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晶体管（（1315）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （amp） | 功率 -输出 | 获得 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | 噪音图 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic | 当前 -收集器截止（最大） | NTC热敏电阻 | （CIES） @ vce | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 | 噪声图（ db typ @ f） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF5812GR2 | - |  | 2812 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MRF5812 | 1.25W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 13db〜15.5dB | 15V | 200mA | NPN | 50 @ 50mA，5V | 5GHz | 2DB〜3DB @ 500MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | 68106H | - | | 6583 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ARF443 | - | | 9163 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 管子 | 过时的 | TO-247-3 | - | - | TO-247AD | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 61044 | - | | 1299 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT14050JVFR | - | | 3606 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMosv® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SOT-227-4，迷你布洛克 | MOSFET （金属 o化物） | isotop® | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 1400 v | 23A（TC） | 10V | 500MOHM @ 11.5A，10V | 4V @ 5mA | 820 NC @ 10 V | ±30V | 13500 PF @ 25 V | - | 694W（TC） | |||||||||||||||||||||||
| tan350 | - | | 1709年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 230°C（TJ） | 底盘安装 | 第55 | 1450W | 第55 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 7db〜7.5dB | 65V | 40a | NPN | 10 @ 1A，5V | 960MHz〜1.215GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | JAN2N3960 | - | | 2969 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/399 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-206AA，TO-18-3 | 2N3960 | 400兆 | TO-18（（TO-206AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 12 v | 10µA（ICBO） | NPN | 300mv @ 3mA，30mA | 60 @ 10mA，1V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| MRF4427G | - | | 6511 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 1.5W | 8-so | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 20dB | 20V | 400mA | NPN | 10 @ 10mA，5v | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| SD1332-05C | - | | 8837 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C | 表面安装 | M150 | 180W | M150 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 17dB | 15V | 30a | NPN | 50 @ 14mA，10v | 5.5GHz | 2.5db @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| SD1372-06H | - | | 6727 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N5012 | - | | 9587 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-205AA，TO-5-3金属可以 | 1 w | TO-5 | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 700 v | 200 ma | 10NA（ICBO） | NPN | 30 @ 25mA，10v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| MPA201 | - | | 3130 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55au | 6W | 55au | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 13DB | 22V | 300mA | NPN | 20 @ 100mA，5V | 2GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
| TCS800 | - | | 3058 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 230°C（TJ） | 底盘安装 | 55SM | 1944W | 55SM | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8db〜9dB | 65V | 50a | NPN | 20 @ 5A，5V | 1.03GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
| MS2477 | - | | 8429 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2321A | - | | 5260 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2621H | - | | 1648年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2202 | - | | 6315 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M115 | 10W | M115 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 9DB | 3.5V | 250mA | NPN | 30 @ 100mA，5V | 1.025GHZ〜1.15GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
| SD1013-03 | - | | 2320 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M113 | 13W | M113 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10dB | 35V | 1a | NPN | 10 @ 200ma，5v | 150MHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
| 60158 | - | | 9232 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT10M11B2VFRG | - | | 1216 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMosv® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-247-3变体 | MOSFET （金属 o化物） | T-Max™ | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 100 v | 100A（TC） | 10V | 11mohm @ 500mA，10v | 4V @ 2.5mA | 450 NC @ 10 V | ±30V | 10300 PF @ 25 V | - | 520W（TC） | |||||||||||||||||||||||
| MSC1090m | - | | 8102 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C | 底盘安装 | M220 | 220W | M220 | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.4dB | 65V | 5.52a | - | 15 @ 500mA，5V | 1.025GHZ〜1.15GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| TPR700 | - | | 8742 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55kt | 2050W | 55kt | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6.7dB | 65V | 55a | NPN | 10 @ 1A，5V | 1.03GHz〜1.09GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
| 1035MP | - | | 2263 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55FW-1 | 125W | 55FW-1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10db〜10.5dB | 65V | 2.5a | NPN | 20 @ 100mA，5V | 1.025GHZ〜1.15GHz | - | |||||||||||||||||||||||||||
| SD1244-09H | - | | 8554 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | SD1244 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT50SK120D1G | - | | 4134 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | 底盘安装 | D1 | 270 w | 标准 | D1 | - | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 75 a | 2.1V @ 15V，50a | 5 ma | 不 | 3.6 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||
| 2N5095 | - | | 5689 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-205AA，TO-5-3金属可以 | 4 W | TO-5 | - | Rohs不合规 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 500 v | 1 a | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N6249T1 | - | | 3273 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/510 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA）） | 2N6249 | 6 W | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 10 a | 1ma | NPN | 1.5V @ 1a，10a | 10 @ 10a，3v | - | |||||||||||||||||||||||||
| APTGF90TA60PG | - | | 3938 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP6 | 416 w | 标准 | sp6-p | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三期 | npt | 600 v | 110 a | 2.5V @ 15V，90a | 250 µA | 不 | 4.3 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
| MS1019 | - | | 6146 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N7227 | - | | 2480 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/592 | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA）） | MOSFET （金属 o化物） | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 400 v | 14A（TC） | 10V | 415MOHM @ 14A，10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 V | ±20V | - | （4W）（150w（ta）（TC） |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
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