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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
APTGT75A1202G	-	RFQ	9774	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP2				357 w	标准	SP2	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥																沟渠场停止	1200 v	110 a	2.1V @ 15V，75a	50 µA	不	5.34 NF @ 25 V
APTGT25H120T1G	-	RFQ	6216	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1				156 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																沟渠场停止	1200 v	40 a	2.1V @ 15V，25a	250 µA	是的	1.8 nf @ 25 V
APTM20AM05FTG	-	RFQ	4184	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM20		MOSFET （金属 o化物）	1250W		SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）					200V	333a		5mohm @ 166.5a，10v	4V @ 8mA	1184NC @ 10V		40800pf @ 25V	-
MDS500L	-	RFQ	8520	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	第55				833W		第55	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1					9.2db													70V	24a					NPN		20 @ 1a，5v	1.03GHz〜1.09GHz	-
JANTX2N6762	-	RFQ	3038	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/542	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道				500 v	4.5A（TC）	10V	1.8OHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
ARF445	-	RFQ	1771年	Microsemi Corporation	-	管子	过时的			-		-	-			-	-	Rohs不合规	（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1	-		-	-	-											-
APT30N60KC6	-	RFQ	5661	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220 [K]	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				600 v	30A（TC）		125mohm @ 14.5A，10V	3.5V @ 960µA	88 NC @ 10 V		2267 PF @ 25 V	-	219W（TC）
APTM50SKM35TG	-	RFQ	1645年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4			MOSFET （金属 o化物）			SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道				500 v	99a（TC）	10V	39mohm @ 49.5a，10v	5V @ 5mA	280 NC @ 10 V	±30V	14000 PF @ 25 V	-	781W（TC）
APTGF150A120T3WG	-	RFQ	9900	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3				961 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥																npt	1200 v	210 a	3.7V @ 15V，150a	250 µA	是的	9.3 NF @ 25 V
APTGT300SK120D3G	-	RFQ	9551	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D-3模块				1250 w	标准	D3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的																沟渠场停止	1200 v	440 a	2.1V @ 15V，300A	8 ma	不	20 nf @ 25 V
MS2563	-	RFQ	8409	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTGT35SK120D1G	-	RFQ	7456	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1				205 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																沟渠场停止	1200 v	55 a	2.1V @ 15V，35a	5 ma	不	2.5 nf @ 25 V
aptm100du18tg	-	RFQ	6575	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM100		MOSFET （金属 o化物）	780W		SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）					1000V （1kV）	43a		210MOHM @ 21.5A，10V	5V @ 5mA	372NC @ 10V		10400pf @ 25V	-
2301	-	RFQ	2668	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C（TJ）	底盘安装	55bt				5.6W		55bt	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	1					8DB													45V	300mA					NPN		10 @ 100mA，5V	2.3GHz	-
JANTXN3251AUB	-	RFQ	2008	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	-	-						-	-	Rohs不合规	（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1																					-			-	-	-	-
APT8018JN	-	RFQ	3445	Microsemi Corporation	PowerMosiv®	托盘	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				800 v	40a（TC）	10V	180mohm @ 20a，10v	4V @ 5mA	700 NC @ 10 V	±30V	14000 PF @ 25 V	-	690W（TC）
S200-50A	-	RFQ	6814	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APT15F60	-	RFQ	5041	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT15F60		MOSFET （金属 o化物）			d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道				600 v	16A（TC）	10V	430MOHM @ 7A，10V	5V @ 500µA	72 NC @ 10 V	±30V	2882 PF @ 25 V	-	290W（TC）
JANTX2N5012	-	RFQ	6814	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/727	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				1 w		TO-5	-	Rohs不合规	不适用		Ear99	8541.29.0095	1																		700 v	200 ma		10NA（ICBO）			NPN		30 @ 25mA，10v	-
APTGT100DH170G	-	RFQ	3094	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6				560 w	标准	SP6	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥																沟渠场停止	1700 v	150 a	2.4V @ 15V，100a	350 µA	不	9 nf @ 25 V
JAN2N7224U	-	RFQ	5531	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道				100 v	34A（TC）	10V	81MOHM @ 34A，10V	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTM120SK29TG	-	RFQ	2844	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4			MOSFET （金属 o化物）			SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道				1200 v	34A（TC）	10V	348mohm @ 17a，10v	5V @ 5mA	374 NC @ 10 V	±30V	10300 PF @ 25 V	-	780W（TC）
APTGT100SK120TG	-	RFQ	7742	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4				480 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的																沟渠场停止	1200 v	140 a	2.1V @ 15V，100a	250 µA	是的	7.2 NF @ 25 V
APTGT75A120D1G	-	RFQ	7082	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-	底盘安装	D1				357 w	标准	D1	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥																沟渠场停止	1200 v	110 a	2.1V @ 15V，75a	4 mA	不	5.345 NF @ 25 V
APTGV25H120T3G	-	RFQ	2351	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3				156 w	标准	SP3	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																NPT，沟渠场停止	1200 v	40 a	2.1V @ 15V，25a	250 µA	是的	1.8 nf @ 25 V
APTGF250SK60D3G	-	RFQ	3314	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	D-3模块				1250 w	标准	D3	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																npt	600 v	400 a	2.45V @ 15V，300A	500 µA	不	13 nf @ 25 V
APTGF15X120T3G	-	RFQ	6100	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3				140 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器																npt	1200 v	25 a	3.7V @ 15V，15a	250 µA	是的	1 nf @ 25 V
APTGF100A120T3WG	-	RFQ	4301	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3				657 w	标准	SP3	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥																npt	1200 v	130 a	3.7V @ 15V，100a	250 µA	是的	6.5 nf @ 25 V
APT20F50B	-	RFQ	2675	Microsemi Corporation	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT20F50		MOSFET （金属 o化物）			TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道				500 v	20A（TC）	10V	300mohm @ 10a，10v	5V @ 500µA	75 NC @ 10 V	±30V	2950 pf @ 25 V	-	290W（TC）
APTC60DAM35T1G	-	RFQ	9065	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1			MOSFET （金属 o化物）			SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道				600 v	72A（TC）	10V	35mohm @ 72a，10v	3.9V @ 5.4mA	518 NC @ 10 V	±20V	14000 PF @ 25 V	-	416W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²