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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
APTGT100DA120D1G	-	RFQ	3012	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	D1				520 w	标准	D1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	1200 v	150 a		2.1V @ 15V，100a				3 ma	不	7 nf @ 25 V
APTM20DHM08G	-	RFQ	8885	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP6	APTM20		MOSFET （金属 o化物）	781W		SP6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				200V	208a		10mohm @ 104a，10v	5V @ 5mA	280NC @ 10V		14400pf @ 25V	-
APT130SM70J	-	RFQ	8699	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			sicfet （碳化硅）			SOT-227（ISOTOP®）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			700 v	78A（TC）	20V	45mohm @ 60a，20v	2.4V @ 1mA	270 NC @ 20 V	+25V，-10V	3950 PF @ 700 V	-	273W（TC）
2N6760	-	RFQ	7171	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）			to-204aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			400 v	5.5A（TC）	10V	1.22OHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
APTML60U12R020T1AG	-	RFQ	9180	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP1			MOSFET （金属 o化物）			SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			600 v	45A（TC）	10V	150MOHM @ 22.5A，10V	4V @ 2.5mA		±30V	7600 PF @ 25 V	-	568W（TC）
JAN2N6782U	-	RFQ	6892	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/556	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	3.5A（TC）	10V	610MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	8.1 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），15W（tc）
JANTXV2N6782	-	RFQ	5670	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/556	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	3.5A（TC）	10V	610MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	8.1 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），15W（tc）
JAN2N7227	-	RFQ	7593	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））			MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			400 v	14A（TC）	10V	415MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JANTX2N6800U	-	RFQ	8986	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			400 v	3A（TC）	10V	1.1OHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	34.75 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
JANTXV2N6768T1	-	RFQ	5389	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））			MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			400 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JANTX2N6766	-	RFQ	8229	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			200 v	30A（TC）	10V	90MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JANTXV2N6760	-	RFQ	5781	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/542	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			400 v	5.5A（TC）	10V	1.22OHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
JANTXV2N6796U	-	RFQ	7866	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	8A（TC）	10V	195mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	28.51 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
JAN2N6788U	-	RFQ	8834	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道			100 v	4.5A（TC）	10V	350MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
JANTXV2N6766	-	RFQ	6051	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			200 v	30A（TC）	10V	90MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JANTXV2N6790U	-	RFQ	4063	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道			200 v	2.8A（TC）	10V	850MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
APT15GN120kg	-	RFQ	6344	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	APT15GN120	标准		195 w		TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30				800V，15a，4.3Ohm，15V											沟渠场停止	1200 v	45 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	（410µJ）（在），950µJ（OFF）上）	90 nc	10NS/150NS
Jan2n1016b	-	RFQ	3727	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/102	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）				2N1016			150 w		到82	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																100 v	7.5 a						1ma			NPN	2.5V @ 1a，5a	20 @ 2a，4V	-
APTC90SKM60T1G	-	RFQ	8284	Microsemi Corporation	coolmos™	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP1			MOSFET （金属 o化物）			SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	100		n通道			900 v	59A（TC）	10V	60mohm @ 52a，10v	3.5V @ 6mA	540 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 100 V	-	462W（TC）
2N6798U	-	RFQ	5073	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			200 v	5.5A（TC）	10V	400MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	5.29 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
APTCV90TL12T3G	-	RFQ	2688	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）		底盘安装	SP3				280 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	三级逆变器-igbt，fet														沟渠场停止	1200 v	80 a		2.2V @ 15V，50a				1 MA	是的	2.77 NF @ 25 V
APT20GF120BRG	-	RFQ	9712	Microsemi Corporation	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	APT20GF120	标准		200 w		TO-247 [B]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30				-											npt	1200 v	32 a	64 a	3.2V @ 15V，15a	2.7MJ	95 NC	17NS/105NS
Byi-1t	-	RFQ	1780年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	55V		线性放大器偏置	螺柱坐骑	55英尺	Byi-1					55英尺	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			700mA																							拜访者
JAN2N6800U	-	RFQ	6695	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			400 v	3A（TC）	10V	1.1OHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	34.75 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
APTGT20DSK60T3G	-	RFQ	3148	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）		底盘安装	SP3				62 W	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	双重斩波器														沟渠场停止	600 v	32 a		1.9V @ 15V，20A				250 µA	是的	1.1 NF @ 25 V
JANTX2N6770	-	RFQ	2908	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			500 v	12A（TC）	10V	500mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTGT150DU170G	-	RFQ	6379	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP6				890 w	标准	SP6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	双重，共同来源														沟渠场停止	1700 v	250 a		2.4V @ 15V，150a				350 µA	不	13.5 nf @ 25 V
APTGT50DA170T1G	-	RFQ	1592年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP1				312 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	1700 v	75 a		2.4V @ 15V，50a				250 µA	是的	4.4 NF @ 25 V
APTM50A15FT1G	-	RFQ	2945	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP1	APTM50		MOSFET （金属 o化物）	208W		SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）				500V	25a		180mohm @ 21a，10v	5V @ 1mA	170NC @ 10V		5448pf @ 25V	-
APTGT200SK120D3G	-	RFQ	3491	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	D-3模块				1050 w	标准	D3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	1200 v	300 a		2.1V @ 15V，200a				6 ma	不	14 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²