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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
APTGT400SK120D3G	-	RFQ	6754	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D-3模块				2100 w	标准	D3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	1200 v	580 a		2.1V @ 15V，400A				750 µA	不	29 nf @ 25 V
JAN2N7236U	-	RFQ	1795年	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/595	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		P通道			100 v	18A（TC）	10V	220MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（125W（ta）（TC）
APTM100SK18TG	-	RFQ	5067	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4			MOSFET （金属 o化物）			SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			1000 v	43A（TC）	10V	210MOHM @ 21.5A，10V	5V @ 5mA	372 NC @ 10 V	±30V	10400 PF @ 25 V	-	780W（TC）
APTGF150SK120TG	-	RFQ	5229	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP4				961 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														npt	1200 v	200 a		3.7V @ 15V，150a				350 µA	是的	10.2 NF @ 25 V
APT30GP60LDLG	-	RFQ	3791	Microsemi Corporation	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT30GP60	标准		463 w		TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			400V，30a，5ohm，15V												pt	600 v	100 a	120 a	2.7V @ 15V，30a	（260µJ）（在250µJ上）	90 nc	13ns/55ns
JANTXV2N6788U	-	RFQ	4899	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道			100 v	4.5A（TC）	10V	350MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
APTC80H29T1G	-	RFQ	1913年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC80		MOSFET （金属 o化物）	156W		SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）				800V	15a		290MOHM @ 7.5A，10V	3.9V @ 1mA	90NC @ 10V		2254pf @ 25V	-
MS2225H	-	RFQ	5332	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTGT75TA60PG	-	RFQ	3835	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP6				250 w	标准	sp6-p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	三期														沟渠场停止	600 v	100 a		1.9V @ 15V，75a				250 µA	不	4.62 NF @ 25 V
2301	-	RFQ	2668	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	55bt				5.6W		55bt	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	1				8DB												45V	300mA									NPN		10 @ 100mA，5V	2.3GHz	-
64010H	-	RFQ	8488	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
APT8018JN	-	RFQ	3445	Microsemi Corporation	PowerMosiv®	托盘	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			800 v	40a（TC）	10V	180mohm @ 20a，10v	4V @ 5mA	700 NC @ 10 V	±30V	14000 PF @ 25 V	-	690W（TC）
MS2563	-	RFQ	8409	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTGT300SK120D3G	-	RFQ	9551	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D-3模块				1250 w	标准	D3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	1200 v	440 a		2.1V @ 15V，300A				8 ma	不	20 nf @ 25 V
aptm100du18tg	-	RFQ	6575	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM100		MOSFET （金属 o化物）	780W		SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				1000V （1kV）	43a		210MOHM @ 21.5A，10V	5V @ 5mA	372NC @ 10V		10400pf @ 25V	-
S200-50A	-	RFQ	6814	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTGT75DH120TG	-	RFQ	3599	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4				357 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥														沟渠场停止	1200 v	110 a		2.1V @ 15V，75a				250 µA	是的	5.34 NF @ 25 V
JAN2N6849	-	RFQ	8880	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/564	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		P通道			100 v	6.5A（TC）	10V	320MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	34.8 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
JAN2N6804	-	RFQ	6623	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/562	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		P通道			100 v	11A（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
JANTXV2N7334	-	RFQ	9240	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/597	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N733		MOSFET （金属 o化物）	1.4W		MO-036AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4 n通道				100V	1a		700MOHM @ 600mA，10V	4V @ 250µA	60nc @ 10V		-	-
JANTXV2N6250	-	RFQ	6490	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/510	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-3				6 W		TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	100																275 v	10 a						1ma			NPN	1.5V @ 1.25a，10a	8 @ 10a，3v	-
APTSM120TAM33CTPAG	-	RFQ	9456	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTSM120		（SIC）	714W		SP6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）				1200V（1.2kV）	112a（TC）		33mohm @ 60a，20v	3V @ 3mA	408nc @ 20V		7680pf @ 1000V	-
APT11GF120KRG	-	RFQ	6419	Microsemi Corporation	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	apt11g	标准		156 w		TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			800V，8a，10ohm，15V												npt	1200 v	25 a	44 a	3V @ 15V，8a	300µJ（在）上，285µJ（OFF）	65 NC	7NS/100NS
APTC60AM83B1G	-	RFQ	5891	Microsemi Corporation	coolmos™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC60		MOSFET （金属 o化物）	250W		SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	3 n通道（相腿 +升压斩波器）				600V	36a		83MOHM @ 24.5A，10V	5V @ 3mA	250NC @ 10V		7200pf @ 25V	超交界处
APT12F60K	-	RFQ	8948	Microsemi Corporation	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	APT12F60		MOSFET （金属 o化物）			TO-220 [K]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	12A（TC）	10V	620Mohm @ 6a，10v	5V @ 500µA	55 NC @ 10 V	±30V	2200 PF @ 25 V	-	225W（TC）
64054H	-	RFQ	6837	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
APTGT35SK120D1G	-	RFQ	7456	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1				205 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	1200 v	55 a		2.1V @ 15V，35a				5 ma	不	2.5 nf @ 25 V
APT20M38BVFRG	-	RFQ	2174	Microsemi Corporation	PowerMosv®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			200 v	67A（TC）	10V	38mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	225 NC @ 10 V	±30V	6120 PF @ 25 V	-	370W（TC）
JANTXN3251AUB	-	RFQ	2008	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	-	-						-	-	Rohs不合规	（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1																							-			-	-	-	-
APTGF50DH120TG	-	RFQ	2464	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP4				312 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥														npt	1200 v	75 a		3.7V @ 15V，50a				250 µA	是的	3.45 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²