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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
APTGL325SK120D3G	-	RFQ	9835	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D-3模块				1500 w	标准	D3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	1200 v	420 a		2.2V @ 15V，300A							5 ma	不	18.6 NF @ 25 V
APTGT150A60TG	-	RFQ	6702	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP4				480 w	标准	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥														沟渠场停止	600 v	225 a		1.9V @ 15V，150a							250 µA	是的	9.2 NF @ 25 V
JANTX2N4859	13.8900	RFQ	1	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4859			360兆w		TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		30 V							18pf @ 10V（vgs）												30 V	175 ma @ 15 V	10 V @ 500 PA				25欧姆
APTGF100A1202G	-	RFQ	9828	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP2				568 w	标准	SP2	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥														npt	1200 v	135 a		3.7V @ 15V，100a							250 µA	不	6.5 nf @ 25 V
80270	-	RFQ	2646	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的				-						-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APT15GT60KRG	-	RFQ	6656	Microsemi Corporation	Thunderboltigbt®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	APT15GT60	标准		184 w		TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			400V，15a，10ohm，15V												npt	600 v	42 a	45 a	2.5V @ 15V，15a	150µJ（在）中，215µJ（OFF）	75 NC	6NS/105NS
APT200GN60JG	-	RFQ	2546	Microsemi Corporation	-	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	同位素				682 w	标准	isotop®	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30	单身的														沟渠场停止	600 v	283 a		1.85V @ 15V，200a							25 µA	不	14.1 NF @ 25 V
APT30GP60JDQ1	-	RFQ	6073	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT30GP60			245 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的														pt	600 v	67 a		2.7V @ 15V，30a							500 µA	不	3.2 NF @ 25 V
APTGF50DA120T3G	-	RFQ	9593	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3				312 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	双提升斩波器														npt	1200 v	70 a		3.7V @ 15V，50a							250 µA	是的	3.45 NF @ 25 V
APTGF100SK120TG	-	RFQ	7703	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP4				568 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														npt	1200 v	135 a		3.7V @ 15V，100a							350 µA	是的	6.9 NF @ 25 V
APTGV50H60BT3G	-	RFQ	8191	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-	底盘安装	SP3	APTGV50			250 w	标准	SP3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	提升斩波器，全桥														NPT，沟渠场停止	600 v	65 a		2.45V @ 15V，50a							250 µA	是的	2.2 NF @ 25 V
APTGT75SK120D1G	-	RFQ	8281	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1				357 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	1200 v	110 a		2.1V @ 15V，75a							4 mA	不	5.345 NF @ 25 V
apt12067jll	-	RFQ	1442	Microsemi Corporation	PowerMos7®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT12067		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	17a（TC）	10V	570MOHM @ 10A，10V	5V @ 2.5mA	290 NC @ 10 V	±30V	6200 PF @ 25 V	-	460W（TC）
JANTXV2N6788U	-	RFQ	4899	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		100 v	4.5A（TC）	10V	350MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
APT10M07JVR	-	RFQ	3254	Microsemi Corporation	PowerMosv®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	225a（TC）	10V		4V @ 5mA	1050 NC @ 10 V	±30V	21600 PF @ 25 V	-	700W（TC）
APTM10HM09FTG	-	RFQ	5229	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM10		MOSFET （金属 o化物）	390W		SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）			100V	139a		10mohm @ 69.5a，10v	4V @ 2.5mA	350NC @ 10V		9875pf @ 25V	-
JANTXV2N7228	-	RFQ	2126	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））			MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	12A（TC）	10V	515MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTGT50H120TG	-	RFQ	8496	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4				277 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器														沟渠场停止	1200 v	75 a		2.1V @ 15V，50a							250 µA	是的	3.6 NF @ 25 V
APT10035B2LLG	-	RFQ	6679	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT10035		MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	28a（TC）	10V	350MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	186 NC @ 10 V	±30V	5185 pf @ 25 V	-	690W（TC）
2C5015	-	RFQ	8079	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	-	-						-	-	Rohs不合规	不适用		过时的	0000.00.0000	1																										-				-	-	-	-
JANTX2N7224U	-	RFQ	6410	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	34A（TC）	10V	81MOHM @ 34A，10V	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTGT100SK170D1G	-	RFQ	2745	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1				695 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	1700 v	200 a		2.4V @ 15V，100a							3 ma	不	8.5 nf @ 25 V
APT45GR65SSCD10	-	RFQ	6599	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	APT45GR65	标准		543 w		d3pa k	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			433V，45A，4.3OHM，15V											80 ns	npt	650 v	118 a	224 a	2.4V @ 15V，45a		203 NC	15NS/100NS
MSC140SMA120S	-	RFQ	4555	Microsemi Corporation	*	管子	过时的										-	Rohs符合条件	（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
2N6802U	-	RFQ	4018	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	2.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	4.46 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
APT80SM120B	-	RFQ	4768	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）			TO-247	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	80A（TC）	20V	55mohm @ 40a，20v	2.5V @ 1mA	235 NC @ 20 V	+25V，-10V		-	555W（TC）
JANTX2N6798	-	RFQ	1054	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			to-205af（39）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	5.5A（TC）	10V	420MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	42.07 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
APTGT50A170D1G	-	RFQ	4406	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-	底盘安装	D1				310 w	标准	D1	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥														沟渠场停止	1700 v	70 a		2.4V @ 15V，50a							6 ma	不	4.4 NF @ 25 V
JAN2N7236U	-	RFQ	1795年	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/595	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		P通道		100 v	18A（TC）	10V	220MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（125W（ta）（TC）
APTM100SK18TG	-	RFQ	5067	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4			MOSFET （金属 o化物）			SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1000 v	43A（TC）	10V	210MOHM @ 21.5A，10V	5V @ 5mA	372 NC @ 10 V	±30V	10400 PF @ 25 V	-	780W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²