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晶体管（（1315）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 获得 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 当前 -收集器截止（最大） | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 | 噪声图（ db typ @ f） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MS3455 | - |  | 6590 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2224-12LP | - | | 1541年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APTSM120AM14CD3AG | - | | 5294 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | APTSM120 | （SIC） | 2140W | 模块 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双），肖特基 | 1200V（1.2kV） | 337a（TC） | 11mohm @ 180a，20v | 3V @ 9mA | 1224NC @ 20V | 23000pf @ 1000V | - | ||||||||||||||
| 80279H | - | | 8952 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2608 | - | | 3658 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT53N60SC6 | - | | 8765 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB | MOSFET （金属 o化物） | d3pa k | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 53A（TC） | 10V | 70MOHM @ 25.8A，10V | 3.5V @ 1.72mA | 154 NC @ 10 V | ±20V | 4020 PF @ 25 V | - | 417W（TC） | ||||||||||||||
| MS2272 | - | | 6015 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M216 | 940W | M216 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 7.6dB | 65V | 24a | NPN | 10 @ 5A，5V | 960MHz〜1.215GHz | - | ||||||||||||||||||
| tan250a | - | | 6260 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55AW | 575W | 55AW | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6.2db〜7dB | 60V | 30a | NPN | 10 @ 1A，5V | 960MHz〜1.215GHz | - | ||||||||||||||||||
| tan300 | - | | 1741年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55kt | 1166W | 55kt | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6.6dB | 65V | 20a | NPN | 10 @ 1mA，5V | 960MHz〜1.215GHz | - | ||||||||||||||||||
 | JANTX2N5014S | - | | 5757 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/727 | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | 到205AD，TO-39-3 | 1 w | TO-39（（TO-205AD） | - | Rohs不合规 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 900 v | 200 ma | 10NA（ICBO） | NPN | 30 @ 20mA，10v | - | |||||||||||||||||||
| 80273H | - | | 3196 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 66099 | - | | 7190 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2584 | - | | 1375 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 64062 | - | | 5954 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 75086H | - | | 2044 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2211 | - | | 9131 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 250°C（TJ） | 底盘安装 | M222 | 25W | M222 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 9.3db | 48V | 900mA | NPN | 30 @ 250mA，5V | 960MHz〜1.215GHz | - | ||||||||||||||||||
| DME400A | - | | 3961 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | - | - | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
| SD8002-01H | - | | 7072 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TPR400A | - | | 4777 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55cx | 875W | 55cx | 下载 | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 9.5db | 55V | 30a | NPN | 10 @ 2.5A，5V | - | - | |||||||||||||||||||
| 2N5092 | 19.0722 | | 7348 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 积极的 | 2N5092 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| MSC1450A | - | | 9635 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 250°C | 底盘安装 | M216 | 910W | M216 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 7db | 65V | 28a | - | 15 @ 1A，5V | - | - | |||||||||||||||||||
| APTM50DUM38TG | - | | 8709 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | APTM50 | MOSFET （金属 o化物） | 694W | SP4 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 500V | 90a | 45MOHM @ 45A，10V | 5V @ 5mA | 246nc @ 10V | 11200pf @ 25V | - | |||||||||||||||
| TCS1200 | - | | 4002 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55TU-1 | 2095W | 55TU-1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10.2dbd | 65V | 60a | NPN | 20 @ 1a，5v | 1.03GHz | - | ||||||||||||||||||
| JANS2N3499L/TR | - | | 3675 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/366 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-205AA，TO-5-3金属可以 | 2N3499 | TO-5 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 100 v | 500 MA | 10µA（ICBO） | NPN | 600mv @ 30mA，300mA | 100 @ 150mA，10V | - | ||||||||||||||||||
| 42108HS | - | | 3932 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6249T1 | - | | 9353 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/510 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA）） | 2N6249 | 6 W | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 10 a | 1ma | NPN | 1.5V @ 1a，10a | 10 @ 10a，3v | - | ||||||||||||||||
 | Jan2n2857 | - | | 9922 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/343 | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-72-3金属罐 | 200MW | 到72 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 12.5db〜21db @ 450MHz | 15V | 40mA | NPN | 30 @ 3mA，1V | 500MHz | 4.5dB @ 450MHz | |||||||||||||||||
| MS2210 | - | | 9201 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M216 | 940W | M216 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7db | 65V | 24a | NPN | 10 @ 5A，5V | 960MHz〜1.215GHz | - | ||||||||||||||||||
| SD1330-05H | - | | 7644 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | JAN2N5013 | - | | 4239 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/727 | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-205AA，TO-5-3金属可以 | 1 w | TO-5 | - | Rohs不合规 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 v | 200 ma | 10NA（ICBO） | NPN | 30 @ 20mA，10v | - |
2000+
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