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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
APTM120H57FT3G	-	RFQ	8333	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTM120	MOSFET （金属 o化物）	390W		SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）			1200V（1.2kV）	17a		684MOHM @ 8.5A，10V	5V @ 2.5mA	187nc @ 10V		5155pf @ 25V	-
2N3811L	-	RFQ	5128	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3811		350MW		TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1															60V	50mA		10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
APTM50DUM35TG	-	RFQ	5820	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM50	MOSFET （金属 o化物）	781W		SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			500V	99a		39mohm @ 49.5a，10v	5V @ 5mA	280NC @ 10V		14000pf @ 25V	-
JANS2N6249T1	-	RFQ	1650	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/510	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	2N6249		6 W		TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1															200 v	10 a		1ma			NPN	1.5V @ 1a，10a	10 @ 10a，3v	-
APTC60DAM24T1G	-	RFQ	4965	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1		MOSFET （金属 o化物）			SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	95A（TC）	10V	24mohm @ 47.5A，10V	3.9V @ 5mA	300 NC @ 10 V	±20V	14400 PF @ 25 V	-	462W（TC）
MS1014	-	RFQ	4540	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
23A005	-	RFQ	5516	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘安装	55bt			3W		55bt	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			8.5db〜9.5dB												22V	400mA					NPN		20 @ 100mA，5V	4.3GHz	-
APTGLQ25H120T2G	-	RFQ	9380	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	APTGLQ25		165 w	标准	SP2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	全桥													沟渠场停止	1200 v	50 a	2.42V @ 15V，25a	50 µA	是的	1.43 NF @ 25 V
AptGL60DH120T3G	-	RFQ	1825年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3			280 w	标准	SP3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥													沟渠场停止	1200 v	80 a	2.25V @ 15V，50a	250 µA	是的	2.77 NF @ 25 V
JANTX2N6768	-	RFQ	1623年	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE		MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APTM50AM70FT1G	-	RFQ	6015	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTM50	MOSFET （金属 o化物）	390W		SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）			500V	50a		84mohm @ 42a，10v	5V @ 2.5mA	340NC @ 10V		10800pf @ 25V	-
2N5012S	-	RFQ	5149	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/727	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	不适用		Ear99	8541.29.0095	1															700 v	200 ma		10NA（ICBO）			NPN	1.6V @ 5mA，25mA	30 @ 25mA，10v	-
JAN2N5013S	-	RFQ	6480	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/727	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w		TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	不适用		Ear99	8541.29.0095	1															800 v	200 ma		10NA（ICBO）			NPN		30 @ 20mA，10v	-
2a8	-	RFQ	6714	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	底盘安装	55eu			5.3W		55eu	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			7db〜9dB												21V	300mA					NPN		20 @ 100mA，5V	2GHz	-
10A015	-	RFQ	8272	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	螺柱坐骑	55英尺			6W		55英尺	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			9db〜9.5dB												24V	750mA					NPN		20 @ 100mA，5V	2.7GHz	-
61111	-	RFQ	2828	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
JAN2N7227U	-	RFQ	4202	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB		MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	14A（TC）	10V	415MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
PP8064	-	RFQ	5718	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的										-	Rohs不合规	不适用		过时的	0000.00.0000	1
75101H	-	RFQ	4834	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
64077	-	RFQ	4072	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
2n6796u	-	RFQ	7583	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC		MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	8A（TC）	10V	180MOHM @ 5A，10V	4V @ 250mA	6.34 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
70061a	-	RFQ	3639	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
JANTXV2N3960UB	-	RFQ	5193	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/399	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N3960		400兆		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	100															12 v			10µA（ICBO）			NPN	300mv @ 3mA，30mA	60 @ 10mA，1V	-
TPR1000A	-	RFQ	2464	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		200°C	底盘安装	55kV			2900W		55kV	-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1			6DB												65V	80a					-		10 @ 1A，5V	1.09GHz	-
APT9F100	-	RFQ	1035	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA		MOSFET （金属 o化物）			d3pa k	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1000 v	9A（TC）	10V	1.6OHM @ 5A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2606 pf @ 25 V	-	337W（TC）
APTMC120HRM40CT3G	-	RFQ	2705	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	1200V（1.2kV）		底盘安装	SP3	APTMC120				SP3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1																					2 n通道（相位腿 +双重公（共）
APTC90TAM60TPG	-	RFQ	3062	Microsemi Corporation	coolmos™	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTC90	MOSFET （金属 o化物）	462W		sp6-p	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	100	6 n通道（3相桥）			900V	59a		60mohm @ 52a，10v	3.5V @ 6mA	540NC @ 10V		13600pf @ 100V	超交界处
JANTXV2N6804	-	RFQ	2685	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/562	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		P通道		100 v	11A（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
JAN2N6768T1	-	RFQ	3028	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JAN2N4957UB	-	RFQ	2690	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4957		200MW		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1			25DB												30V	30mA					PNP		30 @ 5mA，10v	-	3.5db @ 450MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²