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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | 噪音图 | 电压 -测试 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MRF5S21150HR3 | 72.1100 | ![]() | 316 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-880 | MRF5 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-880 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 150 | - | 1.3 a | 33W | 12.5db | - | 28 V | |||
![]() | MRF6VP21KHR5 | 989.0600 | ![]() | 48 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 底盘安装 | SOT-979A | 235MHz | ldmos | NI-1230-4H | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 双重的 | 100µA | 150 ma | 1000W | 24dB | - | 50 V | ||
![]() | MRF1513T1 | - | ![]() | 8729 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 40 V | 表面安装 | PLD-1.5 | 520MHz | MOSFET | PLD-1.5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1,000 | n通道 | 1µA | 50 mA | 3W | 11DB | - | 12.5 v | ||
![]() | MRFE6S9200HR3 | 109.0500 | ![]() | 896 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | NI-880 | MRFE6 | 880MHz | ldmos | NI-880 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | - | 1.4 a | 58W | 21dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF9060MR1 | 33.2400 | ![]() | 990 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 表面安装 | TO-270AA | 1GHz | MOSFET | TO-270-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 500 | n通道 | 10µA | 450 MA | 60W | 18db | - | 26 V | ||
![]() | MRF6S9130HR5 | 89.5800 | ![]() | 139 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | SOT-957A | MRF6 | 880MHz | ldmos | NI-780H-2L | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 50 | - | 950 MA | 27W | 19.2db | - | 28 V | |||
![]() | MRF6V4300NBR5 | 108.4700 | ![]() | 442 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | 底盘安装 | TO-272BB | 10MHz〜600MHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 2.5mA | 900 MA | 300W | 22DB | - | 50 V | |||
![]() | MRF8S19260HSR6 | 134.5400 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | SOT-111110B | MRF8 | 1.99GHz | ldmos | NI1230S-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 1.6 a | 74W | 18.2db | - | 30 V | ||
![]() | MRF7S16150HSR5 | - | ![]() | 2723 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780 | MRF7 | 1.6GHz〜1.66GHz | ldmos | NI-780 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | - | 1.5 a | 32W | 19.7db | - | 28 V | |||||
![]() | MRFE6P9220HR3 | 399.8500 | ![]() | 864 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | NI-860C3 | MRFE6 | 880MHz | ldmos | NI-860C3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.6 a | 47W | 20dB | - | 28 V | |||
![]() | MRFE6S9046GNR1 | - | ![]() | 5531 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 66 v | 表面安装 | TO-270BB | 920MHz〜960MHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10µA | 300 MA | 35.5W | 19db | - | 28 V | |||
![]() | MRF18085BLSR3 | 29.7300 | ![]() | 146 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | 1.93GHZ〜1.99GHz | MOSFET | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 57 | n通道 | 10µA | 800 MA | 85W | 12.5db | - | 26 V | ||
![]() | MRF6S21100HR3 | 71.9100 | ![]() | 203 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 10µA | 950 MA | 23W | 15.9db | - | 28 V | |||
![]() | MHT1004GNR3 | 137.0800 | ![]() | 46 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | OM-780-2G | 2.45GHz | ldmos | OM-780-2鸥 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 10µA | 100 ma | 280W | 15.2db | - | 32 v | ||||||
![]() | MRF6V14300MSR5 | 468.0100 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||
![]() | MRF7S21080HR3 | 57.3800 | ![]() | 931 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780S-4S2S | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780S-4S2S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 10µA | 800 MA | 22W | 18db | - | 28 V | |||
![]() | AFT23S170-13SR3 | 162.9000 | ![]() | 491 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | NI-780S-6 | 2.4GHz | ldmos | NI-780S-6 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.1 a | 45W | 18.8db | - | 28 V | |||||
![]() | MRF8HP21080HR5 | 53.9900 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780-4 | 2.17GHz | ldmos | NI-780-4 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 双重的 | - | 150 ma | 16W | 14.4db | - | 28 V | ||||
![]() | MRF6VP41KHR5 | 927.2300 | ![]() | 553 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 110 v | NI-1230 | MRF6 | 450MHz | ldmos | NI-1230 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 双重的 | - | 150 ma | 1000W | 20dB | - | 50 V | ||
![]() | MRF5S19060MR1 | 50.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 表面安装 | TO-270AB | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | TO-270 WB-4 | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 500 | 10µA | 750 MA | 12W | 14dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF6P9220HR3 | 149.3000 | ![]() | 230 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | NI-860C3 | MRF6 | 880MHz | ldmos | NI-860C3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | - | 1.6 a | 47W | 20dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF5S19130HR3 | 117.7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | 2GHz | ldmos | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 250 | 10µA | 1.2 a | 26W | 13DB | - | 28 V | |||
![]() | MRF5S21045NBR1 | 44.1700 | ![]() | 232 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | TO-272BB | MRF5 | 2.12GHz | ldmos | TO-272 WB-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 500 MA | 10W | 14.5db | - | 28 V | |||
![]() | MRF9030GNR1 | 23.6900 | ![]() | 234 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | TO-270BA | MRF90 | - | ldmos | TO-270-2鸥 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | ||||||
![]() | MRF5S21130HSR5 | 90.1200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-880S | MRF5 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-880S | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1.2 a | 28W | 13.5dB | - | 28 V | |||
![]() | MRF9030LR1 | - | ![]() | 3225 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 底盘安装 | NI-360 | 1GHz | ldmos | NI-360 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 10µA | 250 MA | 30W | 19db | - | 26 V | |||
![]() | MRF7S27130HSR3 | 227.0100 | ![]() | 193 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | NI-780 | MRF7 | 2.7GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - | 1.5 a | 23W | 16.5db | - | 28 V | |||
![]() | MRF9045GMR1 | 26.0500 | ![]() | 393 | 0.00000000 | 自由度半导体 | * | 大部分 | 积极的 | MRF9045 | - | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||
![]() | MRF18030BLSR3 | 45.3300 | ![]() | 210 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | Ni-400s | 1.8GHz〜2GHz | MOSFET | Ni-400s | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 1µA | 250 MA | 30W | 14dB | - | 26 V | ||
![]() | MRF6S9045NBR1 | 23.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 自由度半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 68 v | 底盘安装 | SOT-957A | 1GHz | ldmos | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 500 | 10µA | 350 MA | 10W | 22.7dB | - | 28 V |
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