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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
APTGF50DA120T3G	-	RFQ	9593	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3				312 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	双提升斩波器														npt	1200 v	70 a		3.7V @ 15V，50a						250 µA	是的	3.45 NF @ 25 V
JANTX2N4859	13.8900	RFQ	1	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4859			360兆w		TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		30 V							18pf @ 10V（vgs）											30 V	175 ma @ 15 V	10 V @ 500 PA				25欧姆
APTGT25H120T1G	-	RFQ	6216	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1				156 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器														沟渠场停止	1200 v	40 a		2.1V @ 15V，25a						250 µA	是的	1.8 nf @ 25 V
APTGT25DA120D1G	-	RFQ	1229	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1				140 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	1200 v	40 a		2.1V @ 15V，25a						5 ma	不	1.8 nf @ 25 V
APTGT50A120D1G	-	RFQ	4848	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-	底盘安装	D1				270 w	标准	D1	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥														沟渠场停止	1200 v	75 a		2.1V @ 15V，50a						5 ma	不	3.6 NF @ 25 V
APTGL90DH120T3G	-	RFQ	1833年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3				385 w	标准	SP3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥														沟渠场停止	1200 v	110 a		2.2V @ 15V，75a						250 µA	是的	4.4 NF @ 25 V
APTGV100H60T3G	-	RFQ	1313	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3				340 w	标准	SP3	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器														NPT，沟渠场停止	600 v	150 a		1.9V @ 15V，100a						250 µA	是的	6.1 NF @ 25 V
APTGT150H170G	-	RFQ	6760	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT150			890 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器														沟渠场停止	1700 v	250 a		2.4V @ 15V，150a						350 µA	不	13.5 nf @ 25 V
APTM20AM05FTG	-	RFQ	4184	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM20		MOSFET （金属 o化物）	1250W		SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）			200V	333a		5mohm @ 166.5a，10v	4V @ 8mA	1184NC @ 10V		40800pf @ 25V	-
Jan2n7224	-	RFQ	8340	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））			MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	34A（TC）	10V	81MOHM @ 34A，10V	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTGF200A120D3G	-	RFQ	7636	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	D-3模块				1400 w	标准	D3	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥														npt	1200 v	300 a		3.7V @ 15V，200a						5 ma	不	13 nf @ 25 V
APT5014B2VRG	-	RFQ	4126	Microsemi Corporation	-	管子	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	30					47A（TC）
JANTX2N6790U	-	RFQ	8178	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		200 v	2.8A（TC）	10V	850MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
JANTX2N7225	-	RFQ	8960	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））			MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	27.4A（TC）	10V	105mohm @ 27.4a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JANTXV2N6788	-	RFQ	3559	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		100 v	6A（TC）	10V	350MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
APTGT100DH170G	-	RFQ	3094	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6				560 w	标准	SP6	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥														沟渠场停止	1700 v	150 a		2.4V @ 15V，100a						350 µA	不	9 nf @ 25 V
APTM120SK29TG	-	RFQ	2844	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4			MOSFET （金属 o化物）			SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	34A（TC）	10V	348mohm @ 17a，10v	5V @ 5mA	374 NC @ 10 V	±30V	10300 PF @ 25 V	-	780W（TC）
JAN2N7224U	-	RFQ	5531	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	34A（TC）	10V	81MOHM @ 34A，10V	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JANTX2N6758	-	RFQ	4496	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/542	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	9A（TC）	10V	490MOHM @ 9A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
Jan2n7225	-	RFQ	5068	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））			MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	27.4A（TC）	10V	105mohm @ 27.4a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTGF530U120D4G	-	RFQ	2087	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	D4				3900 w	标准	D4	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														npt	1200 v	700 a		3.7V @ 15V，600A						5 ma	不	37 NF @ 25 V
2N6784	-	RFQ	9986	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	2.25A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，0V	4V @ 250µA	8.6 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），15W（tc）
46010	-	RFQ	3495	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
APT80SM120B	-	RFQ	4768	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）			TO-247	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	80A（TC）	20V	55mohm @ 40a，20v	2.5V @ 1mA	235 NC @ 20 V	+25V，-10V		-	555W（TC）
2N6802U	-	RFQ	4018	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	2.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	4.46 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
MSC140SMA120S	-	RFQ	4555	Microsemi Corporation	*	管子	过时的										-	Rohs符合条件	（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
2C5015	-	RFQ	8079	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	-	-						-	-	Rohs不合规	不适用		过时的	0000.00.0000	1																									-				-	-	-	-
JANTX2N7224U	-	RFQ	6410	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	34A（TC）	10V	81MOHM @ 34A，10V	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTGF660U60D4G	-	RFQ	7470	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	D4				2800 w	标准	D4	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														npt	600 v	860 a		2.45V @ 15V，800A						500 µA	不	36 NF @ 25 V
APT45GR65SSCD10	-	RFQ	6599	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	APT45GR65	标准		543 w		d3pa k	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			433V，45A，4.3OHM，15V											80 ns	npt	650 v	118 a	224 a	2.4V @ 15V，45a	203 NC	15NS/100NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²