RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
APTC90H12T1G	-	RFQ	7795	Microsemi Corporation	coolmos™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC90		MOSFET （金属 o化物）	250W		SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	100	4（n n 通道（半桥）				900V	30a		120mohm @ 26a，10v	3.5V @ 3mA	270NC @ 10V		6800pf @ 100V	超交界处
APTGT50A1202G	-	RFQ	7263	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP2				277 w	标准	SP2	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥														沟渠场停止	1200 v	75 a		2.1V @ 15V，50a						50 µA	不	3.6 NF @ 25 V
JANTX2N4092UB	123.8600	RFQ	101	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/431	大部分	积极的	-	表面安装	4-SMD，没有铅	2N4092			360兆w		4-SMD	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道			40 V							16pf @ 20V											40 V	15 ma @ 20 V				50欧姆
APTC80A15T1G	-	RFQ	9850	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC80		MOSFET （金属 o化物）	277W		SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）				800V	28a		150mohm @ 14a，10v	3.9V @ 2mA	180nc @ 10V		4507pf @ 25V	-
APT8024LVRG	-	RFQ	7987	Microsemi Corporation	PowerMosv®	管子	过时的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25		n通道			800 v	33A（TC）	10V	240MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 2.5mA	425 NC @ 10 V	-	7740 pf @ 25 V	-	-
MS2226H	-	RFQ	4414	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
0912-25	-	RFQ	8027	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	55ct				125W		55ct	下载		（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	1				8.5db〜10dB												55V	2.5a												NPN		10 @ 300mA，5V	960MHz〜1.215GHz	-
APTML60U12R020T1AG	-	RFQ	9180	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1			MOSFET （金属 o化物）			SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			600 v	45A（TC）	10V	150MOHM @ 22.5A，10V	4V @ 2.5mA		±30V	7600 PF @ 25 V	-	568W（TC）
APTM120SK15G	-	RFQ	2674	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6			MOSFET （金属 o化物）			SP6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			1200 v	60a（TC）	10V	175mohm @ 30a，10v	5V @ 10mA	748 NC @ 10 V	±30V	20600 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
APTML1002U60R020T3AG	-	RFQ	5282	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTML1002		MOSFET （金属 o化物）	520W		SP3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				1000V （1kV）	20a		720MOHM @ 10a，10v	4V @ 2.5mA	-		6000pf @ 25V	-
APTC80DA15T1G	-	RFQ	1020	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1			MOSFET （金属 o化物）			SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			800 v	28a（TC）	10V	150mohm @ 14a，10v	3.9V @ 2mA	180 NC @ 10 V	±30V	4507 PF @ 25 V	-	277W（TC）
JAN2N6782U	-	RFQ	6892	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/556	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	3.5A（TC）	10V	610MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	8.1 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），15W（tc）
2N7227U	-	RFQ	7513	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			400 v	14A（TC）	10V	315MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
MS2840	-	RFQ	2109	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTGF350SK60G	-	RFQ	2234	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP6				1562 w	标准	SP6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														npt	600 v	430 a		2.5V @ 15V，360a						200 µA	不	17.2 NF @ 25 V
54006H	-	RFQ	6794	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
JANTX2N5015	-	RFQ	9950	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/727	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5	-	Rohs不合规	不适用		Ear99	8541.29.0095	1																1000 v	200 ma								10NA（ICBO）				NPN		30 @ 20mA，10v	-
APTGT150DU170G	-	RFQ	6379	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6				890 w	标准	SP6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	双重，共同来源														沟渠场停止	1700 v	250 a		2.4V @ 15V，150a						350 µA	不	13.5 nf @ 25 V
MS1015	-	RFQ	4694	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
JANTX2N5012S	-	RFQ	3506	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/727	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	不适用		Ear99	8541.29.0095	1																700 v	200 ma								10NA（ICBO）				NPN		30 @ 25mA，10v	-
76016	-	RFQ	8979	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APT70SM70B	-	RFQ	7619	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）			TO-247 [B]	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			700 v	65A（TC）	20V	70mohm @ 32.5a，20v	2.5V @ 1mA	125 NC @ 20 V	+25V，-10V		-	300W（TC）
APTM20UM09SG	-	RFQ	9799	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	J3模块			MOSFET （金属 o化物）			模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			200 v	195a（TC）	10V	9MOHM @ 74.5a，10V	5V @ 4mA	217 NC @ 10 V	±30V	12300 PF @ 25 V	-	780W（TC）
APTGF360U60D4G	-	RFQ	2082	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	D4				1560 w	标准	D4	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														npt	600 v	450 a		2.45V @ 15V，360a						500 µA	不	17 nf @ 25 V
APTGT50DSK120T3G	-	RFQ	8065	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3				270 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	双重斩波器														沟渠场停止	1200 v	75 a		2.1V @ 15V，50a						250 µA	是的	3.6 NF @ 25 V
APT40GP60SG	-	RFQ	1746年	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT40GP60	标准		543 w		D3 [S]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			400V，40a，5ohm，15V												pt	600 v	100 a	160 a	2.7V @ 15V，40a	（385µJ）（在352µJ上）	135 NC	20NS/64NS
JAN2N6250T1	-	RFQ	8576	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/510	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	2N6250			6 W		TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																275 v	10 a								1ma				NPN	1.5V @ 1.25a，10a	8 @ 10a，3v	-
APTC60AM83BC1G	-	RFQ	8492	Microsemi Corporation	coolmos™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC60		MOSFET （金属 o化物）	250W		SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	3 n通道（相腿 +升压斩波器）				600V	36a		83MOHM @ 24.5A，10V	5V @ 3mA	250NC @ 10V		7200pf @ 25V	超交界处
1214-300m	-	RFQ	8567	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	第55				88W		第55	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1				7db												50V	4a												NPN		20 @ 500mA，5V	1.2GHz〜1.4GHz	-
0912-7	-	RFQ	3267	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	55cx				50W		55cx	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1				8.5dB												60V	1a												NPN		10 @ 100mA，5V	960MHz〜1.215GHz	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²