SIC
close

晶体管（（1315）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 噪声图（ db typ @ f）
APTGT50A1202G Microsemi Corporation APTGT50A1202G -
RFQ
 ECAD 7263 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP2 277 w 标准 SP2 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 半桥 沟渠场停止 1200 v 75 a 2.1V @ 15V，50a 50 µA 不 3.6 NF @ 25 V
APTM120DA56T1G Microsemi Corporation APTM120DA56T1G -
RFQ
 ECAD 3223 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP1 MOSFET （金属 o化物） SP1 - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 n通道 1200 v 18A（TC） 10V 672MOHM @ 14A，10V 5V @ 2.5mA 300 NC @ 10 V ±30V 7736 pf @ 25 V - 390W（TC）
2N7227U Microsemi Corporation 2N7227U -
RFQ
 ECAD 7513 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-267AB MOSFET （金属 o化物） TO-267AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 400 v 14A（TC） 10V 315MOHM @ 9A，10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V - （4W）（150w（ta）（TC）
JAN2N2221AUA Microsemi Corporation JAN2N222221AUA 15.4945
RFQ
 ECAD 5422 0.00000000 Microsemi Corporation 军事，MIL-PRF-19500/255 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 4-SMD，没有铅 2N2221 650兆 UA 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 50 V 800 MA 50NA NPN 1V @ 50mA，500mA 40 @ 150mA，10v -
APT130SM70S Microsemi Corporation APT130SM70S -
RFQ
 ECAD 5151 0.00000000 Microsemi Corporation * 大部分 过时的 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1
APTM100DDA35T3G Microsemi Corporation APTM100DDA35T3G -
RFQ
 ECAD 8780 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 390W SP3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 1000V （1kV） 22a 420MOHM @ 11a，10v 5V @ 2.5mA 186nc @ 10V 5200pf @ 25V -
JANTXV2N4957 Microsemi Corporation JANTXV2N4957 -
RFQ
 ECAD 1848年 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 在sic中停产 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-72-3金属罐 200MW 到72 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 25DB 30V 30mA PNP 30 @ 5mA，10v - 3.5db @ 450MHz
SD1309-01H Microsemi Corporation SD1309-01H -
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1
APTGF50TDU120PG Microsemi Corporation APTGF50TDU120PG -
RFQ
 ECAD 7403 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 SP6 312 w 标准 sp6-p 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 三重，双重来源 npt 1200 v 75 a 3.7V @ 15V，50a 250 µA 不 3.45 NF @ 25 V
BFR92ALT1 Microsemi Corporation BFR92ALT1 -
RFQ
 ECAD 3762 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 273MW SOT-23 - （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 - 15V 25mA - 40 @ 14mA，10v 4.5GHz 3DB @ 500MHz
JANTX2N5015 Microsemi Corporation JANTX2N5015 -
RFQ
 ECAD 9950 0.00000000 Microsemi Corporation 军事，MIL-PRF-19500/727 大部分 过时的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 1 w TO-5 - Rohs不合规 不适用 Ear99 8541.29.0095 1 1000 v 200 ma 10NA（ICBO） NPN 30 @ 20mA，10v -
MS2552 Microsemi Corporation MS2552 -
RFQ
 ECAD 5724 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 250°C（TJ） 底盘安装 2NLFL 880W 2NLFL 下载 （1 （无限） 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 6.7dB 65V 24a NPN 15 @ 1A，5V 1.025GHZ〜1.15GHz -
1214-110M Microsemi Corporation 1214-110m -
RFQ
 ECAD 4536 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 200°C（TJ） 底盘安装 55kt 270W 55kt 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 7.4dB 75V 8a NPN - 1.2GHz〜1.4GHz -
2N6798 Microsemi Corporation 2N6798 -
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 to-205af金属罐 MOSFET （金属 o化物） 到39 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 200 v 5.5A（TC） 10V 400MOHM @ 3.5A，10V 4V @ 250µA 5.29 NC @ 10 V ±20V - 800MW（TA），25W（TC）
2N6782U Microsemi Corporation 2n6782u -
RFQ
 ECAD 3623 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 18-CLCC MOSFET （金属 o化物） 18-ulcc （9.14x7.49） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 3.5A（TC） 10V 600MOHM @ 2.25a，10V 4V @ 250µA 8.1 NC @ 10 V ±20V - 800MW（TA），15W（tc）
