- RFQ
- bom
- 联系我们
电话： +86-0755-83501345
电子邮件：sales@swxic.com
- 中文
- 英语
- 法语
- 德语
- 葡萄牙语
- 西班牙语
- 俄语
- 日本人
- 韩国人
- 阿拉伯
- 爱尔兰人
- 希腊语
- 土耳其
- 意大利人
- 丹麦语
- 罗马尼亚人
- 印度尼西亚
- 捷克
- 南非荷兰语
- 瑞典
- 抛光
- 巴斯克
- 加泰罗尼亚
- 世界语
- 印地语
- 老挝
- 阿尔巴尼亚人
- 阿姆哈拉语
- 亚美尼亚人
- 阿塞拜疆
- 白俄罗斯人
- 孟加拉
- 波斯尼亚
- 保加利亚语
- 宿务
- Chichewa
- 科西嘉
- 克罗地亚人
- 荷兰
- 爱沙尼亚人
- 菲律宾
- 芬兰
- 弗里斯安
- 加利西亚人
- 格鲁吉亚人
- 古吉拉特语
- 海地
- 豪萨
- 夏威夷人
- 希伯来语
- 苗族
- 匈牙利
- 冰岛
- 伊博
- 爪哇人
- 卡纳达语
- 哈萨克
- 高棉
- 库尔德
- 吉尔吉斯
- 拉丁
- 拉脱维亚
- 立陶宛语
- Luxembou ..
- 马其顿
- 马尔加什
- 马来语
- 马拉雅拉姆语
- 马耳他
- 毛利人
- 马拉地语
- 蒙
- 缅甸
- 尼泊尔
- 挪威
- Pashto
- 波斯语
- 旁遮普
- 塞尔维亚
- 塞索托
- 僧伽罗
- 斯洛伐克
- 斯洛文尼亚人
- 索马里
- 萨摩亚
- 苏格兰盖尔语
- 肖纳
- 信德
- 圣丹尼斯
- 斯W希里语
- 塔吉克
- 泰米尔人
- 泰卢固语
- 泰国
- 乌克兰
- 乌尔都语
- 乌兹别克
- 越南人
- 威尔士语
- xhosa
- 意第绪
- 约鲁巴
- 祖鲁
- Kinyarwanda
- 塔塔尔
- 奥里亚
- 土库曼
- Uyghur
晶体管（（1315）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （amp） | 测试条件 | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | 噪音图 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 电流 -icm） | （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic | 切换能量 | 门充电 | TD （开/关） @ 25°C | 电压 -测试 | 当前 -收集器截止（最大） | NTC热敏电阻 | （CIES） @ vce | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 | 噪声图（ db typ @ f） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTXV2N6766T1 | - |  | 8428 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/543 | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA）） | MOSFET （金属 o化物） | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 200 v | 30A（TC） | 10V | 90MOHM @ 30a，10v | 4V @ 250µA | 115 NC @ 10 V | ±20V | - | （4W）（150w（ta）（TC） | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| STA8171 | - | | 8151 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | Rohs不合规 | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2201 | - | | 1574年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M220 | 10W | M220 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 9DB | 45V | 250mA | NPN | 0.95 @ 10mA，5V | 1.025GHZ〜1.15GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 80277H | - | | 1979年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM120DA15G | - | | 7618 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP6 | MOSFET （金属 o化物） | SP6 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 1200 v | 60a（TC） | 10V | 175mohm @ 30a，10v | 5V @ 10mA | 748 NC @ 10 V | ±30V | 20600 PF @ 25 V | - | 1250W（TC） | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ARF441 | - | | 5487 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 管子 | 过时的 | 150 v | - | 13.56MHz | MOSFET | - | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | n通道 | 11a | 200 ma | 125W | 21dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT150DA60TG | - | | 1414 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | 480 w | 标准 | SP4 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 600 v | 225 a | 1.9V @ 15V，150a | 250 µA | 是的 | 9.2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTXV2N5012S | - | | 6078 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/727 | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | 到205AD，TO-39-3 | 1 w | TO-39（（TO-205AD） | - | Rohs不合规 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 700 v | 200 ma | 10NA（ICBO） | NPN | 30 @ 25mA，10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGF250DA60D3G | - | | 4520 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | D-3模块 | 1250 w | 标准 | D3 | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 600 v | 400 a | 2.45V @ 15V，300A | 500 µA | 不 | 13 nf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 60099H | - | | 9927 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC80DDA29T3G | - | | 2160 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTC80 | MOSFET （金属 o化物） | 156W | SP3 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 800V | 15a | 290MOHM @ 7.5A，10V | 3.9V @ 1mA | 90NC @ 10V | 2254pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8372G | - | | 8510 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 2.2W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 8db〜9.5dB | 16V | 200mA | NPN | 30 @ 50mA，5v | 870MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 0510-50A | - | | 1950年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55av | 50W | 55av | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7db | 27V | 3.7a | - | 