RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N6790	-	RFQ	6717	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		200 v	3.5A（TC）	10V	800MOHM @ 2.25A，10V	4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
APT12080JVR	-	RFQ	3427	Microsemi Corporation	PowerMosv®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	15A（TC）	10V	800MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 2.5mA	485 NC @ 10 V	±30V	7800 PF @ 25 V	-	450W（TC）
1月2N6768	-	RFQ	6393	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTM10DUM05TG	-	RFQ	1714年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM10		MOSFET （金属 o化物）	780W		SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			100V	278a		5mohm @ 125a，10v	4V @ 5mA	700NC @ 10V		20000pf @ 25V	-
APTM10TDUM09PG	-	RFQ	7148	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM10		MOSFET （金属 o化物）	390W		sp6-p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			100V	139a		10mohm @ 69.5a，10v	4V @ 2.5mA	350NC @ 10V		9875pf @ 25V	-
APTGT100SK60T1G	-	RFQ	2688	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP4				340 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的													沟渠场停止	600 v	150 a		1.9V @ 15V，100a				250 µA	是的	6.1 NF @ 25 V
APTM10DHM09TG	-	RFQ	3898	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM10		MOSFET （金属 o化物）	390W		SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			100V	139a		10mohm @ 69.5a，10v	4V @ 2.5mA	350NC @ 10V		9875pf @ 25V	-
APTGT150A1202G	-	RFQ	7537	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP2				690 w	标准	SP2	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥													沟渠场停止	1200 v	220 a		2.1V @ 15V，150a				50 µA	不	10.7 NF @ 25 V
JAN2N6802	-	RFQ	2975	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			到39	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	2.5A（TC）	10V	1.6OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
1月2N6796	-	RFQ	9131	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			到39	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	8A（TC）	10V	195mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	28.51 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
APTM50AM19STG	-	RFQ	6793	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM50		（SIC）	1250W		SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）			500V	170a		19mohm @ 85a，10v	5V @ 10mA	492NC @ 10V		22400pf @ 25V	-
APTM20DHM10G	-	RFQ	1853年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM20		MOSFET （金属 o化物）	694W		SP6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			200V	175a		12MOHM @ 87.5A，10V	5V @ 5mA	224nc @ 10V		13700pf @ 25V	-
APTMC120HRM40CT3G	-	RFQ	2705	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	1200V（1.2kV）		底盘安装	SP3	APTMC120					SP3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1																									2 n通道（相位腿 +双重公（共）
APT28F60	-	RFQ	3468	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT28F60		MOSFET （金属 o化物）			D3PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	30A（TC）	10V	220MOHM @ 14A，10V	5V @ 1mA	140 NC @ 10 V	±30V	5575 pf @ 25 V	-	520W（TC）
APT15GP90KG	-	RFQ	1950年	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	APT15GP90	标准		250 w		TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			600V，15a，4.3Ohm，15V											pt	900 v	43 a	60 a	3.9V @ 15V，15a	（200µJ）	60 NC	9NS/33NS
JANSR2N7381	-	RFQ	6692	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/614	托盘	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-257-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-257	下载		不适用		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	9.4A（TC）	12V	490MOHM @ 9.4a，12V	4V @ 1mA	50 NC @ 12 V	±20V		-	2W（2W），75W（tc）
MS2473A	-	RFQ	5741	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的											-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTM120H57FT3G	-	RFQ	8333	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTM120		MOSFET （金属 o化物）	390W		SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）			1200V（1.2kV）	17a		684MOHM @ 8.5A，10V	5V @ 2.5mA	187nc @ 10V		5155pf @ 25V	-
APTGT35DA120D1G	-	RFQ	6218	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1				205 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的													沟渠场停止	1200 v	55 a		2.1V @ 15V，35a				5 ma	不	2.5 nf @ 25 V
APTGT75SK60T1G	-	RFQ	8048	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1				250 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的													沟渠场停止	600 v	100 a		1.9V @ 15V，75a				250 µA	是的	4.62 NF @ 25 V
APTGV50H120BTPG	-	RFQ	2882	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	底盘安装	SP6				270 w	标准	sp6-p	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	提升斩波器，全桥													NPT，沟渠场停止	1200 v	75 a		2.1V @ 15V，50a				250 µA	是的	3.6 NF @ 25 V
APTGT35A120D1G	-	RFQ	5031	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-	底盘安装	D1				205 w	标准	D1	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥													沟渠场停止	1200 v	55 a		2.1V @ 15V，35a				5 ma	不	2.5 nf @ 25 V
JANTX2N6796U	-	RFQ	2604	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	8A（TC）	10V	195mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	28.51 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
APTGT50DA170D1G	-	RFQ	7140	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1				310 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的													沟渠场停止	1700 v	70 a		2.4V @ 15V，50a				6 ma	不	4.4 NF @ 25 V
APTGT30H60T3G	-	RFQ	2473	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3				90 W	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器													沟渠场停止	600 v	50 a		1.9V @ 15V，30a				250 µA	是的	1.6 nf @ 25 V
APTGT30DA170T1G	-	RFQ	6468	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1				210 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的													沟渠场停止	1700 v	45 a		2.4V @ 15V，30a				250 µA	是的	2.5 nf @ 25 V
APTM20DHM16TG	-	RFQ	4225	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM20		MOSFET （金属 o化物）	390W		SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			200V	104a		19mohm @ 52a，10v	5V @ 2.5mA	140NC @ 10V		7220pf @ 25V	-
APT1204R7KFLLG	-	RFQ	5351	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	3.5A（TC）	10V	4.7ohm @ 1.75a，10V	5V @ 1mA	31 NC @ 10 V	±30V	715 PF @ 25 V	-	135W（TC）
APTGF75DH120TG	-	RFQ	5611	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	底盘安装	SP4				500 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥													npt	1200 v	100 a		3.7V @ 15V，75a				250 µA	是的	5.1 NF @ 25 V
JANTX2N2221AUA	23.1420	RFQ	5703	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2221			650兆		UA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1															50 V	800 MA						50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²