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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | 噪音图 | 电压 -测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AFT26H050W26SR3 | 88.1700 | ![]() | 732 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780S-4L4L-8 | 2.496GHZ〜2.69GHz | ldmos | NI-780S-4L4L-8 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 250 | 双重的 | 10µA | 100 ma | 9W | 14.2db | - | 28 V | ||
![]() | MRF7S19100NBR1 | 47.5300 | ![]() | 54 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | TO-272BB | MRF7 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 1 a | 29W | 17.5db | - | 28 V | |||
![]() | MRF8P26080HSR3 | 55.0300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780S-4 | 2.5GHz〜2.7GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | 10µA | 300 MA | 14W | 15DB | - | 28 V | ||
![]() | MRFE6S9046NR1 | 23.5100 | ![]() | 457 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | TO-270AB | MRFE6 | 960MHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 300 MA | 35.5W | 19db | - | 28 V | |||
![]() | MRF6S19060NR1 | 47.7400 | ![]() | 744 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 表面安装 | TO-270AB | 1.93GHZ〜1.9GHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 10µA | 610 MA | 12W | 16dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF8S9102NR3 | - | ![]() | 5138 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | 表面安装 | OM-780-2 | 865MHz〜960MHz | ldmos | OM-780-2 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10µA | 750 MA | 28W | 23.1db | - | 28 V | |||
![]() | MRFE6S9201HSR5 | 124.2200 | ![]() | 38 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | NI-780 | MRFE6 | 880MHz | ldmos | NI-780 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1.4 a | 40W | 20.8dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF6S1100NBR1 | 52.4900 | ![]() | 185 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | TO-272BB | 1.99GHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 MA | 22W | 14.5db | - | 28 V | |||||
![]() | MRF19125R5 | - | ![]() | 6613 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-880 | MRF19 | 1.93GHz | ldmos | NI-880 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 2 | - | 1.3 a | 24W | 13.5dB | - | 26 V | |||||
![]() | MRF8S18120HSR3 | 108.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780 | MRF8 | 1.81GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 800 MA | 72W | 18.2db | - | 28 V | |||
![]() | MRF8P23080HSR3 | 72.6100 | ![]() | 450 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | NI-780S-4L | 2.3GHz | ldmos | NI-780S-4L | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | - | 280 MA | 16W | 14.6dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF5S21090HR5 | 63.5800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF5 | 2.11GHz | ldmos | NI-780H-2L | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 850 MA | 19w | 14.5db | - | 28 V | |||
MRF8S23120HR5 | 71.8800 | ![]() | 195 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.3GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 800 MA | 28W | 16dB | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF6VP2600HR5-FR | 345.0200 | ![]() | 66 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 底盘安装 | NI-1230 | 500MHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | 50µA | 2.6 a | 600W | 25DB | - | 50 V | ||
![]() | MRF8S9170NR3 | 152.7700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | 底盘安装 | NI-780S-4 | 920MHz〜960MHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 2 | 10µA | 1 a | 50W | 19.3db | - | 28 V | |||
![]() | MRF6S23140HR3 | 110.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.3GHz〜2.4GHz | ldmos | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | 10µA | 1.3 a | 28W | 15.2db | - | 28 V | |||
![]() | MRFG35005NR5 | 22.3900 | ![]() | 898 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 15 v | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 80 ma | 4.5W | 11DB | - | 12 v | |||
![]() | MD7P19130HSR3 | 92.8300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780S-4 | MD7P1 | 1.99GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | - | 1.25 a | 40W | 20dB | - | 28 V | ||
![]() | MRF6V14300HR5 | 478.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 100 v | 底盘安装 | SOT-957A | 1.4GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 150 ma | 330W | 18db | - | 50 V | ||||||
![]() | MRF9135LR3 | 94.7000 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 865MHz〜895MHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | 10µA | 1.1 a | 135W | 17.8db | - | 26 V | |||
![]() | MRF5S9101MBR1 | 47.3600 | ![]() | 107 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | TO-272BB | MRF5 | 960MHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 700 MA | 100W | 17.5db | - | 26 V | |||
![]() | MRF6V14300HS | - | ![]() | 1345 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||
![]() | MRF1511NT1 | 8.2200 | ![]() | 9006 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 40 V | PLD-1.5 | MRF15 | 175MHz | ldmos | PLD-1.5 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 3 | 4a | 150 ma | 8W | 13DB | - | 7.5 v | |||
![]() | MRFG35003NR5 | 17.2800 | ![]() | 900 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 15 v | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 55 MA | 3W | 11.5db | - | 12 v | |||
![]() | AFT18HW355SR5 | 275.3000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-1230S | AFT18 | 1.88GHz | ldmos | NI-1230S | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 双重的 | - | 1.1 a | 63W | 15.2db | - | 28 V | ||
![]() | MD7P19130HR3 | 92.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI780-4 | MD7P1 | 1.99GHz | ldmos | NI-780-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | - | 1.25 a | 40W | 20dB | - | 28 V | ||
![]() | MRF6S27085HR3 | 94.8600 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | SOT-957A | MRF6 | 2.66GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 900 MA | 20W | 15.5db | - | 28 V | |||
![]() | MRF7S21210HR5 | 164.0700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF7 | 2.17GHz | ldmos | NI-780H-2L | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1.4 a | 63W | 18.5db | - | 28 V | |||
![]() | MRF6S21190HR3 | 149.4500 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | NI-880 | MRF6 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-880 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 1.6 a | 54W | 16dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF7S21080HSR3 | - | ![]() | 4782 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 10µA | 800 MA | 22W | 18db | - | 28 V |
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