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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
APTGT50DSK60T3G	-	RFQ	3355	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3			176 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	双重斩波器													沟渠场停止	600 v	80 a	1.9V @ 15V，50a			250 µA	是的	3.15 NF @ 25 V
APTGT30SK170T1G	-	RFQ	2194	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1			210 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的													沟渠场停止	1700 v	45 a	2.4V @ 15V，30a			250 µA	是的	2.5 nf @ 25 V
2N7225U	-	RFQ	2166	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-267AB		MOSFET （金属 o化物）			TO-267AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	27.4A（TC）	10V	100mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	115 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APT12067B2LLG	-	RFQ	6783	Microsemi Corporation	PowerMos7®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT12067	MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	18A（TC）	10V	670MOHM @ 9A，10V	5V @ 2.5mA	150 NC @ 10 V	±30V	4420 PF @ 25 V	-	565W（TC）
MS2207	-	RFQ	4042	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	250°C（TJ）	底盘安装	M216			880W		M216	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1			8DB												65V	24a								NPN		10 @ 5A，5V	1.09GHz	-
JANTXV2N3811U	-	RFQ	4467	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3811		350MW		TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1															60V	50mA				10µA（ICBO）				2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
MSC1400M	-	RFQ	1093	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	250°C（TJ）	底盘安装	M216			1000W		M216	下载		（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	1			6.5dB												65V	28a								NPN		15 @ 1A，5V	1.025GHZ〜1.15GHz	-
MS1006	-	RFQ	8980	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	200°C	螺柱坐骑	M135			127W		M135	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0075	1			14dB												55V	3.25a								NPN		19 @ 1.4a，6v	30MHz	-
APTGT150A170G	-	RFQ	9825	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP6			890 w	标准	SP6	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥													沟渠场停止	1700 v	250 a	2.4V @ 15V，150a			350 µA	不	13.5 nf @ 25 V
64077	-	RFQ	4072	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的									-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
PP8979	-	RFQ	2094	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的									-	Rohs不合规	不适用		过时的	0000.00.0000	1
APT80SM120J	-	RFQ	1845年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		sicfet （碳化硅）			SOT-227	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	51A（TC）	20V	55mohm @ 40a，20v	2.5V @ 1mA	235 NC @ 20 V	+25V，-10V		-	273W（TC）
40033	-	RFQ	7727	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的									-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
APTC60DSKM70T1G	-	RFQ	4912	Microsemi Corporation	coolmos™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTC60	MOSFET （金属 o化物）	250W		SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 频道（双重斩波器）			600V	39a		70mohm @ 39a，10v	3.9V @ 2.7mA	259nc @ 10V		700pf @ 25V	超交界处
APT40M70JVFR	-	RFQ	3255	Microsemi Corporation	PowerMosv®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	53A（TC）	10V	70MOHM @ 26.5A，10V	4V @ 2.5mA	495 NC @ 10 V	±30V	8890 pf @ 25 V	-	450W（TC）
APT94N65B2C3G	-	RFQ	8606	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT94N65	MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		650 v	94A（TC）	10V	35mohm @ 47a，10v	3.9V @ 5.8mA	580 NC @ 10 V	±20V	13940 pf @ 25 V	-	833W（TC）
JANTXV2N6804	-	RFQ	2685	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/562	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		P通道		100 v	11A（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
JANTX2N7224	-	RFQ	6055	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/592	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		MOSFET （金属 o化物）			TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	34A（TC）	10V	81MOHM @ 34A，10V	4V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
JANSF2N7383	-	RFQ	9337	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	-	-		-			-	-		不适用		Ear99	8541.29.0095	1		-			6.5A（TC）	-	-	-		-		-	-
APTGT75DA170D1G	-	RFQ	5980	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	D1			520 w	标准	D1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的													沟渠场停止	1700 v	120 a	2.4V @ 15V，75a			5 ma	不	6.5 nf @ 25 V
APTC60DSKM35T3G	-	RFQ	3658	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTC60	MOSFET （金属 o化物）	416W		SP3	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			600V	72a		35mohm @ 72a，10v	3.9V @ 5.4mA	518nc @ 10V		14000pf @ 25V	-
JANTX2N4093UB	126.9800	RFQ	88	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/431	大部分	积极的	-	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4093		360兆w		UB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		40 V							16pf @ 20V							40 V	8 ma @ 20 V				80欧姆
SD1372-01H	-	RFQ	3176	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的									-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
MS1000	-	RFQ	7020	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的									-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTM20DUM05TG	-	RFQ	9604	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTM20	MOSFET （金属 o化物）	1250W		SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			200V	333a		5mohm @ 166.5a，10v	4V @ 8mA	1184NC @ 10V		40800pf @ 25V	-
JANTXV2N6802U	-	RFQ	8616	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC		MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	2.5A（TC）	10V	1.6OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
SD1430-02	-	RFQ	9209	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的									-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APTM100TDU35PG	-	RFQ	2316	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM100	MOSFET （金属 o化物）	390W		sp6-p	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			1000V （1kV）	22a		420MOHM @ 11a，10v	5V @ 2.5mA	186nc @ 10V		5200pf @ 25V	-
APTGF90A60D1G	-	RFQ	3083	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-	底盘安装	D1				标准	D1	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	半桥													npt			-				不
1月2N6782	-	RFQ	7371	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/556	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）			到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	3.5A（TC）	10V	610MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	8.1 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），15W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²