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晶体管（（1315）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 获得 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic | 当前 -收集器截止（最大） | NTC热敏电阻 | （CIES） @ vce | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 | 噪声图（ db typ @ f） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MS2608H | - |  | 5562 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50DUM25TG | - | | 4632 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | APTM50 | MOSFET （金属 o化物） | 1250W | SP4 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 500V | 149a | 25mohm @ 74.5a，10v | 4V @ 8mA | 1200NC @ 10V | 29600pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||
| 2N6251T1 | - | | 4147 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C | 通过洞 | TO-254-3，TO-254AA | 2N6251 | 6 W | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 v | 10 a | 1ma | NPN | 1.5V @ 1.67a，10a | 6 @ 10a，3v | - | ||||||||||||||||||||||
| APT47N65SCS3G | - | | 1612 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | - | APT47N65 | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 10V | - | - | ±20V | - | 417W（TC） | |||||||||||||||||||||
| MS2586 | - | | 4620 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1701 | - | | 4345 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MS1004 | - | | 7883 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M177 | 330W | M177 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 14.5db | 55V | 40a | NPN | 15 @ 10a，6v | 30MHz | - | |||||||||||||||||||||||
| MRF559T | - | | 2339 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | 2W | - | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 9.5db | 16V | 150mA | NPN | 30 @ 50mA，10v | 870MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
 | JANTXV2N4957UB | - | | 4318 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜200°C（TJ） | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 200MW | UB | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 25DB | 30V | 30mA | PNP | 30 @ 5mA，10v | - | 3.5db @ 450MHz | ||||||||||||||||||||||
| 80277H | - | | 1979年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2204 | - | | 6641 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M115 | 600MW | M115 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 10.8db | 20V | 300mA | NPN | 15 @ 100mA，5V | 1.09GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| APTM120DA15G | - | | 7618 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP6 | MOSFET （金属 o化物） | SP6 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 1200 v | 60a（TC） | 10V | 175mohm @ 30a，10v | 5V @ 10mA | 748 NC @ 10 V | ±30V | 20600 PF @ 25 V | - | 1250W（TC） | |||||||||||||||||||
| APTGF250DA60D3G | - | | 4520 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | D-3模块 | 1250 w | 标准 | D3 | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 600 v | 400 a | 2.45V @ 15V，300A | 500 µA | 不 | 13 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| APTC80DDA29T3G | - | | 2160 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTC80 | MOSFET （金属 o化物） | 156W | SP3 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 800V | 15a | 290MOHM @ 7.5A，10V | 3.9V @ 1mA | 90NC @ 10V | 2254pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||
 | MRF8372G | - | | 8510 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 2.2W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 8db〜9.5dB | 16V | 200mA | NPN | 30 @ 50mA，5v | 870MHz | - | ||||||||||||||||||||||||
| 60099H | - | | 9927 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JAN2N2221A | 7.7938 | | 5731 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/255 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-206AA，TO-18-3 | 2N2221 | 500兆 | TO-18（（TO-206AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50mA，500mA | 40 @ 150mA，10v | - | |||||||||||||||||||||
| 0510-50A | - | | 1950年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55av | 50W | 55av | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7db | 27V | 3.7a | - | 10 @ 500mA，5V | 500MHz〜1GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N2221AL | 10.7464 | | 7867 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/255 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-206AA，TO-18-3 | 2N2221 | 500兆 | TO-18（（TO-206AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50mA，500mA | 40 @ 150mA，10v | - | |||||||||||||||||||||
 | APTC60AM242G | - | | 9968 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | coolmos™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | APTC60 | MOSFET （金属 o化物） | 462W | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 600V | 95a | 24mohm @ 47.5A，10V | 3.9V @ 5mA | 300NC @ 10V | 14400pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||
| 60159 | - | | 6980 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1000mA | - | | 6355 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N5109 | - | | 7077 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | 到205AD，TO-39-3 | 2.5W | 到39 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 12DB | 20V | 400mA | NPN | 40 @ 50mA，15v | 1.2GHz | - | |||||||||||||||||||||||
 | JANTXV2N2857 | - | | 9174 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/343 | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-72-3金属罐 | 200MW | 到72 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 12.5db〜21db @ 450MHz | 15V | 40mA | NPN | 30 @ 3mA，1V | 500MHz | 4.5dB @ 450MHz | ||||||||||||||||||||||
| MS1051 | - | | 8784 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M174 | 290W | M174 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 11db〜13dB | 18V | 20a | NPN | 10 @ 5mA，5V | 30MHz | - |
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