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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | 噪音图 | 电压 -测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRF6S9130HSR5 | 72.8200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | NI-780 | MRF6 | 880MHz | ldmos | NI-780 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 950 MA | 27W | 19.2db | - | 28 V | |||
![]() | MRF6S19200HR5 | 137.8000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | SOT-957A | MRF6 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | NI-780H-2L | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1.6 a | 56W | 17.9db | - | 28 V | |||
![]() | MRF7S21080HR3 | 57.3800 | ![]() | 931 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780S-4S2S | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780S-4S2S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 10µA | 800 MA | 22W | 18db | - | 28 V | |||
![]() | MHT1004GNR3 | 137.0800 | ![]() | 46 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | OM-780-2G | 2.45GHz | ldmos | OM-780-2鸥 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 10µA | 100 ma | 280W | 15.2db | - | 32 v | ||||||
![]() | MRF6V14300MSR5 | 468.0100 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||
![]() | MRFG35003ANT1 | 12.9700 | ![]() | 285 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 15 v | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 55 MA | 3W | 10.8db | - | 12 v | |||
![]() | MRFG35003N6T1 | 12.8200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 8 V | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1,000 | - | 180 MA | 3W | 9DB | - | 6 V | |||
![]() | MRF9030GMR1 | 22.6000 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | |||||||||||||||
![]() | MRFE6S9135HR3 | 100.7100 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | 底盘安装 | SOT-957A | 1GHz | ldmos | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 10µA | 1 a | 39W | 21dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF6V3090NBR1 | - | ![]() | 4746 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 底盘安装 | TO-272BB | 860MHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 350 MA | 18W | 22DB | - | 50 V | ||||||
![]() | MRF8S19260HR6 | 134.5400 | ![]() | 131 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-1110A | MRF8 | 1.99GHz | ldmos | NI1230-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 1.6 a | 74W | 18.2db | - | 30 V | ||
![]() | MRFE6S9135HR5 | 100.7100 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | NI-880 | MRFE6 | 940MHz | ldmos | NI-880 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1 a | 39W | 21dB | - | 28 V | |||
![]() | AFT26H050W26SR3 | 88.1700 | ![]() | 732 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780S-4L4L-8 | 2.496GHZ〜2.69GHz | ldmos | NI-780S-4L4L-8 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 250 | 双重的 | 10µA | 100 ma | 9W | 14.2db | - | 28 V | ||
![]() | MRF8P26080HSR3 | 55.0300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780S-4 | 2.5GHz〜2.7GHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | 10µA | 300 MA | 14W | 15DB | - | 28 V | ||
![]() | MRFE6S9046NR1 | 23.5100 | ![]() | 457 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | TO-270AB | MRFE6 | 960MHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 300 MA | 35.5W | 19db | - | 28 V | |||
![]() | MRF6S19060NR1 | 47.7400 | ![]() | 744 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 表面安装 | TO-270AB | 1.93GHZ〜1.9GHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 10µA | 610 MA | 12W | 16dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF8S9102NR3 | - | ![]() | 5138 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | 表面安装 | OM-780-2 | 865MHz〜960MHz | ldmos | OM-780-2 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10µA | 750 MA | 28W | 23.1db | - | 28 V | |||
![]() | MRF6S1100NBR1 | 52.4900 | ![]() | 185 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | TO-272BB | 1.99GHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 950 MA | 22W | 14.5db | - | 28 V | |||||
![]() | MRF19125R5 | - | ![]() | 6613 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-880 | MRF19 | 1.93GHz | ldmos | NI-880 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | 2 | - | 1.3 a | 24W | 13.5dB | - | 26 V | |||||
![]() | MRF8P23080HSR3 | 72.6100 | ![]() | 450 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | NI-780S-4L | 2.3GHz | ldmos | NI-780S-4L | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 双重的 | - | 280 MA | 16W | 14.6dB | - | 28 V | ||||
MRF8S23120HR5 | 71.8800 | ![]() | 195 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.3GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 800 MA | 28W | 16dB | - | 28 V | ||||||
![]() | MRF8S9170NR3 | 152.7700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | 底盘安装 | NI-780S-4 | 920MHz〜960MHz | ldmos | NI-780S-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 2 | 10µA | 1 a | 50W | 19.3db | - | 28 V | |||
![]() | MRF6S23140HR3 | 110.1200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.3GHz〜2.4GHz | ldmos | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | 10µA | 1.3 a | 28W | 15.2db | - | 28 V | |||
![]() | MRFG35005NR5 | 22.3900 | ![]() | 898 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 15 v | PLD-1.5 | MRFG35 | 3.55GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 50 | - | 80 ma | 4.5W | 11DB | - | 12 v | |||
![]() | MMRF1306HR5 | 194.6700 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 133 v | 底盘安装 | SOT-979A | 230MHz | ldmos | NI-1230-4H | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 双重的 | - | 100 ma | 1250W | 24dB | - | 50 V | |||||
![]() | MRF5S19100HSR5 | 65.5900 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780 | MRF5 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | NI-780 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1 a | 22W | 13.9db | - | 28 V | |||
![]() | MRFG35003NT1 | 17.2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 15 v | 表面安装 | PLD-1.5 | 1.8GHz〜3.6GHz | Phemt fet | PLD-1.5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.3a | 55 MA | 3W | 11.5db | - | 12 v | |||
![]() | MRF7S18170HR3 | 124.0700 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 1.805GHZ〜1.88GHz | ldmos | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 10µA | 1.4 a | 50W | 17.5db | - | 28 V | |||
![]() | MRF8S9120NR3 | 77.7300 | ![]() | 88 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 70 v | 表面安装 | OM-780-2 | 960MHz | ldmos | OM-780-2 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 800 MA | 33W | 19.8db | - | 28 V | ||||||
![]() | MRFE6S9201HSR5 | 124.2200 | ![]() | 38 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | NI-780 | MRFE6 | 880MHz | ldmos | NI-780 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1.4 a | 40W | 20.8dB | - | 28 V |
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