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晶体管（（1315）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 获得 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic | 当前 -收集器截止（最大） | NTC热敏电阻 | （CIES） @ vce | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 | 噪声图（ db typ @ f） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 10A015 | - |  | 8272 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 螺柱坐骑 | 55英尺 | 6W | 55英尺 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 9db〜9.5dB | 24V | 750mA | NPN | 20 @ 100mA，5V | 2.7GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| MS2213 | - | | 2256 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 250°C（TJ） | 底盘安装 | M214 | 75W | M214 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7.8dB | 55V | 3.5a | NPN | 15 @ 1A，5V | 960MHz〜1.215GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| APTM50DUM35TG | - | | 5820 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | APTM50 | MOSFET （金属 o化物） | 781W | SP4 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（双） | 500V | 99a | 39mohm @ 49.5a，10v | 5V @ 5mA | 280NC @ 10V | 14000pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||
| PP8064 | - | | 5718 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | Rohs不合规 | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 75096a | - | | 2812 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2441 | - | | 3373 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M112 | 1458W | M112 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6.5dB | 65V | 22a | NPN | 5 @ 250mA，5V | 1.025GHZ〜1.15GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| SD1536-08 | - | | 7496 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M105 | SD1536 | 292W | M105 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.4dB | 65V | 10a | NPN | 5 @ 100mA，5v | 1.025GHZ〜1.15GHz | - | ||||||||||||||||||||||
 | JAN2N3960UB | - | | 1666年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/399 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 2N3960 | 400兆 | UB | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 12 v | 10µA（ICBO） | NPN | 300mv @ 3mA，30mA | 60 @ 10mA，1V | - | ||||||||||||||||||||||
| MS2279 | - | | 5748 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1214-30 | - | | 5303 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55AW | 88W | 55AW | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7db | 50V | 4a | NPN | 20 @ 500mA，5V | 1.2GHz〜1.4GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| MSC74070 | - | | 5459 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANSR2N7381 | - | | 6692 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事，MIL-PRF-19500/614 | 托盘 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | TO-257-3 | MOSFET （金属 o化物） | TO-257 | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 200 v | 9.4A（TC） | 12V | 490MOHM @ 9.4a，12V | 4V @ 1mA | 50 NC @ 12 V | ±20V | - | 2W（2W），75W（tc） | |||||||||||||||||||||
| APTM20DAM10TG | - | | 4061 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | MOSFET （金属 o化物） | SP4 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 200 v | 175a（TC） | 10V | 12MOHM @ 87.5A，10V | 5V @ 5mA | 224 NC @ 10 V | ±30V | 13700 PF @ 25 V | - | 694W（TC） | |||||||||||||||||||
| 68225H | - | | 4985 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | * | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1014-6A | - | | 1686年 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | 55lv | 19w | 55lv | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7db〜7.5dB | 50V | 1a | NPN | - | 1GHz〜1.4GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| 80275h | - | | 5778 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT12057JLL | - | | 2549 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | PowerMos7® | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 底盘安装 | SOT-227-4，迷你布洛克 | APT12057 | MOSFET （金属 o化物） | SOT-227 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 1200 v | 19a（tc） | 10V | 570MOHM @ 10A，10V | 5V @ 2.5mA | 290 NC @ 10 V | ±30V | 6200 PF @ 25 V | - | 520W（TC） | |||||||||||||||||
 | APT18F60 | - | | 9706 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 8™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 表面安装 | TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA | APT18F60 | MOSFET （金属 o化物） | D3PAK | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 19a（tc） | 10V | 370MOHM @ 9A，10V | 5V @ 1mA | 90 NC @ 10 V | ±30V | 3550 pf @ 25 V | - | 335W（TC） | |||||||||||||||||
| MPA201HS | - | | 9626 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2422 | - | | 9221 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M138 | 875W | M138 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 6.3db | 65V | 22a | NPN | 10 @ 1A，5V | 960MHz〜1.215GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| 2N2944AUB | - | | 1334 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 2N2944 | 400兆 | UB | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 10 v | 100 ma | 10µA（ICBO） | PNP | - | 100 @ 1mA，500mv | - | |||||||||||||||||||||
 | 2N5014 | - | | 3349 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 通过洞 | TO-205AA，TO-5-3金属可以 | 1 w | TO-5 | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 900 v | 200 ma | 10NA（ICBO） | NPN | 30 @ 20mA，10v | - | |||||||||||||||||||||||||
| 80005 | - | | 3193 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | （1 （无限） | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 48042 | - | | 5753 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MS2393 | - | | 9370 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M138 | 583W | M138 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.2db | 65V | 11a | NPN | 5 @ 300mA，5V | 1.025GHZ〜1.15GHz | - | |||||||||||||||||||||||
| MS2209 | - | | 9367 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 200°C（TJ） | 底盘安装 | M218 | 220W | M218 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 8.4dB | 65V | 7a | NPN | 20 @ 2a，5v | 225MHz | - | |||||||||||||||||||||||
| 40036st | - | | 4266 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 62144 | - | | 7652 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 不适用 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTGT200SK60TG | - | | 8084 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | SP4 | 625 w | 标准 | SP4 | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 600 v | 290 a | 1.9V @ 15V，200a | 250 µA | 是的 | 12.3 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
 | APTC60HM83FT2G | - | | 4019 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | coolmos™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | APTC60 | MOSFET （金属 o化物） | 250W | 模块 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道（半桥） | 600V | 36a | 83mohm @ 18a，10v | 5V @ 3mA | 255nc @ 10V | 7290pf @ 25V | - |
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