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晶体管（（1315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 噪声图（ db typ @ f）
MS2265 Microsemi Corporation MS2265 -
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 ECAD 8379 0.00000000 Microsemi Corporation * 大部分 过时的 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1
APTC60DDAM45CT1G Microsemi Corporation APTC60DAM45CT1G -
RFQ
 ECAD 6698 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 600V 49a 45MOHM @ 24.5A，10V 3.9V @ 3mA 150nc @ 10V 7200pf @ 25V -
APTC90H12T2G Microsemi Corporation APTC90H12T2G -
RFQ
 ECAD 3553 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP2 APTC90 MOSFET （金属 o化物） 250W SP2 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 900V 30a 120mohm @ 26a，10v 3.5V @ 3mA 270NC @ 10V 6800pf @ 100V 超交界处
2N5015S Microsemi Corporation 2N5015S -
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 ECAD 7327 0.00000000 Microsemi Corporation 军事，MIL-PRF-19500/727 大部分 过时的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 1 w TO-39（（TO-205AD） - Rohs不合规 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 1000 v 200 ma 10NA（ICBO） NPN 1.8V @ 5mA，20mA 30 @ 20mA，10v -
UMIL3 Microsemi Corporation umil3 -
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 ECAD 4147 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 150°C（TJ） 底盘，螺柱坐骑 55英尺 11W 55英尺 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 11.8db〜13dB 30V 700mA NPN 10 @ 100A，5V 225MHz〜400MHz -
PP8064 Microsemi Corporation PP8064 -
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 ECAD 5718 0.00000000 Microsemi Corporation * 大部分 过时的 - Rohs不合规 不适用 过时的 0000.00.0000 1
MRF5812MR1 Microsemi Corporation MRF5812MR1 -
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 ECAD 1433 0.00000000 Microsemi Corporation - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1
TPR1000A Microsemi Corporation TPR1000A -
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 ECAD 2464 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 200°C 底盘安装 55kV 2900W 55kV - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1 6DB 65V 80a - 10 @ 1A，5V 1.09GHz -
UTV8100B Microsemi Corporation UTV8100B -
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 ECAD 8059 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 200°C（TJ） 底盘安装 55rt 290W 55rt 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 8.5db〜9.5dB 60V 15a NPN 20 @ 1a，5v 470MHz〜860MHz -
2N1016C Microsemi Corporation 2N1016C -
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 ECAD 7822 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 -65°C 〜150°C（TJ） 2N1016 150 w 到82 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 150 v 7.5 a 1ma NPN 2.5V @ 1a，5a 10 @ 5A，4V -
2N5014S Microsemi Corporation 2N5014 -
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 ECAD 2439 0.00000000 Microsemi Corporation 军事，MIL-PRF-19500/727 大部分 过时的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 1 w TO-39（（TO-205AD） - Rohs不合规 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 900 v 200 ma 10NA（ICBO） NPN 1.6V @ 5mA，20mA 30 @ 20mA，10v -
APT40SM120B Microsemi Corporation APT40SM120B -
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 ECAD 7432 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 sicfet （碳化硅） TO-247 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 100 n通道 1200 v 41A（TC） 20V 100mohm @ 20a，20v 3V @ 1ma（类型） 130 nc @ 20 V +25V，-10V 2560 pf @ 1000 V - 273W（TC）
0912-45 Microsemi Corporation 0912-45 -
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 ECAD 1694年 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 200°C（TJ） 底盘安装 55ct 225W 55ct 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 8db〜9dB 60V 4.5a NPN 10 @ 300mA，5V 960MHz〜1.215GHz -
APT5510JFLL Microsemi Corporation APT5510JFLL -
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 ECAD 2720 0.00000000 Microsemi Corporation PowerMos7® 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MOSFET （金属 o化物） isotop® 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 550 v 44A（TC） 10V 100mohm @ 22a，10v 5V @ 2.5mA 124 NC @ 10 V ±30V 5823 PF @ 25 V - 463W（TC）
JANTX2N3811 Microsemi Corporation JANTX2N3811 -
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 ECAD 5550 0.00000000 Microsemi Corporation 军事，MIL-PRF-19500/336 大部分 过时的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-78-6金属罐 2N3811 350MW TO-78-6 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 50mA 10µA（ICBO） 2 PNP （双） 250mv @ 100µA，1mA 300 @ 1mA，5v -
MS2176 Microsemi Corporation MS2176 -
