RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
APTGF90SK60TG	-	RFQ	9341	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4					416 w	标准	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	npt	600 v	110 a		2.5V @ 15V，90a					250 µA	是的	4.3 NF @ 25 V
APTGT100DDA60T3G	-	RFQ	5509	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3					340 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	双提升斩波器																	沟渠场停止	600 v	150 a		1.9V @ 15V，100a					250 µA	是的	6.1 NF @ 25 V
APT15GP60KG	-	RFQ	3847	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	APT15GP60	标准			250 w		TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50				400V，15A，5OHM，15V														pt	600 v	56 a	65 a	2.7V @ 15V，15a	130µJ（在）上，121µJ（121µJ）	55 NC	8NS/29NS
40036	-	RFQ	1746年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的												-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
61045	-	RFQ	7703	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的												-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
ARF447G	-	RFQ	7675	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	900 v			TO-247-3	ARF447		40.68MHz	MOSFET			TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1	n通道		6.5a		140W	15DB											-									250 v
APT11N80KC3G	-	RFQ	8224	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					800 v	11A（TC）	10V	450MOHM @ 7.1A，10V	3.9V @ 680µA	60 NC @ 10 V	±20V	1585 pf @ 25 V	-	156W（TC）
SD1400-03	-	RFQ	6099	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的												-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
2N7335	-	RFQ	2042	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N733			MOSFET （金属 o化物）	1.4W		MO-036AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4个p通道						100V	750mA		1.4OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	-		-	-
APT30M85BVFRG	-	RFQ	5926	Microsemi Corporation	PowerMosv®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					300 v	40a（TC）	10V	85mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	195 NC @ 10 V	±30V	4950 pf @ 25 V	-	300W（TC）
APT40GR120B2SCD10	-	RFQ	1393	Microsemi Corporation	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT40GR120	标准			500 w		TO-247	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30				600V，40a，4.3Ohm，15V														npt	1200 v	88 a	160 a	3.2V @ 15V，40a	（929µJ）（在1070µJ上）	210 NC	20NS/166NS
APT35SM70S	-	RFQ	2332	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-247-3				sicfet （碳化硅）			TO-247-3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		-					700 v	35a	-	-	-		-		-	-
APTGT100DA60TG	-	RFQ	8016	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP4					340 w	标准	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	600 v	150 a		1.9V @ 15V，100a					250 µA	是的	6.1 NF @ 25 V
APTGT20A60T1G	-	RFQ	9321	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1					62 W	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥																	沟渠场停止	600 v	32 a		1.9V @ 15V，20A					250 µA	是的	1.1 NF @ 25 V
2N6766	-	RFQ	9986	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE				MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	30A（TC）	10V	90MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
23A017	-	RFQ	6414	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘安装	55bt					6W		55bt	下载		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1						7.6dB													50V	800mA										NPN	20 @ 200ma，5V	3.7GHz	-
1月2N6762	-	RFQ	4932	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/542	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	4.5A（TC）	10V	1.8OHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
JAN2N6790U	-	RFQ	4404	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC				MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道					200 v	2.8A（TC）	10V	850MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
1月2N6760	-	RFQ	5974	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/542	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					400 v	5.5A（TC）	10V	1.22OHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
JAN2N6849U	-	RFQ	7674	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/564	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC				MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		P通道					100 v	6.5A（TC）	10V	320MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	34.8 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
JANTXV2N6768	-	RFQ	5619	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE				MOSFET （金属 o化物）			TO-204AE（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					400 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JANTXV2N6762	-	RFQ	2849	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/542	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	4.5A（TC）	10V	1.8OHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
JANTXV2N6756	-	RFQ	1653	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/542	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	14A（TC）	10V	210mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
MS1336	-	RFQ	6180	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	M135					70W		M135	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1						10dB													18V	8a										NPN	20 @ 250mA，5V	175MHz	-
APTGF75SK60D1G	-	RFQ	6033	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1					355 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	npt	600 v	100 a		2.45V @ 15V，75a					500 µA	不	3.3 NF @ 25 V
APTM10DHM09T3G	-	RFQ	1107	Microsemi Corporation	PowerMosv®	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTM10			MOSFET （金属 o化物）	390W		SP3	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						100V	139a		10mohm @ 69.5a，10v	4V @ 2.5mA	350NC @ 10V		9875pf @ 25V	-
JANTXV2N6784U	-	RFQ	8949	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/556	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC				MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	2.25A（TC）	10V	1.6OHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	8.6 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），15W（tc）
AptGL60DH120T3G	-	RFQ	1825年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3					280 w	标准	SP3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥																	沟渠场停止	1200 v	80 a		2.25V @ 15V，50a					250 µA	是的	2.77 NF @ 25 V
JAN2N6796U	-	RFQ	1783年	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC				MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	8A（TC）	10V	195mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	28.51 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
JAN2N6768T1	-	RFQ	3028	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））				MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					400 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²