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晶体管（（1315）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | 获得 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 电流 -icm） | （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic | 切换能量 | 门充电 | TD （开/关） @ 25°C | 当前 -收集器截止（最大） | NTC热敏电阻 | （CIES） @ vce | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 | 噪声图（ db typ @ f） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MS1226 | - |  | 1406 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M113 | 80W | M113 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 18db | 36V | 4.5a | NPN | 10 @ 500mA，5V | 30MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8372G | - | | 8510 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 2.2W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 8db〜9.5dB | 16V | 200mA | NPN | 30 @ 50mA，5v | 870MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2216H | - | | 1574年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT13GP120KG | - | | 2922 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMos7® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-3 | APT13GP120 | 标准 | 250 w | TO-220 [K] | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 600V，13A，5OHM，15V | pt | 1200 v | 41 a | 50 a | 3.9V @ 15V，13a | （114µJ）（在165µJ）上脱落） | 55 NC | 9NS/28N | |||||||||||||||||||||||||
 | APT55M50JFLL | - | | 2869 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMos7® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SOT-227-4，迷你布洛克 | MOSFET （金属 o化物） | isotop® | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 550 v | 77A（TC） | 10V | 50mohm @ 38.5a，10v | 5V @ 5mA | 265 NC @ 10 V | ±30V | 12400 PF @ 25 V | - | 694W（TC） | |||||||||||||||||||||||||
| MRF4427R2 | - | | 4640 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 1.5W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 20dB | 20V | 400mA | NPN | 10 @ 10mA，5v | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DSKM70T3G | - | | 2689 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTC60 | MOSFET （金属 o化物） | 250W | SP3 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 600V | 39a | 70mohm @ 39a，10v | 3.9V @ 2.7mA | 259nc @ 10V | 7000pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| MDS140L | - | | 6833 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55AW | 500W | 55AW | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 9.5db | 70V | 12a | NPN | 20 @ 1a，5v | 1.03GHz〜1.09GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| MS1015E | - | | 3022 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANTXV2N5012S | - | | 6078 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/727 | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | 到205AD，TO-39-3 | 1 w | TO-39（（TO-205AD） | - | Rohs不合规 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 700 v | 200 ma | 10NA（ICBO） | NPN | 30 @ 25mA，10v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MS1701 | - | | 4345 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6790 | - | | 3429 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/555 | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | to-205af金属罐 | MOSFET （金属 o化物） | 到39 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | n通道 | 200 v | 3.5A（TC） | 10V | 850MOHM @ 3.5A，10V | 4V @ 250µA | 14.3 NC @ 10 V | ±20V | - | 800MW（TC） | |||||||||||||||||||||||||
| MS1001A | - | | 5444 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2201 | - | | 1574年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M220 | 10W | M220 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 9DB | 45V | 250mA | NPN | 0.95 @ 10mA，5V | 1.025GHZ〜1.15GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| MS2322 | - | | 7607 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | M115 | 87.5W | M115 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 10dB | 65V | 1.5a | NPN | 10 @ 100mA，5V | 1.025GHZ〜1.15GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | APTGF150DU120TG | - | | 4177 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP4 | 961 w | 标准 | SP4 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双重，共同来源 | npt | 1200 v | 200 a | 3.7V @ 15V，150a | 350 µA | 是的 | 10.2 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
| APT30GT60KRG | - | | 5388 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Thunderboltigbt® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-3 | APT30GT60 | 标准 | 250 w | TO-220 [K] | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V，30a，10ohm，15V | npt | 600 v | 64 a | 110 a | 2.5V @ 15V，30a | （525µJ）（在600µJ上） | 145 NC | 12NS/225NS | |||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N2944A | - | | 4202 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/382 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-206AB，TO-46-3金属可以 | 400兆 | TO-46（（TO-206AB） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 10 v | 100 ma | 10µA（ICBO） | PNP | - | 100 @ 1mA，500mv | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50DHM65T3G | - | | 9594 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 8™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP3 | APTM50 | MOSFET （金属 o化物） | 390W | SP3 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 500V | 51a | 78mohm @ 42a，10v | 5V @ 2.5mA | 340NC @ 10V | 10800pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| STA8171 | - | | 8151 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | Rohs不合规 | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2553C | - | | 9328 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M220 | 175W | M220 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 10.5db | 25V | 4a | NPN | 20 @ 500mA，5V | 1.025GHZ〜1.15GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| SD8268-21H | - | | 4953 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2294 | - | | 8146 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1214-32L | - | | 6455 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55AW-1 | 125W | 55AW-1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7.8db〜8.9dB | 50V | 5a | NPN | 20 @ 1a，5v | 1.2GHz〜1.4GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MS1004 | - | | 7883 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M177 | 330W | M177 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 14.5db | 55V | 40a | NPN | 15 @ 10a，6v | 30MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| MS2271 | - | | 2222 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2204 | - | | 6641 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M115 | 600MW | M115 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 10.8db | 20V | 300mA | NPN | 15 @ 100mA，5V | 1.09GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| MSC1015M | - | | 3681 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6768T1 | - | | 5389 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/543 | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA）） | MOSFET （金属 o化物） | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 400 v | 14A（TC） | 10V | 400mohm @ 14a，10v | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | - | （4W）（150w（ta）（TC） | |||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6802 | - | | 3679 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/557 | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | to-205af金属罐 | MOSFET （金属 o化物） | to-205af（39） | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 500 v | 2.5A（TC） | 10V | 1.6OHM @ 2.5A，10V | 4V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±20V | - | 800MW（TA），25W（TC） |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
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