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 ECAD 6523 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 200°C（TJ） 底盘安装 2L-FLG 875W 2L-FLG 下载 （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1 9.5db 28V 21.6a NPN 10 @ 5A，5V - -
APT4012BVRG Microsemi Corporation APT4012BVRG -
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 ECAD 5068 0.00000000 Microsemi Corporation PowerMosv® 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 n通道 400 v 37A（TC） 10V 120mohm @ 18.5a，10v 4V @ 1mA 290 NC @ 10 V ±30V 5400 PF @ 25 V - 370W（TC）
SD1536-08 Microsemi Corporation SD1536-08 -
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 ECAD 7496 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 200°C（TJ） 底盘安装 M105 SD1536 292W M105 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 8.4dB 65V 10a NPN 5 @ 100mA，5v 1.025GHZ〜1.15GHz -
MSC80806 Microsemi Corporation MSC80806 -
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 ECAD 1029 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1
JAN2N7227U Microsemi Corporation JAN2N7227U -
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 ECAD 4202 0.00000000 Microsemi Corporation 军事，MIL-PRF-19500/592 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-267AB MOSFET （金属 o化物） TO-267AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 400 v 14A（TC） 10V 415MOHM @ 14A，10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V - （4W）（150w（ta）（TC）
MDS70 Microsemi Corporation MDS70 -
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 ECAD 9511 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 200°C（TJ） 底盘安装 55cx 225W 55cx 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 10.3db〜11.65db 65V 5a NPN 20 @ 500mA，5V 1.03GHz〜1.09GHz -
MRF8372 Microsemi Corporation MRF8372 -
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 ECAD 9377 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 2.2W 8-so 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 2,500 8db〜9.5dB 16V 200mA NPN 30 @ 50mA，5v 870MHz -
JANS2N3810L/TR Microsemi Corporation JANS2N3810L/TR -
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 ECAD 6037 0.00000000 Microsemi Corporation 军事，MIL-PRF-19500/336 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-78-6金属罐 2N3810 TO-78-6 下载 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 50 10µA（ICBO） 2 PNP （双） 250mv @ 100µA，1mA 150 @ 1mA，5V -
80275H Microsemi Corporation 80275h -
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 ECAD 5778 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1
2N3811L Microsemi Corporation 2N3811L -
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 ECAD 5128 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-78-6金属罐 2N3811 350MW TO-78-6 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 50mA 10µA（ICBO） 2 PNP （双） 250mv @ 100µA，1mA 300 @ 1mA，5v -
MS652S Microsemi Corporation MS652S -
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 ECAD 2612 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 200°C（TJ） 底盘安装 M123 25W M123 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 10dB 16V 2a NPN 10 @ 200ma，5v 450MHz〜512MHz -
APTGT50DSK60T3G Microsemi Corporation APTGT50DSK60T3G -
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 ECAD 3355 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SP3 176 w 标准 SP3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 双重斩波器 沟渠场停止 600 v 80 a 1.9V @ 15V，50a 250 µA 是的 3.15 NF @ 25 V
APTGT30SK170T1G Microsemi Corporation APTGT30SK170T1G -
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 ECAD 2194 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 210 w 标准 SP1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 沟渠场停止 1700 v 45 a 2.4V @ 15V，30a 250 µA 是的 2.5 nf @ 25 V
2N7225U Microsemi Corporation 2N7225U -
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 ECAD 2166 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-267AB MOSFET （金属 o化物） TO-267AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 200 v 27.4A（TC） 10V 100mohm @ 17a，10v 4V @ 250µA 115 NC @ 10 V ±20V - （4W）（150w（ta）（TC）
JAN2N7228U Microsemi Corporation JAN2N7228U -
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 ECAD 8973 0.00000000 Microsemi Corporation 军事，MIL-PRF-19500/592 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-267AB MOSFET （金属 o化物） TO-267AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 500 v 12A（TC） 10V 515MOHM @ 12A，10V 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V - （4W）（150w（ta）（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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