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晶体管（（1315）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | 获得 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 电流 -icm） | （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic | 门充电 | TD （开/关） @ 25°C | 当前 -收集器截止（最大） | NTC热敏电阻 | （CIES） @ vce | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 | 噪声图（ db typ @ f） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N6251T1 | - |  | 4147 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C | 通过洞 | TO-254-3，TO-254AA | 2N6251 | 6 W | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 v | 10 a | 1ma | NPN | 1.5V @ 1.67a，10a | 6 @ 10a，3v | - | |||||||||||||||||||||||||||
| MS1001 | - | | 5447 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M174 | 270W | M174 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 13DB | 18V | 20a | NPN | 20 @ 5A，5V | 30MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT100SK120D1G | - | | 3169 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | D1 | 520 w | 标准 | D1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 150 a | 2.1V @ 15V，100a | 3 ma | 不 | 7 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
| STA8142 | - | | 2263 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | Rohs不合规 | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2874 | - | | 3320 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1002MP | - | | 5604 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55FW-1 | 7W | 55FW-1 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.24db〜11dB | 50V | 250mA | - | 20 @ 100mA，5V | 960MHz〜1.215GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 23A008 | - | | 6727 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55bt | 5W | 55bt | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.5db〜9.5dB | 22V | 400mA | NPN | 20 @ 100mA，5V | 3.7GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| MS2210A | - | | 4140 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UTV200 | - | | 1517年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55JV | 80W | 55JV | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 8.5db〜9.5dB | 28V | 4.5a | NPN | 10 @ 1A，5V | 470MHz〜860MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 68201a | - | | 4964 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N2857 | - | | 9284 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-206AF，TO-72-4金属可以 | 200MW | 到72 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 12.5db〜21db @ 450MHz | 15V | 40mA | NPN | 30 @ 3mA，1V | 500MHz | 4.5dB @ 450MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2N5109 | - | | 7077 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | 到205AD，TO-39-3 | 2.5W | 到39 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 12DB | 20V | 400mA | NPN | 40 @ 50mA，15v | 1.2GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTXV2N2857 | - | | 9174 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/343 | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-72-3金属罐 | 200MW | 到72 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 12.5db〜21db @ 450MHz | 15V | 40mA | NPN | 30 @ 3mA，1V | 500MHz | 4.5dB @ 450MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| MS2092H | - | | 3698 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT130SM70B | - | | 1120 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通过洞 | TO-247-3 | sicfet （碳化硅） | TO-247-3 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 700 v | 110A（TC） | 20V | 45mohm @ 60a，20v | 2.4V @ 1mA | 220 NC @ 20 V | +25V，-10V | 3950 PF @ 700 V | - | 556W（TC） | |||||||||||||||||||||||||
| UTV010 | - | | 4219 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘，螺柱坐骑 | 55英尺 | 15W | 55英尺 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 11.5db | 24V | 1.25a | NPN | 15 @ 200ma，5v | 470MHz〜860MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20DHM16T3G | - | | 1995 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMos7® | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTM20 | MOSFET （金属 o化物） | 390W | SP3 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 200V | 104a | 19mohm @ 52a，10v | 5V @ 2.5mA | 140NC @ 10V | 7220pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||
| 1090MP | - | | 8052 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55FW-1 | 250W | 55FW-1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.08db〜8.5dB | 65V | 6.5a | NPN | 15 @ 500mA，5V | 1.025GHZ〜1.15GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6782U | - | | 9803 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/556 | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | 18-CLCC | MOSFET （金属 o化物） | 18-ulcc （9.14x7.49） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 100 v | 3.5A（TC） | 10V | 610MOHM @ 3.5A，10V | 4V @ 250µA | 8.1 NC @ 10 V | ±20V | - | 800MW（TA），15W（tc） | ||||||||||||||||||||||||
| 60159 | - | | 6980 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3811 | - | | 4600 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N380 | 350MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50mA | 10µA（ICBO） | 2 PNP （双） | 250mv @ 100µA，1mA | 300 @ 1mA，5v | - | ||||||||||||||||||||||||||
| APTGF50A60T1G | - | | 1778年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP1 | 250 w | 标准 | SP1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | npt | 600 v | 65 a | 2.45V @ 15V，50a | 250 µA | 是的 | 2.2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
| APT70GR65B2DU40 | - | | 5334 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-247-3 | APT70GR65 | 标准 | 595 w | T-MAX™[B2] | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 433V，70a，4.3Ohm，15V | npt | 650 v | 134 a | 280 a | 2.4V @ 15V，70a | 305 NC | 18NS/170NS | ||||||||||||||||||||||||
| 64017H | - | | 8864 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 60189 | - | | 1269 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UMIL25 | - | | 9414 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55hv | 70W | 55hv | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 8.9db〜10dB | 33V | 3a | NPN | 10 @ 500mA，5V | 225MHz〜400MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 62090 | - | | 7623 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2225-4L | - | | 5353 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55lv | 10W | 55lv | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 8.5dB | 40V | 600mA | NPN | 20 @ 200ma，5V | 2.2GHz〜2.5GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT75A170D1G | - | | 4082 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | D1 | 520 w | 标准 | D1 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1700 v | 120 a | 2.4V @ 15V，75a | 5 ma | 不 | 6.5 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | JANTX2N6784 | - | | 6203 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/556 | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | to-205af金属罐 | MOSFET （金属 o化物） | 到39 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 200 v | 2.25A（TC） | 10V | 1.6OHM @ 2.25a，10V | 4V @ 250µA | 8.6 NC @ 10 V | ±20V | - | 800MW（TA），15W（tc） |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
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