RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
APTM20DAM10TG	-	RFQ	4061	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4			MOSFET （金属 o化物）			SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			200 v	175a（TC）	10V	12MOHM @ 87.5A，10V	5V @ 5mA	224 NC @ 10 V	±30V	13700 PF @ 25 V	-	694W（TC）
aptm20dum10tg	-	RFQ	3956	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM20		MOSFET （金属 o化物）	694W		SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				200V	175a		12MOHM @ 87.5A，10V	5V @ 5mA	224nc @ 10V		13700pf @ 25V	-
APTGT75H60T2G	-	RFQ	1814年	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP2	APTGT75			250 w	标准	SP2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器															沟渠场停止	600 v	100 a		1.9V @ 15V，75a			250 µA	是的	4.62 NF @ 25 V
APT45GR65B2DU30	-	RFQ	1373	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT45GR65	标准		543 w		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			433V，45A，4.3OHM，15V												80 ns	npt	650 v	118 a	224 a	2.4V @ 15V，45a	203 NC	15NS/100NS
APT75GN120JDQ3G	-	RFQ	4063	Microsemi Corporation	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素				379 w	标准	isotop®	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30	单身的															沟渠场停止	1200 v	124 a		2.1V @ 15V，75a			200 µA	不	4.8 nf @ 25 V
APT15F60B	-	RFQ	4244	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT15F60		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道			600 v	16A（TC）	10V	430MOHM @ 7A，10V	5V @ 500µA	72 NC @ 10 V	±30V	2882 PF @ 25 V	-	290W（TC）
APT20M19JVR	-	RFQ	7350	Microsemi Corporation	PowerMosv®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10		n通道			200 v	112a（TC）	10V	19mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	495 NC @ 10 V	±30V	11640 pf @ 25 V	-	500W（TC）
APTGF30TL601G	-	RFQ	6847	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1				140 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	三级逆变器															npt	600 v	42 a		2.45V @ 15V，30a			250 µA	不	1.35 NF @ 25 V
apt6040亿	-	RFQ	3651	Microsemi Corporation	PowerMosiv®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			600 v	18A（TC）	10V	400MOHM @ 9A，10V	4V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±30V	2950 pf @ 25 V	-	310W（TC）
JANTXV2N5013	-	RFQ	3281	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/727	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5	-	Rohs不合规	不适用		Ear99	8541.29.0095	1																	800 v	200 ma					10NA（ICBO）			NPN		30 @ 20mA，10v	-
APTGF25A120T1G	-	RFQ	9431	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1				208 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥															npt	1200 v	40 a		3.7V @ 15V，25a			250 µA	是的	1.65 NF @ 25 V
MS2214	-	RFQ	1053	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	250°C（TJ）	底盘安装	M218				300W		M218	下载		（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	1				7.5dB													55V	8a								NPN		20 @ 2a，5v	960MHz〜1.215GHz	-
JANSF2N222221AUB	139.3710	RFQ	4378	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/255	托盘	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2221			500兆		UB	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1																	50 V	800 MA					50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
APTGT75A120TG	-	RFQ	9116	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4				350 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥															沟渠场停止	1200 v	100 a		2.1V @ 15V，75a			250 µA	是的	5.34 NF @ 25 V
MRF8372GR2	-	RFQ	5767	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				2.2W		8-so	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	2,500				8db〜9.5dB													16V	200mA								NPN		30 @ 50mA，5v	870MHz	-
1014-6A	-	RFQ	1686年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	55lv				19w		55lv	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1				7db〜7.5dB													50V	1a								NPN		-	1GHz〜1.4GHz	-
APT11F80	-	RFQ	6544	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT11F80		MOSFET （金属 o化物）			D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			800 v	12A（TC）	10V	900mohm @ 6a，10v	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2471 PF @ 25 V	-	337W（TC）
APT6017LFLLG	19.2000	RFQ	15	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			600 v	35A（TC）	10V	170MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 2.5mA	100 nc @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	500W（TC）
MRF555	-	RFQ	3320	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	表面安装	电源宏	MRF555			3W		电源宏	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	500				11db〜13dB													16V	500mA								NPN		30 @ 250mA，5V	-	-
APTGT150DA120D1G	-	RFQ	9152	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	D1				700 w	标准	D1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的															沟渠场停止	1200 v	220 a		2.1V @ 15V，150a			4 mA	不	10.8 NF @ 25 V
JANTXV2N5013S	-	RFQ	4075	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/727	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	不适用		Ear99	8541.29.0095	1																	800 v	200 ma					10NA（ICBO）			NPN		30 @ 20mA，10v	-
MS2361	-	RFQ	9629	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	M115				87.5W		M115	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1				9DB													65V	2.6a								NPN		-	1.025GHZ〜1.15GHz	-
DME375A	-	RFQ	9385	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	55AW				375W		55AW	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1				6.5dB													55V	30a								NPN		10 @ 300mA，5V	1.025GHZ〜1.15GHz	-
MS2200A	-	RFQ	6040	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTGF75DA120T1G	-	RFQ	6340	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1				500 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的															npt	1200 v	100 a		3.7V @ 15V，75a			250 µA	是的	5.1 NF @ 25 V
2N5091	19.0722	RFQ	8472	Microsemi Corporation	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1
2307p	-	RFQ	5493	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
JANTXV2N7224	-	RFQ	2605	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））			MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	34A（TC）	10V	81MOHM @ 34A，10V	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
60180	-	RFQ	8885	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
MS2209	-	RFQ	9367	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	M218				220W		M218	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1				8.4dB													65V	7a								NPN		20 @ 2a，5v	225MHz	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²