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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX2N6796U	-	RFQ	2604	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	8A（TC）	10V	195mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	28.51 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
APTGT50DA170D1G	-	RFQ	7140	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1				310 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	1700 v	70 a		2.4V @ 15V，50a							6 ma	不	4.4 NF @ 25 V
JANTX2N7228U	-	RFQ	8569	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	12A（TC）	10V	515MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTC90HM60T3G	-	RFQ	5331	Microsemi Corporation	coolmos™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTC90		MOSFET （金属 o化物）	462W		SP3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	100	4（n n 通道（半桥）			900V	59a		60mohm @ 52a，10v	3.5V @ 6mA	540NC @ 10V		13600pf @ 100V	超交界处
APTGT20X60T3G	-	RFQ	1894年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3				62 W	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器														沟渠场停止	600 v	32 a		1.9V @ 15V，20A							250 µA	是的	1.1 NF @ 25 V
APTGT200SK60TG	-	RFQ	8084	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP4				625 w	标准	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	600 v	290 a		1.9V @ 15V，200a							250 µA	是的	12.3 NF @ 25 V
APTGL325DA120D3G	-	RFQ	6170	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D-3模块				1500 w	标准	D3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	1200 v	420 a		2.2V @ 15V，300A							5 ma	不	18.6 NF @ 25 V
APT8024B2LLG	25.7000	RFQ	5	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体			MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	31a（TC）	10V	240MOHM @ 15.5A，10V	5V @ 2.5mA	160 NC @ 10 V	±30V	4670 pf @ 25 V	-	565W（TC）
APTGT20DDA60T3G	-	RFQ	2771	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3				62 W	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	双提升斩波器														沟渠场停止	600 v	32 a		1.9V @ 15V，20A							250 µA	是的	1.1 NF @ 25 V
APTGT25A120D1G	-	RFQ	6254	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-	底盘安装	D1				140 w	标准	D1	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥														沟渠场停止	1200 v	40 a		2.1V @ 15V，25a							5 ma	不	1.8 nf @ 25 V
1月2N6770	-	RFQ	2862	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）			TO-204AE（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	12A（TC）	10V	500mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APT6M100K	-	RFQ	8814	Microsemi Corporation	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	6A（TC）	10V	2.5OHM @ 3A，10V	5V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±30V	1410 PF @ 25 V	-	225W（TC）
APT50GF60JCU2	-	RFQ	4817	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	SOT-227-4，迷你布洛克				277 w	标准	SOT-227	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														npt	600 v	70 a		2.45V @ 15V，50a							250 µA	不	2.2 NF @ 25 V
APT17N80SC3G	-	RFQ	6620	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA			MOSFET （金属 o化物）			D3PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	17a（TC）	10V	290MOHM @ 11A，10V	3.9V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	208W（TC）
JAN2N3960UB	-	RFQ	1666年	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/399	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N3960			400兆		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	100																12 v										10µA（ICBO）				NPN	300mv @ 3mA，30mA	60 @ 10mA，1V	-
APTC60AM70T1G	-	RFQ	3862	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC60		MOSFET （金属 o化物）	250W		SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）			600V	39a		70mohm @ 39a，10v	3.9V @ 2.7mA	259nc @ 10V		7000pf @ 25V	-
APTCV60HM70BT3G	-	RFQ	1969年	Microsemi Corporation	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3				250 w	标准	SP3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	提升斩波器，全桥														沟渠场停止	600 v	50 a		1.9V @ 15V，50a							250 µA	是的	3.15 NF @ 25 V
aptgt30a60t1g	-	RFQ	5070	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1				90 W	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥														沟渠场停止	600 v	50 a		1.9V @ 15V，30a							250 µA	是的	1.6 nf @ 25 V
APTGF90DA60D1G	-	RFQ	2309	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-	底盘安装	D1				445 w	标准	D1	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														npt	600 v	130 a		2.45V @ 15V，100a							500 µA	不	4.3 NF @ 25 V
APT45GR65BSCD10	-	RFQ	5467	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT45GR65	标准		543 w		TO-247	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			433V，45A，4.3OHM，15V											80 ns	npt	650 v	118 a	224 a	2.4V @ 15V，45a		203 NC	15NS/100NS
APTC60HM83FT2G	-	RFQ	4019	Microsemi Corporation	coolmos™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	APTC60		MOSFET （金属 o化物）	250W		模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）			600V	36a		83mohm @ 18a，10v	5V @ 3mA	255nc @ 10V		7290pf @ 25V	-
APTC60DAM24T1G	-	RFQ	4965	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1			MOSFET （金属 o化物）			SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	95A（TC）	10V	24mohm @ 47.5A，10V	3.9V @ 5mA	300 NC @ 10 V	±20V	14400 PF @ 25 V	-	462W（TC）
APTGT50DH60TG	-	RFQ	4719	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP4				176 w	标准	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥														沟渠场停止	600 v	80 a		1.9V @ 15V，50a							250 µA	是的	3.15 NF @ 25 V
MSC750SMA120B	-	RFQ	5495	Microsemi Corporation	*	大部分	积极的				MSC750						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			1
APT9F100	-	RFQ	1035	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA			MOSFET （金属 o化物）			D3PAK	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1000 v	9A（TC）	10V	1.6OHM @ 5A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2606 pf @ 25 V	-	337W（TC）
APT15GP90KG	-	RFQ	1950年	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	APT15GP90	标准		250 w		TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			600V，15a，4.3Ohm，15V												pt	900 v	43 a	60 a	3.9V @ 15V，15a	（200µJ）	60 NC	9NS/33NS
APT75GN120J	-	RFQ	8164	Microsemi Corporation	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素				379 w	标准	isotop®	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30	单身的														沟渠场停止	1200 v	124 a		2.1V @ 15V，75a							100 µA	不	4.8 nf @ 25 V
JANTX2N4857	-	RFQ	1811	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				360兆w		TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		40 V							18pf @ 10V（vgs）												40 V	100 ma @ 15 V	6 V @ 500 PA				40欧姆
APT11GF120BRDQ1G	-	RFQ	4997	Microsemi Corporation	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	apt11g	标准		156 w		TO-247 [B]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			800V，8a，10ohm，15V												npt	1200 v	25 a	24 a	3V @ 15V，8a	300µJ（在）上，285µJ（OFF）	65 NC	7NS/100NS
APTGLQ25H120T2G	-	RFQ	9380	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	APTGLQ25			165 w	标准	SP2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	全桥														沟渠场停止	1200 v	50 a		2.42V @ 15V，25a							50 µA	是的	1.43 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²