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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JAN2N5014S	-	RFQ	3417	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/727	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	不适用		Ear99	8541.29.0095	1														900 v	200 ma					10NA（ICBO）				NPN		30 @ 20mA，10v	-
APT40M70JVFR	-	RFQ	3255	Microsemi Corporation	PowerMosv®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	400 v	53A（TC）	10V	70MOHM @ 26.5A，10V	4V @ 2.5mA	495 NC @ 10 V	±30V	8890 pf @ 25 V	-	450W（TC）
APT5012JN	-	RFQ	2325	Microsemi Corporation	PowerMosiv®	托盘	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	43A（TC）	10V	120MOHM @ 21.5A，10V	4V @ 2.5mA	370 NC @ 10 V	±30V	6500 PF @ 25 V	-	520W（TC）
APTGT35A120D1G	-	RFQ	5031	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-	底盘安装	D1			205 w	标准	D1	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥												沟渠场停止	1200 v	55 a	2.1V @ 15V，35a				5 ma	不	2.5 nf @ 25 V
JAN2N7334	-	RFQ	7192	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/597	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N733	MOSFET （金属 o化物）	1.4W		MO-036AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4 n通道		100V	1a		700mohm @ 600mA，10v	4V @ 250µA	60nc @ 10V		-	-
APT6M100K	-	RFQ	8814	Microsemi Corporation	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1000 v	6A（TC）	10V	2.5OHM @ 3A，10V	5V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±30V	1410 PF @ 25 V	-	225W（TC）
APTGF75SK60D1G	-	RFQ	6033	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1			355 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的												npt	600 v	100 a	2.45V @ 15V，75a				500 µA	不	3.3 NF @ 25 V
APTGV75H60T3G	-	RFQ	9183	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3			250 w	标准	SP3	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器												NPT，沟渠场停止	600 v	100 a	1.9V @ 15V，75a				250 µA	是的	4.62 NF @ 25 V
JANTXV2N6798	-	RFQ	8573	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）			to-205af（39）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	200 v	5.5A（TC）	10V	420MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	42.07 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
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APTM50UM19SG	-	RFQ	2672	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	J3模块		MOSFET （金属 o化物）			模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	163a（TC）	10V	19mohm @ 81.5a，10v	5V @ 10mA	492 NC @ 10 V	±30V	22400 PF @ 25 V	-	1136W（TC）
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JANTXV2N6784U	-	RFQ	8949	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/556	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC		MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	200 v	2.25A（TC）	10V	1.6OHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	8.6 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），15W（tc）
APTM20DAM10TG	-	RFQ	4061	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4		MOSFET （金属 o化物）			SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	200 v	175a（TC）	10V	12MOHM @ 87.5A，10V	5V @ 5mA	224 NC @ 10 V	±30V	13700 PF @ 25 V	-	694W（TC）
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APT30N60SC6	-	RFQ	1509	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			d3pa k	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	30A（TC）	10V	125mohm @ 14.5A，10V	3.5V @ 960µA	88 NC @ 10 V	±20V	2267 PF @ 25 V	-	219W（TC）
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MSC280SMA120S	-	RFQ	6028	Microsemi Corporation	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA		sicfet （碳化硅）			d3pa k	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	-	-	-	-		-		-	-
APTM50DHM35G	-	RFQ	4534	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM50	MOSFET （金属 o化物）	781W		SP6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）		500V	99a		39mohm @ 49.5a，10v	5V @ 5mA	280NC @ 10V		14000pf @ 25V	-
JANTX2N4857	-	RFQ	1811	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			360兆w		TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道	40 V							18pf @ 10V（vgs）							40 V	100 ma @ 15 V	6 V @ 500 PA				40欧姆
JAN2N6849U	-	RFQ	7674	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/564	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC		MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		P通道	100 v	6.5A（TC）	10V	320MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	34.8 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
APT40M75JN	-	RFQ	5348	Microsemi Corporation	PowerMosiv®	托盘	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	400 v	56A（TC）	10V	75mohm @ 28a，10v	4V @ 2.5mA	370 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	520W（TC）
APTGT75H60T2G	-	RFQ	1814年	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP2	APTGT75		250 w	标准	SP2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器												沟渠场停止	600 v	100 a	1.9V @ 15V，75a				250 µA	是的	4.62 NF @ 25 V
APTM10TDUM09PG	-	RFQ	7148	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM10	MOSFET （金属 o化物）	390W		sp6-p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）		100V	139a		10mohm @ 69.5a，10v	4V @ 2.5mA	350NC @ 10V		9875pf @ 25V	-
APTM100A23SCTG	-	RFQ	7619	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM100	（SIC）	694W		SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）		1000V （1kV）	36a		270MOHM @ 18A，10V	5V @ 5mA	308nc @ 10V		8700pf @ 25V	-
JANTXV2N7335	-	RFQ	8926	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/599	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N733	MOSFET （金属 o化物）	1.4W		MO-036AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4个p通道		100V	750mA		1.4OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	-		-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²