APT23F60S Microsemi Corporation APT23F60 -
RFQ
 ECAD 2307 0.00000000 Microsemi Corporation Power MOS 8™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA APT23F60 MOSFET （金属 o化物） D3PAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 24A（TC） 10V 290MOHM @ 11A，10V 5V @ 1mA 110 NC @ 10 V ±30V 4415 pf @ 25 V - 415W（TC）
VRF3933MP Microsemi Corporation VRF3933MP -
RFQ
 ECAD 6960 0.00000000 Microsemi Corporation - 管子 积极的 250 v M177 VRF3933 30MHz MOSFET M177 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1 n通道 20a 250 MA 350W 28DB - 100 v
VRF191 Microsemi Corporation VRF191 -
RFQ
 ECAD 1108 0.00000000 Microsemi Corporation - 管子 过时的 270 v T11 30MHz MOSFET T11 下载 （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1 n通道 12a 250 MA 150W 22DB - 100 v
MS2874 Microsemi Corporation MS2874 -
RFQ
 ECAD 3320 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1
APTGT100DA170TG Microsemi Corporation APTGT100DA170TG -
RFQ
 ECAD 5690 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP4 560 w 标准 SP4 - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 沟渠场停止 1700 v 150 a 2.4V @ 15V，100a 250 µA 是的 9 nf @ 25 V
APTGV25H120BG Microsemi Corporation APTGV25H120BG -
RFQ
 ECAD 2599 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 SP4 156 w 标准 SP4 - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 提升斩波器，全桥 NPT，沟渠场停止 1200 v 40 a 2.1V @ 15V，25a 250 µA 不 1.8 nf @ 25 V
MS2254 Microsemi Corporation MS2254 -
RFQ
 ECAD 9136 0.00000000 Microsemi Corporation * 大部分 过时的 - （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 1
APTC60DDAM70T3G Microsemi Corporation APTC60DAM70T3G -
RFQ
 ECAD 4479 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTC60 MOSFET （金属 o化物） 250W SP3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（双） 600V 39a 70mohm @ 39a，10v 3.9V @ 2.7mA 259nc @ 10V 7000pf @ 25V -
APT25GR120SSCD10 Microsemi Corporation APT25GR120SSCD10 -
RFQ
 ECAD 5487 0.00000000 Microsemi Corporation - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA APT25GR120 标准 521 w D3PAK 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V，25a，4.3Ohm，15V npt 1200 v 75 a 100 a 3.2V @ 15V，25a （434µJ）（在466 µJ上） 203 NC 16ns/122ns
APTM100A12STG Microsemi Corporation APTM100A12STG -
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP3 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 1250W SP3 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道（半桥） 1000V （1kV） 68a 120mohm @ 34a，10v 5V @ 10mA 616NC @ 10V 17400pf @ 25V -
APTGF90DA60CT1G Microsemi Corporation APTGF90DA60CT1G -
RFQ
 ECAD 8320 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 SP1 416 w 标准 SP1 - （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 单身的 npt 600 v 110 a 2.5V @ 15V，100a 250 µA 是的 4.3 NF @ 25 V
JAN2N6758 Microsemi Corporation 1月2N6758 -
RFQ
 ECAD 1491 0.00000000 Microsemi Corporation 军事，MIL-PRF-19500/542 大部分 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 MOSFET （金属 o化物） TO-204AA（TO-3） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 200 v 9A（TC） 10V 490MOHM @ 9A，10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V - （4W）（ta），75w（tc）
BYI-1 Microsemi Corporation Byi-1 -
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 55V 线性放大器偏置 螺柱坐骑 55英尺 Byi-1 55英尺 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 700mA 拜访者
APTGT300SK170D3G Microsemi Corporation APTGT300SK170D3G -
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 D-3模块 1470 w 标准 D3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 沟渠场停止 1700 v 530 a 2.4V @ 15V，300A 8 ma 不 26 NF @ 25 V
BYI-1F Microsemi Corporation Byi-1f -
RFQ
 ECAD 8668 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 55V 线性放大器偏置 螺柱坐骑 55英尺 Byi-1 55英尺 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 700mA 拜访者
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0个项目）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