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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | 噪音图 | 电压 -测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRF5S4140HR5 | 72.6600 | ![]() | 640 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 批量 | 积极的 | 65 v | SOT-957A | MRF5 | 465MHz | ldmos | NI-780H-2L | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1.25 a | 28W | 21dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8HP21130HSR3 | 78.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 批量 | 积极的 | 65 v | NI-780S-4 | MRF8 | 2.17GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 5A991 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | - | 360 MA | 28W | 14dB | - | 28 V | |||
![]() | MRFE8VP8600HR5 | 165.6200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 115 v | 底盘安装 | NI-1230 | 470MHz〜860MHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双重的 | 20µA | 1.4 a | 140W | 21dB | - | 50 V | ||||||
![]() | MRF8S9120NR3 | 77.7300 | ![]() | 88 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 活跃 | 70 v | 表面安装 | OM-780-2 | 960MHz | ldmos | OM-780-2 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 800 MA | 33W | 19.8db | - | 28 V | |||||||
![]() | MRF8HP21080HR5 | 53.9900 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 批量 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780-4 | 2.17GHz | ldmos | NI-780-4 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 双重的 | - | 150 ma | 16W | 14.4db | - | 28 V | |||||
![]() | AFT23S170-13SR3 | 162.9000 | ![]() | 491 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | NI-780S-6 | 2.4GHz | ldmos | NI-780S-6 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.1 a | 45W | 18.8db | - | 28 V | ||||||
![]() | MMRF1306HR5 | 194.6700 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 活跃 | 133 v | 底盘安装 | SOT-979A | 230MHz | ldmos | NI-1230-4H | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 双重 | - | 100 ma | 1250W | 24dB | - | 50 V | ||||||
![]() | MRF9582NT1 | 7.6400 | ![]() | 748 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时 | 17 V | 表面安装 | PLD-1 | - | n通道 | PLD-1 | - | 2156-MRF9582NT1 | 40 | n通道 | 1.5a | 38dB | 10.5db | - | |||||||||
![]() | MD7P19130HSR5 | 105.7400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780S-4 | MD7P1 | 1.99GHz | ldmos | NI-780S-4 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 3 | 双重的 | - | 1.25 a | 40W | 20dB | - | 28 V | |||||
![]() | MRF8P23160WHSR3 | - | ![]() | 8104 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780-4 | MRF8 | 2.32GHz | MOSFET | NI-780-4 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | n通道 | - | 600 MA | 30W | 14.1db | - | 28 V | |||
![]() | MRF5S19100HR5 | 62.3800 | ![]() | 65 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 活跃 | 65 v | NI-780 | MRF5 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | NI-780 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 15 | - | 1 a | 22W | 13.9db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF5S9101MR1 | 47.3600 | ![]() | 166 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 表面安装 | TO-270AB | 869MHz〜960MHz | - | TO-270 WB-4 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 10µA | 700 MA | 100W | 17.5db | - | 26 V | |||
![]() | MRF6S9130HSR5 | 72.8200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 活跃 | 68 v | NI-780 | MRF6 | 880MHz | ldmos | NI-780 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 950 MA | 27W | 19.2db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6S19200HR5 | 137.8000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | SOT-957A | MRF6 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | NI-780H-2L | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1.6 a | 56W | 17.9db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF7S21080HR3 | 57.3800 | ![]() | 931 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780S-4S2S | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780S-4S2S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 10µA | 800 MA | 22W | 18db | - | 28 V | ||||
![]() | MHT1004GNR3 | 137.0800 | ![]() | 46 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 批量 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | OM-780-2G | 2.45GHz | ldmos | OM-780-2鸥 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 10µA | 100 ma | 280W | 15.2db | - | 32 v | |||||||
![]() | MRF6S21100HR3 | 71.9100 | ![]() | 203 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 10µA | 950 MA | 23W | 15.9db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6V14300MSR5 | 468.0100 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 活跃 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | MRFE6VP61K25NR6 | 1.0000 | ![]() | 7072 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 3(168)) | 到达不受影响 | 2156-MRFE6VP61K25NR6-600055 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MRFG35003ANT1 | 12.9700 | ![]() | 285 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 15 v | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 55 MA | 3W | 10.8db | - | 12 v | ||||
![]() | MRFG35003NT1 | 17.2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 15 v | 表面安装 | PLD-1.5 | 1.8GHz〜3.6GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.3a | 55 MA | 3W | 11.5db | - | 12 v | ||||
![]() | MRFG35003N6T1 | 12.8200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 活跃 | 8 V | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1,000 | - | 180 MA | 3W | 9DB | - | 6 V | ||||
![]() | MWE6IC9100NBR1-FR | 74.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 批量 | 积极的 | 66 v | 底盘安装 | TO-272-14变体,平面线 | MWE6 | 869MHz〜960MHz | ldmos | TO-272 WB-14 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.33.0001 | 500 | 10µA | 120 MA | 100W | 33.5dB | - | 26 V | |||
![]() | MRF9030GMR1 | 22.6000 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | ||||||||||||||||
![]() | MRF6S9160HR3 | 97.0400 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | SOT-957A | MRF6 | 880MHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 1.2 a | 35W | 20.9db | - | 28 V | ||||
![]() | MRFE6S9135HR3 | 100.7100 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | 底盘安装 | SOT-957A | 1GHz | ldmos | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 10µA | 1 a | 39W | 21dB | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6V3090NBR1 | - | ![]() | 4746 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 底盘安装 | TO-272BB | 860MHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 350 MA | 18W | 22DB | - | 50 V | |||||||
![]() | MRF8S9202NR3 | 101.9900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | OM-780-2 | MRF8 | 920MHz | ldmos | OM-780-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 1.3 a | 58W | 19db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF8S19260HR6 | 134.5400 | ![]() | 131 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-1110A | MRF8 | 1.99GHz | ldmos | NI1230-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 1.6 a | 74W | 18.2db | - | 30 V | |||
![]() | MRFE6S9135HR5 | 100.7100 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | NI-880 | MRFE6 | 940MHz | ldmos | NI-880 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1 a | 39W | 21dB | - | 28 V |
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