RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
APT31N60BCSG	-	RFQ	2826	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	31a（TC）	10V	100mohm @ 18a，10v	3.9V @ 1.2mA	85 NC @ 10 V	±30V	3055 pf @ 25 V	-	255W（TC）
61074	-	RFQ	5014	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的												-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
46007T	-	RFQ	9262	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的												-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
APT30GT60KRG	-	RFQ	5388	Microsemi Corporation	Thunderboltigbt®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	APT30GT60	标准			250 w		TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50				400V，30a，10ohm，15V															npt	600 v	64 a	110 a	2.5V @ 15V，30a	（525µJ）（在600µJ上）	145 NC	12NS/225NS
APTGF165SK60D1G	-	RFQ	9864	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	底盘安装	D1					730 w	标准	D1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的																		npt	600 v	230 a		2.5V @ 15V，200a					500 µA	不	9 nf @ 25 V
JANTX2N5012S	-	RFQ	3506	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/727	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	不适用		Ear99	8541.29.0095	1																				700 v	200 ma							10NA（ICBO）			NPN		30 @ 25mA，10V	-
MS2294	-	RFQ	8146	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的												-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APT18M80S	-	RFQ	1610	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	APT18M80			MOSFET （金属 o化物）			D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						800 v	19a（tc）	10V	530MOHM @ 9A，10V	5V @ 1mA	120 NC @ 10 V	±30V	3760 pf @ 25 V	-	500W（TC）
APT70SM70J	-	RFQ	5853	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克				sicfet （碳化硅）			SOT-227	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						700 v	49A（TC）	20V	70mohm @ 32.5a，20v	2.5V @ 1mA	125 NC @ 20 V	+25V，-10V		-	165W（TC）
75112	-	RFQ	3729	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的												-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APT7F80K	-	RFQ	7719	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						800 v	7A（TC）	10V	1.5OHM @ 4A，10V	5V @ 500µA	43 NC @ 10 V	±30V	1335 PF @ 25 V	-	225W（TC）
APTGF50H60T2G	-	RFQ	3207	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	底盘安装	SP3					250 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																		npt	600 v	65 a		2.45V @ 15V，50a					250 µA	是的	2.2 NF @ 25 V
JANTXV2N7225	-	RFQ	1483	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））				MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						200 v	27.4A（TC）	10V	105mohm @ 27.4a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTM120DA56T1G	-	RFQ	3223	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1				MOSFET （金属 o化物）			SP1	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道						1200 v	18A（TC）	10V	672MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	7736 pf @ 25 V	-	390W（TC）
2N7227U	-	RFQ	7513	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB				MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						400 v	14A（TC）	10V	315MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JAN2N222221AUA	15.4945	RFQ	5422	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2221				650兆		UA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	800 MA							50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
APT130SM70S	-	RFQ	5151	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的												-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTM100DDA35T3G	-	RFQ	8780	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTM100			MOSFET （金属 o化物）	390W		SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）							1000V （1kV）	22a		420MOHM @ 11a，10v	5V @ 2.5mA	186nc @ 10V		5200pf @ 25V	-
JANTXV2N4957	-	RFQ	1848年	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-72-3金属罐					200MW		到72	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1							25DB													30V	30mA										PNP		30 @ 5mA，10v	-	3.5db @ 450MHz
SD1309-01H	-	RFQ	5726	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的												-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTGF50TDU120PG	-	RFQ	7403	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	底盘安装	SP6					312 w	标准	sp6-p	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	三重，双重来源																		npt	1200 v	75 a		3.7V @ 15V，50a					250 µA	不	3.45 NF @ 25 V
MS2552	-	RFQ	5724	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		250°C（TJ）	底盘安装	2NLFL					880W		2NLFL	下载		（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	1							6.7dB													65V	24a										NPN		15 @ 1A，5V	1.025GHZ〜1.15GHz	-
1214-110m	-	RFQ	4536	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘安装	55kt					270W		55kt	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1							7.4dB													75V	8a										NPN		-	1.2GHz〜1.4GHz	-
2N6798	-	RFQ	6311	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐				MOSFET （金属 o化物）			到39	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						200 v	5.5A（TC）	10V	400MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	5.29 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
2n6782u	-	RFQ	3623	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC				MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						100 v	3.5A（TC）	10V	600MOHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	8.1 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），15W（tc）
APT23F60	-	RFQ	2307	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT23F60			MOSFET （金属 o化物）			D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道						600 v	24A（TC）	10V	290MOHM @ 11A，10V	5V @ 1mA	110 NC @ 10 V	±30V	4415 pf @ 25 V	-	415W（TC）
VRF3933MP	-	RFQ	6960	Microsemi Corporation	-	管子	积极的	250 v			M177	VRF3933		30MHz	MOSFET			M177	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1	n通道		20a		250 MA	350W	28DB											-									100 v
VRF191	-	RFQ	1108	Microsemi Corporation	-	管子	过时的	270 v			T11			30MHz	MOSFET			T11	下载		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1	n通道		12a		250 MA	150W	22DB											-									100 v
MS2874	-	RFQ	3320	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的												-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTGT100DA170TG	-	RFQ	5690	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4					560 w	标准	SP4	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的																		沟渠场停止	1700 v	150 a		2.4V @ 15V，100a					250 µA	是的	9 nf @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²