SIC
close

晶体管（（1315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 噪声图（ db typ @ f）
APTGT50DSK120T3G Microsemi Corporation APTGT50DSK120T3G -
RFQ
 ECAD 8065 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 270 w 标准 SP3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 双重斩波器 沟渠场停止 1200 v 75 a 2.1V @ 15V，50a 250 µA 是的 3.6 NF @ 25 V
APTC90DDA12T1G Microsemi Corporation APTC90DDA12T1G -
RFQ
 ECAD 2767 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 托盘 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 APTC90 MOSFET （金属 o化物） 250W SP1 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 频道（双重斩波器） 900V 30a 120mohm @ 26a，10v 3.5V @ 3mA 270NC @ 10V 6800pf @ 100V 超交界处
1090MP Microsemi Corporation 1090MP -
RFQ
 ECAD 8052 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 200°C（TJ） 底盘安装 55FW-1 250W 55FW-1 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 8.08db〜8.5dB 65V 6.5a NPN 15 @ 500mA，5V 1.025GHZ〜1.15GHz -
APTGT150DU60TG Microsemi Corporation APTGT150DU60TG -
RFQ
 ECAD 9695 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SP4 480 w 标准 SP4 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 双重，共同来源 沟渠场停止 600 v 225 a 1.9V @ 15V，150a 250 µA 是的 9.2 NF @ 25 V
JANTX2N7236U Microsemi Corporation JANTX2N7236U -
RFQ
 ECAD 4385 0.00000000 Microsemi Corporation 军事，MIL-PRF-19500/595 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-267AB MOSFET （金属 o化物） TO-267AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 P通道 100 v 18A（TC） 10V 220MOHM @ 18A，10V 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V - （4W）（125W（ta）（TC）
MS2092H Microsemi Corporation MS2092H -
RFQ
 ECAD 3698 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1
68201A Microsemi Corporation 68201a -
RFQ
 ECAD 4964 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 不适用 过时的 0000.00.0000 1
APT8M80K Microsemi Corporation APT8M80K -
RFQ
 ECAD 3502 0.00000000 Microsemi Corporation Power MOS 8™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 [K] 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 8A（TC） 10V 1.35OHM @ 4A，10V 5V @ 500µA 43 NC @ 10 V ±30V 1335 PF @ 25 V - 225W（TC）
UTV080 Microsemi Corporation UTV080 -
RFQ
 ECAD 7071 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 200°C（TJ） 频道，din轨安装座 55JV 65W 55JV 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 9db〜10dB 28V 2.5a NPN 10 @ 500mA，5V 470MHz〜860MHz -
60168 Microsemi Corporation 60168 -
RFQ
 ECAD 5385 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 不适用 过时的 0000.00.0000 1
2N3811 Microsemi Corporation 2N3811 -
RFQ
 ECAD 4600 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-78-6金属罐 2N380 350MW TO-78-6 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 50mA 10µA（ICBO） 2 PNP （双） 250mv @ 100µA，1mA 300 @ 1mA，5v -
JANTX2N6790 Microsemi Corporation JANTX2N6790 -
RFQ
 ECAD 3429 0.00000000 Microsemi Corporation 军事，MIL-PRF-19500/555 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 to-205af金属罐 MOSFET （金属 o化物） 到39 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 n通道 200 v 3.5A（TC） 10V 850MOHM @ 3.5A，10V 4V @ 250µA 14.3 NC @ 10 V ±20V - 800MW（TC）
VRF3933 Microsemi Corporation VRF3933 113.5000
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 250 v M177 VRF3933 30MHz MOSFET M177 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 n通道 20a 250 MA 300W 22DB - 100 v
JANTX2N3960UB Microsemi Corporation JANTX2N3960UB -
RFQ
 ECAD 1196 0.00000000 Microsemi Corporation 军事，MIL-PRF-19500/399 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N3960 400兆 UB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 100 12 v 10µA（ICBO） NPN 300mv @ 3mA，30mA 60 @ 10mA，1V -
2N5010 Microsemi Corporation 2N5010 19.4180
RFQ
 ECAD 5654 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 2N5010 1 w TO-5AA 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 500 v 200 MA 10NA（ICBO） NPN 1.4V @ 5mA，25mA 30 @ 25mA，10v -
APT20N60SC3G Microsemi Corporation APT20N60SC3G -
RFQ
 ECAD 3080 0.00000000 Microsemi Corporation coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA MOSFET （金属 o化物） D3PAK 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 20.7A（TC） 10V 190mohm @ 13.1a，10v 3.9V @ 1mA 114 NC @ 10 V ±20V 2440 pf @ 25 V - 208W（TC）
2N4427 Microsemi Corporation 2N4427 -
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 通过洞 到205AD，TO-39-3 1W 到39 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 10dB @ 175MHz 40V 400mA NPN 10 @ 100mA，5V 500MHz -
UTV040 Microsemi Corporation UTV040 -
RFQ
 ECAD 1914年 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 200°C（TJ） 底盘，螺柱坐骑 55英尺 25W 55英尺 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 9DB 25V 2.5a NPN 10 @ 500mA，5V 470MHz〜860MHz -
APT25SM120S Microsemi Corporation APT25SM120 -
RFQ
 ECAD 4017 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 D-3模块 sicfet （碳化硅） D3 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 1200 v 25A（TC） 175mohm @ 10a，20v 2.5V @ 1mA 72 NC @ 20 V - 175W（TC）
MRF4427GR1 Microsemi Corporation MRF4427GR1 -
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） 1.5W 8-so - （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 2,500 20dB 20V 400mA NPN 10 @ 10mA，5v - -
APTGT75SK170D1G Microsemi Corporation APTGT75SK170D1G -
RFQ
 ECAD 2540 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 D1 520 w 标准 D1 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 沟渠场停止 1700 v 120 a 2.4V @ 15V，75a 5 ma 不 6.5 nf @ 25 V
JAN2N6898 Microsemi Corporation 1月2N6898 -
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 MOSFET （金属 o化物） TO-3 - Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5 P通道 100 v 25A（TC） 10V 200mohm @ 15.8a，10v 4V @ 250µA ±20V 3000 pf @ 25 V - 150W（TC）
2N3251AUB Microsemi Corporation 2N3251AUB -
RFQ
 ECAD 7429 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N3251 360兆w UB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60 V 200 MA 10µA（ICBO） PNP 500mv @ 5mA，50mA 100 @ 10mA，1V -
MS2562 Microsemi Corporation MS2562 -
RFQ
 ECAD 2848 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1
MS2840 Microsemi Corporation MS2840 -
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 Microsemi Corporation * 大部分 过时的 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1
APTGF50X60T3G Microsemi Corporation APTGF50X60T3G -
RFQ
 ECAD 9069 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 SP3 250 w 标准 SP3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 三相逆变器 npt 600 v 65 a 2.45V @ 15V，50a 250 µA 是的 2.2 NF @ 25 V
MS1087T Microsemi Corporation MS1087T -
RFQ
 ECAD 4002 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1
2N5578 Microsemi Corporation 2N5578 -
RFQ
 ECAD 7202 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 在sic中停产 - - - - - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - - - - -
A4871T Microsemi Corporation A4871T -
RFQ
 ECAD 5804 0.00000000 Microsemi Corporation * 大部分 过时的 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1
2N6768T1 Microsemi Corporation 2N6768T1 -
RFQ
 ECAD 7160 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA）） 2N6768 MOSFET （金属 o化物） TO-254AA 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 400 v 14A（TA） 10V 400mohm @ 14a，10v 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V - （4W）（150w（ta）（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