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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
APTGF15H120T1G	-	RFQ	2749	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1				140 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器														npt	1200 v	25 a		3.7V @ 15V，15a				250 µA	是的	1 nf @ 25 V
JANTX2N6766T1	-	RFQ	9088	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））			MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			200 v	30A（TC）	10V	90MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTGF25A120T1G	-	RFQ	9431	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1				208 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥														npt	1200 v	40 a		3.7V @ 15V，25a				250 µA	是的	1.65 NF @ 25 V
2C5013	-	RFQ	5644	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	-	-						-	-	Rohs不合规	不适用		过时的	0000.00.0000	1																							-			-	-	-	-
JANTXV2N7335	-	RFQ	8926	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/599	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N733		MOSFET （金属 o化物）	1.4W		MO-036AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4个p通道				100V	750mA		1.4OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	-		-	-
2N6770	-	RFQ	4270	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			500 v	12A（TC）	10V	500mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTML20UM18R010T1AG	-	RFQ	5077	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1			MOSFET （金属 o化物）			SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			200 v	109a（TC）	10V	19mohm @ 50a，10v	4V @ 2.5mA		±30V	9880 pf @ 25 V	-	480W（TC）
MRF8372	-	RFQ	9377	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				2.2W		8-so	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	2,500				8db〜9.5dB												16V	200mA									NPN		30 @ 50mA，5v	870MHz	-
APT15GP60BDLG	-	RFQ	1687年	Microsemi Corporation	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT15GP60	标准		250 w		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			400V，15A，5OHM，15V												pt	600 v	56 a	65 a	2.7V @ 15V，15a	130µJ（在）上，121µJ（121µJ）	55 NC	8NS/29NS
APTJC120AM13VCT1AG	-	RFQ	1840年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	APTJC120		-	-		模块	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	7	-				-	-		-	-	-		-	-
JANTXV2N6790	-	RFQ	7839	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道			200 v	3.5A（TC）	10V	850MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
APTML202UM18R010T3AG	-	RFQ	7447	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTML202		MOSFET （金属 o化物）	480W		SP3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				200V	109a（TC）		19mohm @ 50a，10v	4V @ 2.5mA	-		9880pf @ 25V	-
2N6802	-	RFQ	1647年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			500 v	2.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	4.46 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
APTCV60HM70RT3G	-	RFQ	9408	Microsemi Corporation	-	托盘	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3				250 w	单相桥梁整流器	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器														沟渠场停止	600 v	50 a		1.9V @ 15V，50a				250 µA	是的	3.15 NF @ 25 V
JANTX2N7227U	-	RFQ	6780	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			400 v	14A（TC）	10V	415MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
MS2575A	-	RFQ	9629	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTM120SK56T1G	-	RFQ	5832	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1			MOSFET （金属 o化物）			SP1	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			1200 v	18A（TC）	10V	672MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	7736 pf @ 25 V	-	390W（TC）
APT55M65JFLL	-	RFQ	5770	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10		n通道			550 v	63A（TC）	10V	65mohm @ 31.5a，10v	5V @ 5mA	205 NC @ 10 V	±30V	9165 PF @ 25 V	-	595W（TC）
JANTX2N3811U	-	RFQ	9759	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3811			350MW		TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1																60V	50mA						10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
JANS2N6251T1	-	RFQ	3696	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/510	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	2N6251			6 W		TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																350 v	10 a						1ma			NPN	1.5V @ 1.67a，10a	6 @ 10a，3v	-
JANTX2N2857UB	-	RFQ	1844年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				200MW		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1				21dB												15V	40mA									NPN		30 @ 3mA，1V	-	4.5dB @ 450MHz
APTM50AM19STG	-	RFQ	6793	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM50		（SIC）	1250W		SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）				500V	170a		19mohm @ 85a，10v	5V @ 10mA	492NC @ 10V		22400pf @ 25V	-
APT18F60	-	RFQ	9706	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT18F60		MOSFET （金属 o化物）			d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			600 v	19a（tc）	10V	370MOHM @ 9A，10V	5V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±30V	3550 pf @ 25 V	-	335W（TC）
APT8024B2LLG	25.7000	RFQ	5	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体			MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道			800 v	31a（TC）	10V	240MOHM @ 15.5A，10V	5V @ 2.5mA	160 NC @ 10 V	±30V	4670 pf @ 25 V	-	565W（TC）
JAN2N7228U	-	RFQ	8973	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			500 v	12A（TC）	10V	515MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APT20M19JVR	-	RFQ	7350	Microsemi Corporation	PowerMosv®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10		n通道			200 v	112a（TC）	10V	19mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	495 NC @ 10 V	±30V	11640 pf @ 25 V	-	500W（TC）
JANTX2N6764T1	-	RFQ	6198	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））			MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	38A（TC）	10V	65mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTGT50DH60TG	-	RFQ	4719	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP4				176 w	标准	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥														沟渠场停止	600 v	80 a		1.9V @ 15V，50a				250 µA	是的	3.15 NF @ 25 V
JANTXV2N6762	-	RFQ	2849	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/542	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			500 v	4.5A（TC）	10V	1.8OHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
64030	-	RFQ	7861	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		不适用		过时的	0000.00.0000	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²