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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
APT12057JLL	-	RFQ	2549	Microsemi Corporation	PowerMos7®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT12057		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			1200 v	19a（tc）	10V	570MOHM @ 10A，10V	5V @ 2.5mA	290 NC @ 10 V	±30V	6200 PF @ 25 V	-	520W（TC）
1214-55p	-	RFQ	7748	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的				-						-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
78124	-	RFQ	3407	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的				-						-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTGV50H60BG	-	RFQ	2293	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP4				176 w	标准	SP4	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	提升斩波器，全桥														NPT，沟渠场停止	600 v	80 a		1.9V @ 15V，50a				250 µA	不	3.15 NF @ 25 V
APT1204R7KFLLG	-	RFQ	5351	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			1200 v	3.5A（TC）	10V	4.7ohm @ 1.75a，10V	5V @ 1mA	31 NC @ 10 V	±30V	715 PF @ 25 V	-	135W（TC）
APT80SM120S	-	RFQ	4284	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			sicfet （碳化硅）			D3PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			1200 v	80A（TC）	20V	55mohm @ 40a，20v	2.5V @ 1mA	235 NC @ 20 V	+25V，-10V		-	625W（TC）
2N6901	-	RFQ	1597年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	1.69a（TC）	5V	2.6ohm @ 1.07a，5V	2V @ 1mA	1 NC @ 5 V	±10V		-	8.33W（TC）
APTGT150A170D1G	-	RFQ	8558	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-	底盘安装	D1				780 w	标准	D1	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥														沟渠场停止	1700 v	280 a		2.4V @ 15V，150a				4 mA	不	13 nf @ 25 V
APT15GP60BDLG	-	RFQ	1687年	Microsemi Corporation	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT15GP60	标准		250 w		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			400V，15A，5OHM，15V												pt	600 v	56 a	65 a	2.7V @ 15V，15a	130µJ（在）上，121µJ（121µJ）	55 NC	8NS/29NS
APT17N80BC3G	-	RFQ	9033	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道			800 v	17a（TC）	10V	290MOHM @ 11A，10V	3.9V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	208W（TC）
APTGF250A60D3G	-	RFQ	8252	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	D-3模块				1250 w	标准	D3	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥														npt	600 v	400 a		2.45V @ 15V，300A				500 µA	不	13 nf @ 25 V
MRF559	-	RFQ	2633	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	表面安装	宏观x				2W		宏观x	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1,000				9.5db												16V	150mA									NPN	30 @ 50mA，10v	870MHz	-
APTJC120AM13VCT1AG	-	RFQ	1840年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	模块	APTJC120		-	-		模块	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	7	-				-	-		-	-	-		-	-
1214-150L	-	RFQ	6228	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	55st-1				320W		55st-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1				7.15db〜8.7dB												65V	15a									NPN	20 @ 1a，5v	1.2GHz〜1.4GHz	-
JAN2N7334	-	RFQ	7192	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/597	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N733		MOSFET （金属 o化物）	1.4W		MO-036AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4 n通道				100V	1a		700MOHM @ 600mA，10V	4V @ 250µA	60nc @ 10V		-	-
JANTXV2N6790	-	RFQ	7839	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道			200 v	3.5A（TC）	10V	850MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
APTM100H80FT1G	-	RFQ	9861	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTM100		MOSFET （金属 o化物）	208W		SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）				1000V （1kV）	11a		960MOHM @ 9A，10V	5V @ 1mA	150nc @ 10V		3876pf @ 25V	-
2N6790	-	RFQ	6717	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道			200 v	3.5A（TC）	10V	800MOHM @ 2.25A，10V	4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
1月2N6796	-	RFQ	9131	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			到39	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	8A（TC）	10V	195mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	28.51 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
APTGF30A60T1G	-	RFQ	2272	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1				140 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥														npt	600 v	42 a		2.45V @ 15V，30a				250 µA	是的	1.35 NF @ 25 V
APTGF75DH120TG	-	RFQ	5611	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP4				500 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥														npt	1200 v	100 a		3.7V @ 15V，75a				250 µA	是的	5.1 NF @ 25 V
APTC60DSKM45CT1G	-	RFQ	1308	Microsemi Corporation	coolmos™	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC60		MOSFET （金属 o化物）	250W		SP1	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				600V	49a		45MOHM @ 24.5A，10V	3.9V @ 3mA	150nc @ 10V		7200pf @ 25V	超交界处
APT5012JN	-	RFQ	2325	Microsemi Corporation	PowerMosiv®	托盘	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			500 v	43A（TC）	10V	120MOHM @ 21.5A，10V	4V @ 2.5mA	370 NC @ 10 V	±30V	6500 PF @ 25 V	-	520W（TC）
2N6764	-	RFQ	3116	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	38A（TC）	10V	65mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTGT150A1202G	-	RFQ	7537	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP2				690 w	标准	SP2	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥														沟渠场停止	1200 v	220 a		2.1V @ 15V，150a				50 µA	不	10.7 NF @ 25 V
APTM10DHM09TG	-	RFQ	3898	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM10		MOSFET （金属 o化物）	390W		SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				100V	139a		10mohm @ 69.5a，10v	4V @ 2.5mA	350NC @ 10V		9875pf @ 25V	-
2N6800U	-	RFQ	9002	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			400 v	3A（TC）	10V	1欧姆 @ 2A，10V	4V @ 250µA	5.75 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
2N7334	-	RFQ	7989	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N733		MOSFET （金属 o化物）	1.4W		MO-036AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4 n通道				100V	1a		700MOHM @ 600mA，10V	4V @ 250µA	60nc @ 10V		-	-
APTM100DA40T1G	-	RFQ	9513	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1			MOSFET （金属 o化物）			SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			1000 v	20A（TC）	10V	480MOHM @ 16A，10V	5V @ 2.5mA	260 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	357W（TC）
JANTX2N6798U	-	RFQ	3304	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			200 v	5.5A（TC）	10V	420MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	42.07 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²