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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 测试条件 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 电压 -故障( v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce | 电阻-RDS((在) | 晶体管类型 |
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![]() | APTGF200SK120D3G | - | ![]() | 5393 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | D-3模块 | 1400 w | 标准 | D3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 1200 v | 300 a | 3.7V @ 15V,200a | 5 ma | 不 | 13 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
APTGF300A120D3G | - | ![]() | 7312 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | D-3模块 | 2100 w | 标准 | D3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | npt | 1200 v | 420 a | 3.7V @ 15V,300A | 5 ma | 不 | 19 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF300SK120D3G | - | ![]() | 1307 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | D-3模块 | 2100 w | 标准 | D3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 1200 v | 420 a | 3.7V @ 15V,300A | 5 ma | 不 | 19 nf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF30X60T3G | - | ![]() | 7658 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP3 | 140 w | 标准 | SP3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | npt | 600 v | 42 a | 2.45V @ 15V,30a | 250 µA | 是的 | 1.35 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF360U60D4G | - | ![]() | 2082 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | D4 | 1560 w | 标准 | D4 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 600 v | 450 a | 2.45V @ 15V,360a | 500 µA | 不 | 17 nf @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF50DA120TG | - | ![]() | 9596 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP4 | 312 w | 标准 | SP4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 1200 v | 75 a | 3.7V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 3.45 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF50DU120TG | - | ![]() | 5314 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP4 | 312 w | 标准 | SP4 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双重,共同来源 | npt | 1200 v | 75 a | 3.7V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 3.45 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF75DA60D1G | - | ![]() | 7632 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | D1 | 355 w | 标准 | D1 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 600 v | 100 a | 2.45V @ 15V,75a | 500 µA | 不 | 3.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
APTGF90DU60TG | - | ![]() | 5452 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP4 | 416 w | 标准 | SP4 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双重,共同来源 | npt | 600 v | 110 a | 2.5V @ 15V,90a | 250 µA | 是的 | 4.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGF90SK60T1G | - | ![]() | 8269 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP1 | 416 w | 标准 | SP1 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 600 v | 110 a | 2.5V @ 15V,90a | 250 µA | 是的 | 4.3 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100A60TG | - | ![]() | 9684 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP4 | 340 w | 标准 | SP4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 600 v | 150 a | 1.9V @ 15V,100a | 250 µA | 是的 | 6.1 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150DA170G | - | ![]() | 4405 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP6 | 890 w | 标准 | SP6 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1700 v | 250 a | 2.4V @ 15V,150a | 350 µA | 不 | 13.5 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT150SK120TG | - | ![]() | 3934 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP4 | 690 w | 标准 | SP4 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 220 a | 2.1V @ 15V,150a | 350 µA | 是的 | 10.7 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT200A60TG | - | ![]() | 8698 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP4 | 625 w | 标准 | SP4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 600 v | 290 a | 1.9V @ 15V,200a | 250 µA | 是的 | 12.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT200DA60TG | - | ![]() | 8087 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP4 | 625 w | 标准 | SP4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 600 v | 290 a | 1.9V @ 15V,200a | 250 µA | 是的 | 12.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT200SK170D3G | - | ![]() | 2332 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | D-3模块 | 1250 w | 标准 | D3 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1700 v | 400 a | 2.4V @ 15V,200a | 5 ma | 不 | 17 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT25A120T1G | - | ![]() | 9309 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP1 | 156 w | 标准 | SP1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 40 a | 2.1V @ 15V,25a | 250 µA | 是的 | 1.8 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT30DA60T3G | - | ![]() | 8420 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP3 | 90 W | 标准 | SP3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双提升斩波器 | 沟渠场停止 | 600 v | 50 a | 1.9V @ 15V,30a | 250 µA | 是的 | 1.6 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT400DA120D3G | - | ![]() | 7056 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | D-3模块 | 2100 w | 标准 | D3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 580 a | 2.1V @ 15V,400A | 750 µA | 不 | 29 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50A120TG | - | ![]() | 7737 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP4 | 277 w | 标准 | SP4 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 75 a | 2.1V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 3.6 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50DA170TG | - | ![]() | 9174 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP4 | 312 w | 标准 | SP4 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1700 v | 75 a | 2.4V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 4.4 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50DU170TG | - | ![]() | 6803 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP4 | 312 w | 标准 | SP4 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双重,共同来源 | 沟渠场停止 | 1700 v | 75 a | 2.4V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 4.4 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT50TA170PG | - | ![]() | 1668年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP6 | 310 w | 标准 | sp6-p | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三期 | 沟渠场停止 | 1700 v | 70 a | 2.4V @ 15V,50a | 250 µA | 不 | 4.4 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTMC120HR11CT3G | - | ![]() | 6426 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 1200V(1.2kV) | 通用目的 | 底盘安装 | SP3 | APTMC120 | SP3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 26a | 2 n通道(相位腿 +双重公(共) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N4092UB | 123.8600 | ![]() | 101 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事,MIL-PRF-19500/431 | 大部分 | 积极的 | - | 表面安装 | 4-SMD,没有铅 | 2N4092 | 360兆w | 4-SMD | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | n通道 | 40 V | 16pf @ 20V | 40 V | 15 ma @ 20 V | 50欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
APT75GN60B2DQ3G | - | ![]() | 9775 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | APT75GN60 | 标准 | 536 w | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,75a,1ohm,15V | - | 600 v | 155 a | 225 a | 1.85V @ 15V,75a | (2500µJ)(在2140µJ上) | 485 NC | 47NS/385NS | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT13GP120KG | - | ![]() | 2922 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMos7® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | APT13GP120 | 标准 | 250 w | TO-220 [K] | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 600V,13A,5OHM,15V | pt | 1200 v | 41 a | 50 a | 3.9V @ 15V,13a | (114µJ)(在165µJ)上脱落) | 55 NC | 9NS/28N | ||||||||||||||||||||||||||
APTGF50VDA120T3G | - | ![]() | 8344 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP3 | 312 w | 标准 | SP3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双提升斩波器 | npt | 1200 v | 70 a | 3.7V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 3.45 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
APTGL180A1202G | - | ![]() | 3146 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP2 | APTGL180 | 750 w | 标准 | SP2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 220 a | 2.2V @ 15V,150a | 300 µA | 不 | 9.3 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT25SM120B | - | ![]() | 3461 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | sicfet (碳化硅) | TO-247 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 1200 v | 25A(TC) | 20V | 175mohm @ 10a,20v | 2.5V @ 1mA | 72 NC @ 20 V | +25V,-10V | - | 175W(TC) |
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