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晶体管（（3821）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
NDB6060L	1.0000	RFQ	1081	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道				60 V	48A（TC）	5V，10V	20mohm @ 24a，10v	2V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2000 pf @ 25 V	-	100W（TC）
BD442STU	0.1900	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD442			36 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																	80 V	4 a	100µA	PNP	800mv @ 200mA，2a	40 @ 500mA，1V	3MHz
FDI8441	1.5600	RFQ	75	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道				40 V	26a（26a），80A（tc）	10V	2.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	280 NC @ 10 V	±20V	15 pf @ 25 V	-	300W（TC）
FCH041N65F-F085	9.5400	RFQ	163	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	35		n通道				650 v	76A（TC）	10V	41mohm @ 38a，10v	5V @ 250µA	304 NC @ 10 V	±20V	13566 pf @ 25 V	-	595W（TC）
HUF76132S3ST	0.9800	RFQ	9	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道				30 V	75A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	120W（TC）
FDD14AN06LA0	2.1500	RFQ	85	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				60 V	9.5A（ta），50a（50a）TC）	5V，10V	11.6mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	125W（TC）
FDP3652	1.0000	RFQ	6194	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道				100 v	（9A）（61A）（61a tc）	6V，10V	16mohm @ 61a，10v	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	2880 pf @ 25 V	-	150W（TC）
KSC2756YMTF	0.0200	RFQ	6280	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				150MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,295					15DB〜23DB												20V	30mA		NPN		120 @ 5mA，10v	850MHz	6.5db @ 200MHz
FDU6682	0.6100	RFQ	188	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				30 V	75a（ta）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 17a，10v	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±20V	2400 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
FQPF6N80T	1.1600	RFQ	5	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道				800 v	3.3A（TC）	10V	1.95OHM @ 1.65A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	51W（TC）
BD159STU	-	RFQ	7295	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD159			20 w	TO-126-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																	350 v	500 MA	100µA（ICBO）	NPN	-	30 @ 50mA，10v	-
irfu130atu	0.4100	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道				100 v	13A（TC）	10V	110MOHM @ 6.5a，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），41W（TC）
FQD3N50CTM	1.0000	RFQ	6715	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				500 v	2.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.25A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	365 pf @ 25 V	-	35W（TC）
HUF76629D3STR4885	0.3400	RFQ	6775	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8541.29.0095	225		n通道				100 v	20A（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±16V	1285 PF @ 25 V	-	150W（TJ）
FQN1N50CBU	-	RFQ	8745	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,447		n通道				500 v	380mA（TC）	10V	6ohm @ 190mA，10v	4V @ 250µA	6.4 NC @ 10 V	±30V	195 pf @ 25 V	-	890MW（TA），2.08W（TC）
FDS6812A	1.0000	RFQ	3538	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS68		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）					20V	6.7a		22mohm @ 6.7a，4.5V	1.5V @ 250µA	19nc @ 4.5V		1082pf @ 10V	逻辑级别门
FDBL9406	-	RFQ	8611	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDBL940		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,000														-
FQB6N60TM	1.3600	RFQ	19	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800		n通道				600 v	6.2A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.1a，10v	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），130W（tc）
SFR9230BTMAM002	-	RFQ	7165	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					SFR9230		-			-	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500														-
KSA643YTA	0.0500	RFQ	559	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																	20 v	500 MA	200NA（ICBO）	PNP	400mv @ 50mA，500a	120 @ 100mA，1V	-
KSC5024RTU	0.6700	RFQ	496	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				90 W	to-3pn	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	496																	500 v	10 a	10µA（ICBO）	NPN	1V @ 800mA，4a	15 @ 800mA，5V	18MHz
IRFN214BTA	0.1800	RFQ	152	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					IRFN214		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1,664														-
SFP9520	0.1900	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		P通道				100 v	6A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	49W（TC）
2N4126	0.0200	RFQ	75	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	到92	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1																	25 v	200 ma	50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	250MHz
2N5246	0.3000	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		-	JFET		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道		7ma	-	-											-
FDPC1012S	0.4300	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDPC1		MOSFET （金属 o化物）	800MW（ta），900MW（（	PowerClip-33	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	428	2 n 通道（双）					25V	（13A）（35a ta）（35a tc），26a（ta（88a tc）（88a tc）		7mohm @ 12a，4.5V，2.2Mohm @ 23A，4.5V	2.2V @ 250µA，2.2V @ 1mA	8NC @ 4.5V，25nc @ 4.5V		1075pf @ 13V，3456pf @ 13V	-
BD435S	-	RFQ	9366	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD435			36 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																	32 v	4 a	100µA	NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 10mA，5v	3MHz
FDD3672-F085	-	RFQ	7875	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FD3672-F085-600039			1		n通道				100 v	44A（TC）	6V，10V	47mohm @ 21a，6v	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1635 PF @ 25 V	-	144W（TC）
FQP5N20L	0.2900	RFQ	5	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				200 v	4.5A（TC）	5V，10V	1.2OHM @ 2.25a，10V	2V @ 250µA	6.2 NC @ 5 V	±20V	325 pf @ 25 V	-	52W（TC）
FDS8958	1.0000	RFQ	3491	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1	n和p通道					30V	7a，5a		28mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	26NC @ 10V		789pf @ 10V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3821）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²