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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
JAN2N6251T1	-	RFQ	9402	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/510	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	2N6251			6 W		TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																			350 v	10 a			1ma			NPN	1.5V @ 1.67a，10a	6 @ 10a，3v	-
SD1332-05C	-	RFQ	8837	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		200°C	表面安装	M150				180W		M150	-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1						17dB													15V	30a						NPN		50 @ 14mA，10v	5.5GHz	2.5db @ 1GHz
2N6762	-	RFQ	7331	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）			to-204aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	4.5A（TC）	10V	1.8OHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
MS2210	-	RFQ	9201	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘安装	M216				940W		M216	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1						7db													65V	24a						NPN		10 @ 5A，5V	960MHz〜1.215GHz	-
VRF2933FL	-	RFQ	7818	Microsemi Corporation	-	管子	积极的	170 v			M177	VRF2933	30MHz	MOSFET			M177	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		-	250 MA	300W	22DB											-					50 V
APTGF90H60TG	-	RFQ	9940	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4				416 w	标准	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																	npt	600 v	110 a	2.5V @ 15V，90a		250 µA	是的	4.3 NF @ 25 V
APTM50DUM19G	-	RFQ	6767	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM50		MOSFET （金属 o化物）	1136W		SP6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						500V	163a		22.5MOHM @ 81.5A，10V	5V @ 10mA	492NC @ 10V		22400pf @ 25V	-
1月2N6798	-	RFQ	7332	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			到39	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	5.5A（TC）	10V	420MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	42.07 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
JAN2N6798U	-	RFQ	7447	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	5.5A（TC）	10V	420MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	42.07 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
APT28F60B	-	RFQ	7534	Microsemi Corporation	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT28F60		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	30A（TC）	10V	250mohm @ 14a，10v	5V @ 1mA	140 NC @ 10 V	±30V	5575 pf @ 25 V	-	520W（TC）
APT20M22B2VFRG	-	RFQ	6919	Microsemi Corporation	PowerMosv®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体			MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					200 v	100A（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	4V @ 2.5mA	435 NC @ 10 V	±30V	10200 PF @ 25 V	-	520W（TC）
APTM120TDU57PG	-	RFQ	3362	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM120		MOSFET （金属 o化物）	390W		sp6-p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）						1200V（1.2kV）	17a		684MOHM @ 8.5A，10V	5V @ 2.5mA	187nc @ 10V		5155pf @ 25V	-
75097	-	RFQ	8528	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的					-						-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
STN1037	-	RFQ	3906	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的											-	Rohs不合规	不适用		过时的	0000.00.0000	1
JAN2N3811U	-	RFQ	6191	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3811			350MW		TO-78-6	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	100																			60V	50mA			10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
APTM120DSK57T3G	-	RFQ	5981	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTM120		MOSFET （金属 o化物）	390W		SP3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						1200V（1.2kV）	17a		684MOHM @ 8.5A，10V	5V @ 2.5mA	187nc @ 10V		5155pf @ 25V	-
JANTX2N3019/TR	-	RFQ	4323	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/391	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3019			800兆		TO-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	100																			80 V	1 a			10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	50 @ 500mA，10V	-
MS1612	-	RFQ	8743	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的											-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
MS2901	-	RFQ	4194	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的											-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTM50DHM75TG	-	RFQ	3597	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM50		MOSFET （金属 o化物）	357W		SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						500V	46a		90MOHM @ 23A，10V	5V @ 2.5mA	123nc @ 10V		5600pf @ 25V	-
MS2588	-	RFQ	4337	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的											-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
JANTX2N5109	-	RFQ	5545	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的		-	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5109					到39	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																							-			-	-	-	-
APT5025亿	-	RFQ	2142	Microsemi Corporation	PowerMosiv®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					500 v	23A（TC）	10V	250MOHM @ 11.5A，10V	4V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±30V	2950 pf @ 25 V	-	310W（TC）
64010b	-	RFQ	1380	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的											-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTC60SKM35T1G	-	RFQ	6030	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1			MOSFET （金属 o化物）			SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	72A（TC）	10V	35mohm @ 72a，10v	3.9V @ 5.4mA	518 NC @ 10 V	±20V	14000 PF @ 25 V	-	416W（TC）
JANTX2N6250T1	-	RFQ	7774	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/510	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	2N6250			6 W		TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																			275 v	10 a			1ma			NPN	1.5V @ 1.25a，10a	8 @ 10a，3v	-
JANTX2N4957UB	-	RFQ	2552	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4957			200MW		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1						25DB													30V	30mA						PNP		30 @ 5mA，10v	-	3.5db @ 450MHz
66099	-	RFQ	7190	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的											-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
JAN2N6804	-	RFQ	6623	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/562	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		P通道					100 v	11A（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
JANTX2N6790U	-	RFQ	8178	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道					200 v	2.8A（TC）	10V	850MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²