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晶体管（（1315）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
JANTX2N6796U	-	RFQ	2604	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/557	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	8A（TC）	10V	195mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	28.51 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TA），25W（TC）
MRF555T	-	RFQ	9235	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	电源宏	MRF555			3W		电源宏	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000				11db〜12.5dB												16V	500mA									NPN		50 @ 100mA，5v	-	-
JAN2N6790U	-	RFQ	4404	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/555	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	18-CLCC			MOSFET （金属 o化物）			18-ulcc （9.14x7.49）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道			200 v	2.8A（TC）	10V	850MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
MSC280SMA120S	-	RFQ	6028	Microsemi Corporation	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA			sicfet （碳化硅）			d3pa k	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			1200 v	-	-	-	-		-		-	-
1月2N6768	-	RFQ	6393	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）				下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			400 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
APT9F100	-	RFQ	1035	Microsemi Corporation	Power MOS 8™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA			MOSFET （金属 o化物）			d3pa k	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			1000 v	9A（TC）	10V	1.6OHM @ 5A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2606 pf @ 25 V	-	337W（TC）
APT12067B2LLG	-	RFQ	6783	Microsemi Corporation	PowerMos7®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT12067		MOSFET （金属 o化物）			T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			1200 v	18A（TC）	10V	670MOHM @ 9A，10V	5V @ 2.5mA	150 NC @ 10 V	±30V	4420 PF @ 25 V	-	565W（TC）
APT35SM70S	-	RFQ	2332	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）			TO-247-3	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		-			700 v	35a	-	-	-		-		-	-
APT6017LFLLG	19.2000	RFQ	15	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			600 v	35A（TC）	10V	170MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 2.5mA	100 nc @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	500W（TC）
MS2589	-	RFQ	7869	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
2N6250	-	RFQ	7477	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C	通过洞	TO-204AA，TO-3				6 W		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	100																275 v	10 a						1ma			NPN	1.5V @ 1.25a，10a	8 @ 10a，3v	-
MS1076C	-	RFQ	1560年	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1
APT11N80KC3G	-	RFQ	8224	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			800 v	11A（TC）	10V	450MOHM @ 7.1A，10V	3.9V @ 680µA	60 NC @ 10 V	±20V	1585 pf @ 25 V	-	156W（TC）
APT12080JVR	-	RFQ	3427	Microsemi Corporation	PowerMosv®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			1200 v	15A（TC）	10V	800MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 2.5mA	485 NC @ 10 V	±30V	7800 PF @ 25 V	-	450W（TC）
APTGF50TA120PG	-	RFQ	3607	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP6				312 w	标准	sp6-p	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	三期														npt	1200 v	75 a		3.7V @ 15V，50a				250 µA	不	3.45 NF @ 25 V
2N6790	-	RFQ	6717	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）			到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道			200 v	3.5A（TC）	10V	800MOHM @ 2.25A，10V	4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V		-	800MW（TC）
APTGF75DA120T1G	-	RFQ	6340	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1				500 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														npt	1200 v	100 a		3.7V @ 15V，75a				250 µA	是的	5.1 NF @ 25 V
APTGT35DA120D1G	-	RFQ	6218	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1				205 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的														沟渠场停止	1200 v	55 a		2.1V @ 15V，35a				5 ma	不	2.5 nf @ 25 V
JANTX2N7335	-	RFQ	9646	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/599	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N733		MOSFET （金属 o化物）	1.4W		MO-036AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	4个p通道				100V	750mA		1.4OHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	-		-	-
APTGT100DDA60T3G	-	RFQ	5509	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3				340 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	双提升斩波器														沟渠场停止	600 v	150 a		1.9V @ 15V，100a				250 µA	是的	6.1 NF @ 25 V
APT50GT120B2RDLG	18.4500	RFQ	8	Microsemi Corporation	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT50GT120	标准		694 w			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			800V，50a，4.7Ohm，15V												npt	1200 v	106 a	150 a	3.7V @ 15V，50a	（3585µJ）（1910µj of）	240 NC	23NS/215NS
aptgt30a60t1g	-	RFQ	5070	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1				90 W	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥														沟渠场停止	600 v	50 a		1.9V @ 15V，30a				250 µA	是的	1.6 nf @ 25 V
2N3960	-	RFQ	2949	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N3960			400兆		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	100																12 v							10µA（ICBO）			NPN	300mv @ 3mA，30mA	60 @ 10mA，1V	-
JANTX2N3251A	-	RFQ	7162	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/323	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3251			360兆w		TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1																60 V	200 ma						10µA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	-
PP8979	-	RFQ	2094	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的										-	Rohs不合规	不适用		过时的	0000.00.0000	1
APT5510JFLL	-	RFQ	2720	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10		n通道			550 v	44A（TC）	10V	100mohm @ 22a，10v	5V @ 2.5mA	124 NC @ 10 V	±30V	5823 PF @ 25 V	-	463W（TC）
JANS2N3810L/TR	-	RFQ	6037	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/336	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810					TO-78-6	下载			到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	50																							10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
68231H	-	RFQ	7101	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的										-		不适用		过时的	0000.00.0000	1
2307p	-	RFQ	5493	Microsemi Corporation	*	大部分	过时的										-		（1 （无限）		过时的	0000.00.0000	1
APT17N80BC3G	-	RFQ	9033	Microsemi Corporation	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30		n通道			800 v	17a（TC）	10V	290MOHM @ 11A，10V	3.9V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	208W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（1315）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²