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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
2N3866	-	RFQ	4175	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3					1 w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																			30 V	400 MA							20µA			NPN	1V @ 10mA，100mA	15 @ 50mA，5V	-
APTGF25DDA120T3G	-	RFQ	4581	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-		底盘安装	SP3					208 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	双提升斩波器																	npt	1200 v	40 a		3.7V @ 15V，25a					250 µA	是的	1.65 NF @ 25 V
SD1224-02	-	RFQ	6463	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		200°C（TJ）		底盘安装	M113	SD122				60W		M113	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1						7.6dB													35V	5a										NPN		20 @ 500mA，5V	175MHz	-
2N6784U	-	RFQ	9081	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	18-CLCC				MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	2.25A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，0V	4V @ 250µA	8.6 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），15W（tc）
MS2228	-	RFQ	7770	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		200°C（TJ）		底盘安装	M214					175W		M214	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1						9DB													65V	5.4a										NPN		10 @ 1A，5V	1.03GHz〜1.09GHz	-
APTM60A23FT1G	-	RFQ	3901	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP1	APTM60			MOSFET （金属 o化物）	208W		SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）						600V	20a		276mohm @ 17a，10v	5V @ 1mA	165nc @ 10V		5316pf @ 25V	-
APTGF90DH60T3G	-	RFQ	2047	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-		底盘安装	SP3					416 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥																	npt	600 v	110 a		2.5V @ 15V，100a					250 µA	是的	4.3 NF @ 25 V
aptm100u13sg	-	RFQ	6195	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	J3模块				MOSFET （金属 o化物）			模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1000 v	65A（TC）	10V	145mohm @ 32.5a，10v	4V @ 10mA	2000 NC @ 10 V	±30V	31600 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
2N6768T1	-	RFQ	7160	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	2N6768			MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					400 v	14A（TA）	10V	400mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTGL60DSK120T3G	-	RFQ	8130	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）		底盘安装	SP3					280 w	标准	SP3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	双重斩波器																	沟渠场停止	1200 v	80 a		2.25V @ 15V，50a					250 µA	是的	2.77 NF @ 25 V
APT130SM70J	-	RFQ	8699	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克				sicfet （碳化硅）			SOT-227（ISOTOP®）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					700 v	78A（TC）	20V	45mohm @ 60a，20v	2.4V @ 1mA	270 NC @ 20 V	+25V，-10V	3950 PF @ 700 V	-	273W（TC）
JANTXV2N6782	-	RFQ	5670	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/556	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	to-205af金属罐				MOSFET （金属 o化物）			to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	3.5A（TC）	10V	610MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	8.1 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），15W（tc）
JANTX2N6766	-	RFQ	8229	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-204AE				MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	30A（TC）	10V	90MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JAN2N6788U	-	RFQ	8834	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	18-CLCC				MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道					100 v	4.5A（TC）	10V	350MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
JANTXV2N6766	-	RFQ	6051	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-204AE				MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	30A（TC）	10V	90MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APT20GF120BRG	-	RFQ	9712	Microsemi Corporation	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	APT20GF120	标准			200 w		TO-247 [B]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30				-														npt	1200 v	32 a	64 a	3.2V @ 15V，15a	2.7MJ	95 NC	17NS/105NS
Byi-1t	-	RFQ	1780年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	55V		线性放大器偏置	螺柱坐骑	55英尺	Byi-1						55英尺	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			700mA																											拜访者
APTGT20DSK60T3G	-	RFQ	3148	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）		底盘安装	SP3					62 W	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	双重斩波器																	沟渠场停止	600 v	32 a		1.9V @ 15V，20A					250 µA	是的	1.1 NF @ 25 V
APTGT50DA170T1G	-	RFQ	1592年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP1					312 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	1700 v	75 a		2.4V @ 15V，50a					250 µA	是的	4.4 NF @ 25 V
APTGT200SK120D3G	-	RFQ	3491	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	D-3模块					1050 w	标准	D3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	1200 v	300 a		2.1V @ 15V，200a					6 ma	不	14 NF @ 25 V
JANSR2N7269U	-	RFQ	6840	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/603	托盘	过时的		-55°C〜150°C		表面安装	3-SMD，没有铅				MOSFET （金属 o化物）			U1（SMD-1）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	26a（TC）	12V	110mohm @ 26a，12v	4V @ 1mA	170 NC @ 12 V	±20V		-	150W（TC）
APT20GF120BRDQ1G	-	RFQ	5988	Microsemi Corporation	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	APT20GF120	标准			200 w		TO-247 [B]	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30				800V，15a，4.3Ohm，15V														npt	1200 v	36 a	64 a	3.2V @ 15V，15a	（895µJ）（在），840µJ降低）	100 NC	10N/120NS
APTGV30H60T3G	-	RFQ	7693	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP3					90 W	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																	NPT，沟渠场停止	600 v	50 a		1.9V @ 15V，30a					250 µA	是的	1.6 nf @ 25 V
ARF448BG	-	RFQ	1071	Microsemi Corporation	-	管子	过时的	450 v				TO-247-3	ARF448		40.68MHz	MOSFET			TO-247	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		15a		140W	15DB											-									150 v
JANTX2N6901	-	RFQ	9871	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/570	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	to-205af金属罐				MOSFET （金属 o化物）			to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	1.69a（TC）	5V	1.4OHM @ 1.07A，5V	2V @ 1mA	5 nc @ 5 V	±10V		-	8.33W（TC）
JANTX2N6796	-	RFQ	9801	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3				MOSFET （金属 o化物）			to-205af（39）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	8A（TC）	10V	195mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	28.51 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
JANTX2N6802U	-	RFQ	1113	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	18-CLCC				MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	2.5A（TC）	10V	1.6OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
STN1116	-	RFQ	6342	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的													-	Rohs不合规	不适用		过时的	0000.00.0000	1
APTGF90DA60CT1G	-	RFQ	8320	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-		底盘安装	SP1					416 w	标准	SP1	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	npt	600 v	110 a		2.5V @ 15V，100a					250 µA	是的	4.3 NF @ 25 V
APT23F60	-	RFQ	2307	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT23F60			MOSFET （金属 o化物）			d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	24A（TC）	10V	290MOHM @ 11A，10V	5V @ 1mA	110 NC @ 10 V	±30V	4415 pf @ 25 V	-	415W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²