![]() | MRF6S19120HR5 | 92.1300 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | SOT-957A | MRF6 | 1.99GHz | ldmos | NI-780H-2L | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1 a | 19w | 15DB | - | 28 V |
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