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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
APTM120H57FTG	-	RFQ	9972	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM120			MOSFET （金属 o化物）	390W		SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）							1200V（1.2kV）	17a		684MOHM @ 8.5A，10V	5V @ 2.5mA	187nc @ 10V		5155pf @ 25V	-
APT25GR120BSCD10	-	RFQ	8445	Microsemi Corporation	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT25GR120	标准			521 w		TO-247	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1				600V，25a，4.3Ohm，15V															npt	1200 v	75 a	100 a	3.2V @ 15V，25a	（434µJ）（在466 µJ上）	203 NC	16ns/122ns
75060a	-	RFQ	8447	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的												-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTGF50DH60TG	-	RFQ	7642	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4					250 w	标准	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥																		npt	600 v	65 a		2.45V @ 15V，50a					250 µA	是的	2.2 NF @ 25 V
JANSR2N222221AUB	135.1908	RFQ	8147	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/255	托盘	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2221				500兆		UB	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	800 MA							50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
JANTX2N6251T1	-	RFQ	1265	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/510	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	2N6251				6 W		TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																				350 v	10 a							1ma			NPN	1.5V @ 1.67a，10a	6 @ 10a，3v	-
MS2275	-	RFQ	2901	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的												-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
MSC86580	-	RFQ	2127	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的												-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
0204-125	-	RFQ	8875	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘安装	55JT					270W		55JT	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1							7db〜8.5dB													60V	16a										NPN		20 @ 1a，5v	225MHz〜400MHz	-
MS2608H	-	RFQ	5562	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的												-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
MS3456	-	RFQ	3357	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的												-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
64017H	-	RFQ	8864	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的												-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
MS1015D	-	RFQ	2975	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的												-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
2N5179	-	RFQ	1535年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以					300MW		到72	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1							20dB													12V	50mA										NPN		25 @ 3mA，1V	200MHz	4.5db @ 200MHz
JANTXV2N7228U	-	RFQ	6190	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB				MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						500 v	12A（TC）	10V	515MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JAN2N2221A	7.7938	RFQ	5731	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2221				500兆		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	800 MA							50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
JANTXV2N6766T1	-	RFQ	8428	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））				MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						200 v	30A（TC）	10V	90MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTM120DU29TG	-	RFQ	6384	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM120			MOSFET （金属 o化物）	780W		SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）							1200V（1.2kV）	34a		348mohm @ 17a，10v	5V @ 5mA	374NC @ 10V		10300pf @ 25V	-
ARF440	-	RFQ	6128	Microsemi Corporation	-	管子	过时的	150 v			TO-247-3			13.56MHz	MOSFET			TO-247AD	下载	Rohs不合规	（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1	n通道		11a		200 ma	125W	21dB											-									50 V
JANTXV2N3251A	-	RFQ	1862年	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/323	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3251				360兆w		TO-39（（TO-205AD）	-		不适用		Ear99	8541.21.0095	1																				60 V	200 ma							10µA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	-
JANTXV2N6758	-	RFQ	4361	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/542	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						200 v	9A（TC）	10V	490MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
A4871T	-	RFQ	5804	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的												-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
JANSR2N7389U	-	RFQ	9424	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/630	托盘	过时的		-55°C〜150°C	表面安装	18-CLCC				MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		P通道						100 v	6.5A（TC）	12V	350MOHM @ 6.5A，12V	4V @ 1mA	45 NC @ 12 V	±20V		-	25W（TC）
2N7228U	-	RFQ	5727	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB				MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						500 v	12A（TC）	10V	415MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
60159	-	RFQ	6980	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的												-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
STA8142	-	RFQ	2263	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的												-	Rohs不合规	不适用		过时的	0000.00.0000	1
JANTXV2N2221AL	10.7464	RFQ	7867	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2221				500兆		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	800 MA							50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
APT8024LVRG	-	RFQ	7987	Microsemi Corporation	PowerMosv®	管子	过时的		-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25		n通道						800 v	33A（TC）	10V	240MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 2.5mA	425 NC @ 10 V	-	7740 pf @ 25 V	-	-
APT130SM70B	-	RFQ	1120	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				sicfet （碳化硅）			TO-247-3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						700 v	110A（TC）	20V	45mohm @ 60a，20v	2.4V @ 1mA	220 NC @ 20 V	+25V，-10V	3950 PF @ 700 V	-	556W（TC）
APT34F60BG	-	RFQ	9484	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	34A（TC）	10V	210mohm @ 17a，10v	5V @ 1mA	165 NC @ 10 V	±30V	6640 pf @ 25 V	-	624W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²