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晶体管（（1315）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | （amp） | 功率 -输出 | 获得 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | 噪音图 | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 当前 -收集器截止（最大） | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 | 噪声图（ db typ @ f） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 80279H | - |  | 8952 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2608 | - | | 3658 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT53N60SC6 | - | | 8765 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB | MOSFET （金属 o化物） | d3pa k | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 53A（TC） | 10V | 70MOHM @ 25.8A，10V | 3.5V @ 1.72mA | 154 NC @ 10 V | ±20V | 4020 PF @ 25 V | - | 417W（TC） | ||||||||||||||||||
| MS2272 | - | | 6015 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M216 | 940W | M216 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 7.6dB | 65V | 24a | NPN | 10 @ 5A，5V | 960MHz〜1.215GHz | - | ||||||||||||||||||||||
| tan250a | - | | 6260 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55AW | 575W | 55AW | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6.2db〜7dB | 60V | 30a | NPN | 10 @ 1A，5V | 960MHz〜1.215GHz | - | ||||||||||||||||||||||
| tan300 | - | | 1741年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55kt | 1166W | 55kt | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6.6dB | 65V | 20a | NPN | 10 @ 1mA，5V | 960MHz〜1.215GHz | - | ||||||||||||||||||||||
 | JANTX2N5014S | - | | 5757 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/727 | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | 到205AD，TO-39-3 | 1 w | TO-39（（TO-205AD） | - | Rohs不合规 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 900 v | 200 ma | 10NA（ICBO） | NPN | 30 @ 20mA，10v | - | |||||||||||||||||||||||
| 80273H | - | | 3196 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2584 | - | | 1375 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 64062 | - | | 5954 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 75086H | - | | 2044 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DME400A | - | | 3961 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | - | - | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| 2N5092 | 19.0722 | | 7348 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 积极的 | 2N5092 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSC1450A | - | | 9635 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 250°C | 底盘安装 | M216 | 910W | M216 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 7db | 65V | 28a | - | 15 @ 1A，5V | - | - | |||||||||||||||||||||||
| APTM50DUM38TG | - | | 8709 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | APTM50 | MOSFET （金属 o化物） | 694W | SP4 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 500V | 90a | 45MOHM @ 45A，10V | 5V @ 5mA | 246nc @ 10V | 11200pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||
| TCS1200 | - | | 4002 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55TU-1 | 2095W | 55TU-1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 10.2dbd | 65V | 60a | NPN | 20 @ 1a，5v | 1.03GHz | - | ||||||||||||||||||||||
| 42108HS | - | | 3932 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N6249T1 | - | | 9353 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/510 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA）） | 2N6249 | 6 W | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 200 v | 10 a | 1ma | NPN | 1.5V @ 1a，10a | 10 @ 10a，3v | - | ||||||||||||||||||||
| SD1330-05H | - | | 7644 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APTM120TDU57PG | - | | 3362 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP6 | APTM120 | MOSFET （金属 o化物） | 390W | sp6-p | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n通道（3相桥） | 1200V（1.2kV） | 17a | 684MOHM @ 8.5A，10V | 5V @ 2.5mA | 187nc @ 10V | 5155pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||
 | 2N5099 | - | | 9688 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-205AA，TO-5-3金属可以 | 4 W | TO-5 | - | Rohs不合规 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800 v | 1 a | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| APTM120A80FT1G | - | | 5549 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP1 | APTM120 | MOSFET （金属 o化物） | 357W | SP1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 1200V（1.2kV） | 14a | 960MOHM @ 12A，10V | 5V @ 2.5mA | 260NC @ 10V | 6696pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||
| JANTXV2N3735 | - | | 1485 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/395 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | 到205AD，TO-39-3 | 1 w | 到39 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 V | 1.5 a | 10µA（ICBO） | NPN | 900mv @ 100mA，1a | 20 @ 1A，1.5V | - | |||||||||||||||||||||
| 64053 | - | | 2351 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5812GR2 | - | | 2812 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | MRF5812 | 1.25W | 8-so | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 13db〜15.5dB | 15V | 200mA | NPN | 50 @ 50mA，5V | 5GHz | 2DB〜3DB @ 500MHz | |||||||||||||||||||||
 | APT14050JVFR | - | | 3606 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMosv® | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SOT-227-4，迷你布洛克 | MOSFET （金属 o化物） | isotop® | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | n通道 | 1400 v | 23A（TC） | 10V | 500MOHM @ 11.5A，10V | 4V @ 5mA | 820 NC @ 10 V | ±30V | 13500 PF @ 25 V | - | 694W（TC） | ||||||||||||||||||
 | ARF443 | - | | 9163 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 管子 | 过时的 | TO-247-3 | - | - | TO-247AD | - | Rohs不合规 | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||
| JANTXV2N6251T1 | - | | 7675 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/510 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA）） | 2N6251 | 6 W | TO-254AA | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 v | 10 a | 1ma | NPN | 1.5V @ 1.67a，10a | 6 @ 10a，3v | - | ||||||||||||||||||||
| JANTX2N5015S | - | | 3829 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/727 | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | 到205AD，TO-39-3 | 1 w | TO-39（（TO-205AD） | - | Rohs不合规 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 1000 v | 200 ma | 10NA（ICBO） | NPN | 30 @ 20mA，10v | - | |||||||||||||||||||||||
| 68106H | - | | 6583 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
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