10 @ 500mA，5V | 500MHz〜1GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N6796 | - | | 8477 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | to-205af金属罐 | MOSFET （金属 o化物） | 到39 | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 100 v | 8A（TC） | 10V | 180MOHM @ 5A，10V | 4V @ 250mA | 6.34 NC @ 10 V | ±20V | - | 800MW（TA），25W（TC） | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1214-32L | - | | 6455 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55AW-1 | 125W | 55AW-1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7.8db〜8.9dB | 50V | 5a | NPN | 20 @ 1a，5v | 1.2GHz〜1.4GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5109 | - | | 7077 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | 到205AD，TO-39-3 | 2.5W | 到39 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 12DB | 20V | 400mA | NPN | 40 @ 50mA，15v | 1.2GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1000mA | - | | 6355 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APTC60AM242G | - | | 9968 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | coolmos™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | APTC60 | MOSFET （金属 o化物） | 462W | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 600V | 95a | 24mohm @ 47.5A，10V | 3.9V @ 5mA | 300NC @ 10V | 14400pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTXV2N2857 | - | | 9174 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/343 | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-72-3金属罐 | 200MW | 到72 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 12.5db〜21db @ 450MHz | 15V | 40mA | NPN | 30 @ 3mA，1V | 500MHz | 4.5dB @ 450MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM120H57FTG | - | | 9972 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | APTM120 | MOSFET （金属 o化物） | 390W | SP4 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4（n n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 17a | 684MOHM @ 8.5A，10V | 5V @ 2.5mA | 187nc @ 10V | 5155pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT25GR120BSCD10 | - | | 8445 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-247-3 | APT25GR120 | 标准 | 521 w | TO-247 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V，25a，4.3Ohm，15V | npt | 1200 v | 75 a | 100 a | 3.2V @ 15V，25a | （434µJ）（在466 µJ上） | 203 NC | 16ns/122ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APTM08TDUM04PG | - | | 5382 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP6 | APTM08 | MOSFET （金属 o化物） | 138W | sp6-p | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n通道（3相桥） | 75V | 120a | 4.5mohm @ 60a，10v | 4V @ 1mA | 153nc @ 10V | 4530pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 75060a | - | | 8447 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6251T1 | - | | 1265 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/510 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA）） | 2N6251 | 6 W | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 v | 10 a | 1ma | NPN | 1.5V @ 1.67a，10a | 6 @ 10a，3v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANSR2N222221AUB | 135.1908 | | 8147 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/255 | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 2N2221 | 500兆 | UB | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 800 MA | 50NA | NPN | 1V @ 50mA，500mA | 40 @ 150mA，10v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSC86580 | - | | 2127 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APT47N65SCS3G | - | | 1612 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | - | APT47N65 | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 10V | - | - | ±20V | - | 417W（TC） | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6251T1 | - | | 4147 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C | 通过洞 | TO-254-3，TO-254AA | 2N6251 | 6 W | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 v | 10 a | 1ma | NPN | 1.5V @ 1.67a，10a | 6 @ 10a，3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2472 | - | | 4268 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M112 | 1350W | M112 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 5.6dB | 65V | 40a | NPN | 5 @ 250mA，5V | 1.025GHZ〜1.15GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2586 | - | | 4620 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
愿望清单（0个项目）