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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
APTGT25SK120D1G	-	RFQ	7342	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-	底盘安装	D1				140 w	标准	D1	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	1200 v	40 a	2.1V @ 15V，25a		5 ma	不	1.8 nf @ 25 V
APTGT100SK60TG	-	RFQ	7067	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP4				340 w	标准	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	600 v	150 a	1.9V @ 15V，100a		250 µA	是的	6.1 NF @ 25 V
APT6030亿	-	RFQ	8188	Microsemi Corporation	PowerMosiv®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	23A（TC）	10V	300MOHM @ 11.5A，10V	4V @ 1mA	210 NC @ 10 V	±30V	3500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
2N4957UB	-	RFQ	4013	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4957			200MW		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1						25DB													30V	30mA						PNP		30 @ 5mA，10v	-	3.5db @ 450MHz
JANTX2N5014S	-	RFQ	5757	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/727	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	不适用		Ear99	8541.29.0095	1																			900 v	200 ma			10NA（ICBO）			NPN		30 @ 20mA，10v	-
VRF191MP	-	RFQ	4540	Microsemi Corporation	-	管子	过时的				-		-	-			-	-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1	-		-		-	-											-
SD8253-02H	-	RFQ	6107	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的											-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
JANTX2N6249T1	-	RFQ	9353	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/510	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	2N6249			6 W		TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																			200 v	10 a			1ma			NPN	1.5V @ 1a，10a	10 @ 10a，3v	-
0910-60m	-	RFQ	7789	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘安装	55AW				180W		55AW	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1						8db〜8.5dB													65V	8a						NPN		-	890MHz〜1GHz	-
APT60M80JVR	-	RFQ	1271	Microsemi Corporation	PowerMosv®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	55A（TC）	10V	80Mohm @ 500mA，10V	4V @ 5mA	870 NC @ 10 V	±30V	14500 PF @ 25 V	-	568W（TC）
2N5031	-	RFQ	4591	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以				200MW		到72	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1						12db @ 400MHz													10V	20mA						NPN		25 @ 1mA，6v	400MHz	-
74060H	-	RFQ	2961	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的											-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APT36N90BC3G	-	RFQ	8346	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					900 v	36a（TC）	10V	120MOHM @ 18A，10V	3.5V @ 2.9mA	252 NC @ 10 V	±20V	7463 PF @ 25 V	-	390W（TC）
APTM20SKM10TG	-	RFQ	8888	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4			MOSFET （金属 o化物）			SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	175a（TC）	10V	12MOHM @ 87.5A，10V	5V @ 5mA	224 NC @ 10 V	±30V	13700 PF @ 25 V	-	694W（TC）
75109a	-	RFQ	8396	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的											-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
2N5013	-	RFQ	4009	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5	-		不适用		Ear99	8541.29.0095	1																			800 v	200 ma			10NA（ICBO）			NPN		30 @ 20mA，10v	-
JANTX2N6250T1	-	RFQ	7774	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/510	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	2N6250			6 W		TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																			275 v	10 a			1ma			NPN	1.5V @ 1.25a，10a	8 @ 10a，3v	-
MRF4427G	-	RFQ	6511	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				1.5W		8-so	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	2,500						20dB													20V	400mA						NPN		10 @ 10mA，5v	-	-
JANTXV2N6770	-	RFQ	8496	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）			TO-204AE（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	12A（TC）	10V	500mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTGT100SK170D1G	-	RFQ	2745	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1				695 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	1700 v	200 a	2.4V @ 15V，100a		3 ma	不	8.5 nf @ 25 V
APTGT200SK120D3G	-	RFQ	3491	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D-3模块				1050 w	标准	D3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	1200 v	300 a	2.1V @ 15V，200a		6 ma	不	14 NF @ 25 V
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APTM120DA68T1G	-	RFQ	3214	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1			MOSFET （金属 o化物）			SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					1200 v	15A（TC）	10V	816MOHM @ 12A，10V	5V @ 2.5mA	260 NC @ 10 V	±30V	6696 pf @ 25 V	-	357W（TC）
APTM100VDA35T3G	-	RFQ	7617	Microsemi Corporation	PowerMos7®	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTM100		MOSFET （金属 o化物）	390W		SP3	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						1000V （1kV）	22a		420MOHM @ 11a，10v	5V @ 2.5mA	186nc @ 10V		5200pf @ 25V	-
ARF473	-	RFQ	1017	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	500 v			-		130MHz	MOSFET			-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	1	2 n 通道（双）公共来源		10a	150 ma	300W	14dB											-					135 v
APTGF330DA60D3G	-	RFQ	9427	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D-3模块				1400 w	标准	D3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	npt	600 v	460 a	2.5V @ 15V，400A		750 µA	不	18 nf @ 25 V
JAN2N6788U	-	RFQ	8834	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道					100 v	4.5A（TC）	10V	350MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
JANTX2N6766	-	RFQ	8229	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	30A（TC）	10V	90MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JANTXV2N6766	-	RFQ	6051	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	30A（TC）	10V	90MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JANTXV2N6782	-	RFQ	5670	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/556	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	3.5A（TC）	10V	610MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	8.1 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），15W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²