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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
APT502222BNG	-	RFQ	8230	Microsemi Corporation	PowerMosiv®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	27a（TC）	10V	220MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 1mA	210 NC @ 10 V	±30V	3500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
SD1419-06H	-	RFQ	7269	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的									-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
STN6005	-	RFQ	7499	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的									-	Rohs不合规	不适用		过时的	0000.00.0000	1
2N5014	-	RFQ	3349	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w		TO-5	-		不适用		Ear99	8541.29.0095	1															900 v	200 ma		10NA（ICBO）			NPN		30 @ 20mA，10v	-
2N5091	19.0722	RFQ	8472	Microsemi Corporation	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1
2307p	-	RFQ	5493	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的									-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
JANTXV2N7224	-	RFQ	2605	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	34A（TC）	10V	81MOHM @ 34A，10V	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
60180	-	RFQ	8885	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的									-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
JANTXV2N7225U	-	RFQ	2479	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB		MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	27.4A（TC）	10V	105mohm @ 27.4a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
61111	-	RFQ	2828	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的									-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
APTGT75A120TG	-	RFQ	9116	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4			350 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥													沟渠场停止	1200 v	100 a	2.1V @ 15V，75a	250 µA	是的	5.34 NF @ 25 V
23A005	-	RFQ	5516	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	55bt			3W		55bt	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			8.5db〜9.5dB												22V	400mA					NPN		20 @ 100mA，5V	4.3GHz	-
JANTX2N6764T1	-	RFQ	6198	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	38A（TC）	10V	65mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTGF25A120T1G	-	RFQ	9431	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1			208 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥													npt	1200 v	40 a	3.7V @ 15V，25a	250 µA	是的	1.65 NF @ 25 V
JANTXV2N5013	-	RFQ	3281	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/727	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w		TO-5	-	Rohs不合规	不适用		Ear99	8541.29.0095	1															800 v	200 ma		10NA（ICBO）			NPN		30 @ 20mA，10v	-
JANSF2N222221AUB	139.3710	RFQ	4378	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/255	托盘	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2221		500兆		UB	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1															50 V	800 MA		50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
1014-6A	-	RFQ	1686年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	55lv			19w		55lv	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			7db〜7.5dB												50V	1a					NPN		-	1GHz〜1.4GHz	-
APT6017LFLLG	19.2000	RFQ	15	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA		MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	35A（TC）	10V	170MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 2.5mA	100 nc @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	500W（TC）
MRF555	-	RFQ	3320	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	表面安装	电源宏	MRF555		3W		电源宏	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	500			11db〜13dB												16V	500mA					NPN		30 @ 250mA，5V	-	-
APT11F80	-	RFQ	6544	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT11F80	MOSFET （金属 o化物）			D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		800 v	12A（TC）	10V	900mohm @ 6a，10v	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2471 PF @ 25 V	-	337W（TC）
JANTXV2N5013S	-	RFQ	4075	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/727	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	不适用		Ear99	8541.29.0095	1															800 v	200 ma		10NA（ICBO）			NPN		30 @ 20mA，10v	-
MS2361	-	RFQ	9629	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	M115			87.5W		M115	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			9DB												65V	2.6a					NPN		-	1.025GHZ〜1.15GHz	-
2N2944AUB	-	RFQ	1334	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2944		400兆		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1															10 v	100 ma		10µA（ICBO）			PNP	-	100 @ 1mA，500mv	-
MRF8372GR2	-	RFQ	5767	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			2.2W		8-so	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	2,500			8db〜9.5dB												16V	200mA					NPN		30 @ 50mA，5v	870MHz	-
APT20N60BC3G	-	RFQ	3471	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	20.7A（TC）	10V	190mohm @ 13.1a，10v	3.9V @ 1mA	114 NC @ 10 V	±20V	2440 pf @ 25 V	-	208W（TC）
JANTX2N3251AUB	-	RFQ	1639年	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/323	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N3251		360兆w		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1															60 V	200 ma		10µA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	-
APTM20SKM05G	-	RFQ	5369	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6		MOSFET （金属 o化物）			SP6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	317a（TC）	10V	6mohm @ 158.5a，10v	5V @ 10mA	448 NC @ 10 V	±30V	27400 PF @ 25 V	-	1136W（TC）
APT15GF120JCU2	-	RFQ	1431	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘，螺柱坐骑	SOT-227-4，迷你布洛克			156 w	标准	SOT-227	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的													npt	1200 v	30 a	3.7V @ 15V，15a	250 µA	不	1 nf @ 25 V
JANTX2N7335	-	RFQ	9646	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/599	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N733	MOSFET （金属 o化物）	1.4W		MO-036AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4个p通道			100V	750mA		1.4OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	-		-	-
APTGT150DA120D1G	-	RFQ	9152	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	D1			700 w	标准	D1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的													沟渠场停止	1200 v	220 a	2.1V @ 15V，150a	4 mA	不	10.8 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²