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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
2N3811U	-	RFQ	7940	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-78-6金属罐	2N3811				350MW		TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1																				60V	50mA							10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
61074	-	RFQ	5014	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的													-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
46007T	-	RFQ	9262	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的													-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
JANTX2N7236	-	RFQ	4906	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/595	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））				MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		P通道						100 v	18A（TC）	10V	220MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（125W（ta）（TC）
JANTX2N6802U	-	RFQ	1113	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	18-CLCC				MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						500 v	2.5A（TC）	10V	1.6OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
STN1116	-	RFQ	6342	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的													-	Rohs不合规	不适用		过时的	0000.00.0000	1
66112	-	RFQ	5062	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的													-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
APT6017B2LLG	-	RFQ	3534	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3变体				MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	35A（TC）	10V	170MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 2.5mA	100 nc @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	500W（TC）
APTGT100A170D1G	-	RFQ	7541	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	D1					695 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥																		沟渠场停止	1700 v	200 a		2.4V @ 15V，100a					3 ma	不	8.5 nf @ 25 V
APT25GR120SSCD10	-	RFQ	5487	Microsemi Corporation	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT25GR120	标准			521 w		D3PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1				600V，25a，4.3Ohm，15V															npt	1200 v	75 a	100 a	3.2V @ 15V，25a	（434µJ）（在466 µJ上）	203 NC	16ns/122ns
APTGF90DA60CT1G	-	RFQ	8320	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-		底盘安装	SP1					416 w	标准	SP1	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																		npt	600 v	110 a		2.5V @ 15V，100a					250 µA	是的	4.3 NF @ 25 V
APTM100A12STG	-	RFQ	8310	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP3	APTM100			MOSFET （金属 o化物）	1250W		SP3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）							1000V （1kV）	68a		120mohm @ 34a，10v	5V @ 10mA	616NC @ 10V		17400pf @ 25V	-
Byi-1	-	RFQ	3226	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	55V		线性放大器偏置	螺柱坐骑	55英尺	Byi-1						55英尺	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			700mA																												拜访者
1月2N6758	-	RFQ	1491	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/542	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						200 v	9A（TC）	10V	490MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
APTGV25H120BG	-	RFQ	2599	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-		底盘安装	SP4					156 w	标准	SP4	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	提升斩波器，全桥																		NPT，沟渠场停止	1200 v	40 a		2.1V @ 15V，25a					250 µA	不	1.8 nf @ 25 V
APTC60DAM70T3G	-	RFQ	4479	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP3	APTC60			MOSFET （金属 o化物）	250W		SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）							600V	39a		70mohm @ 39a，10v	3.9V @ 2.7mA	259nc @ 10V		7000pf @ 25V	-
APT23F60	-	RFQ	2307	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT23F60			MOSFET （金属 o化物）			D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	24A（TC）	10V	290MOHM @ 11A，10V	5V @ 1mA	110 NC @ 10 V	±30V	4415 pf @ 25 V	-	415W（TC）
2n6782u	-	RFQ	3623	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	18-CLCC				MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						100 v	3.5A（TC）	10V	600MOHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	8.1 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），15W（tc）
VRF3933MP	-	RFQ	6960	Microsemi Corporation	-	管子	积极的	250 v				M177	VRF3933		30MHz	MOSFET			M177	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1	n通道		20a		250 MA	350W	28DB											-									100 v
APTGT100DA170TG	-	RFQ	5690	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP4					560 w	标准	SP4	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的																		沟渠场停止	1700 v	150 a		2.4V @ 15V，100a					250 µA	是的	9 nf @ 25 V
Byi-1f	-	RFQ	8668	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	55V		线性放大器偏置	螺柱坐骑	55英尺	Byi-1						55英尺	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			700mA																												拜访者
APTGT300SK170D3G	-	RFQ	6108	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	D-3模块					1470 w	标准	D3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的																		沟渠场停止	1700 v	530 a		2.4V @ 15V，300A					8 ma	不	26 NF @ 25 V
APTM120DA56T1G	-	RFQ	3223	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP1				MOSFET （金属 o化物）			SP1	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						1200 v	18A（TC）	10V	672MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	7736 pf @ 25 V	-	390W（TC）
APTGT50A1202G	-	RFQ	7263	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP2					277 w	标准	SP2	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥																		沟渠场停止	1200 v	75 a		2.1V @ 15V，50a					50 µA	不	3.6 NF @ 25 V
APTGF50H60T2G	-	RFQ	3207	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-		底盘安装	SP3					250 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																		npt	600 v	65 a		2.45V @ 15V，50a					250 µA	是的	2.2 NF @ 25 V
JANTXV2N4957	-	RFQ	1848年	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-72-3金属罐					200MW		到72	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1							25DB													30V	30mA										PNP		30 @ 5mA，10v	-	3.5db @ 450MHz
2N7227U	-	RFQ	7513	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-267AB				MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						400 v	14A（TC）	10V	315MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APT130SM70S	-	RFQ	5151	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的													-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
JAN2N222221AUA	15.4945	RFQ	5422	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	4-SMD，没有铅	2N2221				650兆		UA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	800 MA							50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
APTM100DDA35T3G	-	RFQ	8780	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP3	APTM100			MOSFET （金属 o化物）	390W		SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）							1000V （1kV）	22a		420MOHM @ 11a，10v	5V @ 2.5mA	186nc @ 10V		5200pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²