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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
JAN2N6804	-	RFQ	6623	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/562	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		P通道		100 v	11A（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
JANTX2N6790U	-	RFQ	8178	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC		MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		200 v	2.8A（TC）	10V	850MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
MS2211	-	RFQ	9131	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	250°C（TJ）	底盘安装	M222			25W		M222	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			9.3db												48V	900mA					NPN	30 @ 250mA，5V	960MHz〜1.215GHz	-
JANTX2N5015S	-	RFQ	3829	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/727	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	不适用		Ear99	8541.29.0095	1															1000 v	200 ma		10NA（ICBO）			NPN	30 @ 20mA，10v	-
APTC80H29T1G	-	RFQ	1913年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC80	MOSFET （金属 o化物）	156W		SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）			800V	15a		290MOHM @ 7.5A，10V	3.9V @ 1mA	90NC @ 10V		2254pf @ 25V	-
TPR400A	-	RFQ	4777	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	55cx			875W		55cx	下载		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1			9.5db												55V	30a					NPN	10 @ 2.5A，5V	-	-
APTGT100DH60T3G	-	RFQ	1244	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	SP3			340 w	标准	SP3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥													沟渠场停止	600 v	150 a	1.9V @ 15V，100a	250 µA	是的	6.1 NF @ 25 V
APTGT30DA170D1G	-	RFQ	7717	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1			210 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的													沟渠场停止	1700 v	45 a	2.4V @ 15V，30a	3 ma	不	2.5 nf @ 25 V
JANTX2N6760	-	RFQ	2431	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/542	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	5.5A（TC）	10V	1.22OHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
APT10M11B2VFRG	-	RFQ	1216	Microsemi Corporation	PowerMosv®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体		MOSFET （金属 o化物）			T-Max™	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	100A（TC）	10V	11mohm @ 500mA，10v	4V @ 2.5mA	450 NC @ 10 V	±30V	10300 PF @ 25 V	-	520W（TC）
2N5012	-	RFQ	9587	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w		TO-5	-		不适用		Ear99	8541.29.0095	1															700 v	200 ma		10NA（ICBO）			NPN	30 @ 25mA，10v	-
JANTX2N6756	-	RFQ	9351	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/542	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）			to-204aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	14A（TC）	10V	210mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
MS2828	-	RFQ	5751	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的									-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
MS1649	-	RFQ	1134	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			7.8W		到39	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			9.5db												16V	1a					NPN	20 @ 100mA，5V	470MHz	-
APTM100DUM90G	-	RFQ	4534	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM100	MOSFET （金属 o化物）	1250W		SP6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			1000V （1kV）	78a		105mohm @ 39a，10v	5V @ 10mA	744NC @ 10V		20700pf @ 25V	-
42105	-	RFQ	8081	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的									-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
JANTX2N6764	-	RFQ	4330	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE		MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	38A（TC）	10V	65mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
SD1526-01	-	RFQ	5633	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	M115	SD1526		21.9W		M115	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			9.5db												45V	1a					NPN	-	960MHz〜1.215GHz	-
MPA201	-	RFQ	3130	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	55au			6W		55au	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			13DB												22V	300mA					NPN	20 @ 100mA，5V	2GHz	-
MS2621H	-	RFQ	1648年	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的									-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
SD1013-03	-	RFQ	2320	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	M113			13W		M113	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			10dB												35V	1a					NPN	10 @ 200ma，5v	150MHz	-
MS2248	-	RFQ	1656年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的									-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
MS2202	-	RFQ	6315	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	M115			10W		M115	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			9DB												3.5V	250mA					NPN	30 @ 100mA，5v	1.025GHZ〜1.15GHz	-
APTGF50DA120T1G	-	RFQ	2374	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1			312 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的													npt	1200 v	75 a	3.7V @ 15V，50a	250 µA	是的	3.45 NF @ 25 V
JAN2N2857UB	-	RFQ	8543	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			200MW		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			21dB												15V	40mA					NPN	30 @ 3mA，1V	-	4.5dB @ 450MHz
APTGF50DSK60T3G	-	RFQ	1504	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3			250 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	双重斩波器													npt	600 v	65 a	2.45V @ 15V，50a	250 µA	是的	2.2 NF @ 25 V
MS2421	-	RFQ	9507	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	M103			875W		M103	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			6.3db												65V	22a					NPN	10 @ 500mA，5V	1.025GHZ〜1.15GHz	-
1月2N6764	-	RFQ	8585	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE		MOSFET （金属 o化物）				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	38A（TC）	10V	65mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
2N6758	-	RFQ	3895	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）			to-204aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	9A（TC）	10V	490MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
APT5SM170B	-	RFQ	8248	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		sicfet （碳化硅）			TO-247-3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1700 v	5A（TC）	20V	1.25OHM @ 2.5A，20V	3.2V @ 500µA	21 NC @ 20 V	+25V，-10V	249 pf @ 1000 V	-	65W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²