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晶体管（（3821）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）
FDMS8023S	0.6200	RFQ	1	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	483	n通道		30 V	26a（26a），49a （TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 26a，10v	3V @ 1mA	57 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），59W（TC）
FQA10N60C	1.9700	RFQ	44	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30	n通道		600 v	10A（TC）	10V	730MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±30V	2040 pf @ 25 V	-	192W（TC）
FQA6N70	1.2400	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30	n通道		700 v	6.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.2A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 25 V	-	152W（TC）
FDD8770	0.4000	RFQ	79	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	742	n通道		25 v	35A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	3720 PF @ 13 V	-	115W（TC）
FDS3692	1.0000	RFQ	9168	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		100 v	4.5A（ta）	6V，10V	60mohm @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	746 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
HUF75631SK8T_NB82083	0.7100	RFQ	651	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	n通道		100 v	5.5A（ta）	10V	39mohm @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
HUF76639S3S	-	RFQ	3617	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	188	n通道		100 v	51A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 51a，10v	3V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±16V	2400 PF @ 25 V	-	180W（TC）
HUFA76429D3S	0.6000	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800	n通道		60 V	20A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
FGH30N6S2	0.9500	RFQ	7	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		167 w	TO-247	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	150		390V，12a，10ohm，15V											-	600 v	45 a	108 a	2.5V @ 15V，12A	55µJ（在）上，100µJ（100µJ）	23 NC	6NS/40NS
FQD6N50CTF	0.6000	RFQ	750	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		500 v	4.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），61W（TC）
FCPF22550N80Z	1.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	216	n通道		800 v	2.6A（TC）	10V	2.25OHM @ 1.3A，10V	4.5V @ 260µA	14 NC @ 10 V	±20V	585 pf @ 100 V	-	21.9W（TC）
FDH047AN08A0	1.0000	RFQ	9498	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		75 v	15A（TC）	6V，10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	138 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FDME910PZT	1.0000	RFQ	3527	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powerufdfn			MOSFET （金属 o化物）		Microfet 1.6x1.6薄	下载					Ear99	8542.39.0001	1	P通道		20 v	8a（8a）	1.8V，4.5V	24mohm @ 8a，4.5V	1.5V @ 250µA	21 NC @ 4.5 V	±8V	2110 PF @ 10 V	-	2.1W（TA）
HUF76131SK8T	0.4900	RFQ	10	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		30 V	10a（10a）	4.5V，10V	13mohm @ 10a，10v	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	1605 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
FQP2N60	0.9000	RFQ	84	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		600 v	2.4A（TC）	10V	4.7ohm @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	64W（TC）
HUF764233	-	RFQ	1419	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		60 V	35A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 35a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±16V	1060 pf @ 25 V	-	85W（TC）
FDT459N	0.4400	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	FDT45		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500	n通道		30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	35mohm @ 6.5a，10v	2V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	365 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
FDMF6823	-	RFQ	1548年	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-FDMF6823-600039			1
FQPF3N90	1.2300	RFQ	53	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道		900 v	2.1A（TC）	10V	4.25OHM @ 1.05a，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	43W（TC）
J112-D27Z	-	RFQ	1960年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载						0000.00.0000	1	n通道									-											35 v	5 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA	50欧姆
J176_D74Z	0.0700	RFQ	2241	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				350兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	333	P通道									-											30 V	2 ma @ 15 V	1 V @ 10 na	250欧姆
FGB30N6S2T	1.0000	RFQ	1724年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		167 w	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800		390V，12a，10ohm，15V											-	600 v	45 a	108 a	2.5V @ 15V，12A	（55µJ）（在），110µJ（110µJ）中	23 NC	6NS/40NS
FDMC0202S	0.2300	RFQ	16	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（3.3x3.3）	下载					Ear99	8542.29.0095	1	n通道		25 v	22.5a（TA），40a tc）	4.5V，10V	3.15MOHM @ 22.5A，10V	3V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±20V	2705 pf @ 13 V	-	2.3W（TA），52W（TC）
RF1K4915796	0.8200	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		30 V	6.3a（ta）	4.5V，10V	30mohm @ 6.3a，10v	3V @ 250µA	88 NC @ 20 V	±20V	1575 PF @ 25 V	-	2W（TA）
FQPF12N60C	-	RFQ	4076	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FQPF12N60C-600039			1	n通道		600 v	12A（TC）	10V	650MOHM @ 6A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2290 pf @ 25 V	-	51W（TC）
FDD5N50TM	0.3000	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		500 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	640 pf @ 25 V	-	40W（TC）
HUFA75332S3ST	0.4700	RFQ	44	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800	n通道		55 v	60a（TC）	10V	19mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	145W（TC）
FQAF16N50	2.7900	RFQ	8	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载					Ear99	8542.39.0001	108	n通道		500 v	11.3A（TC）	10V	320MOHM @ 5.65a，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	110W（TC）
FDMS5361L-F085	0.5000	RFQ	2	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDMS5361L-F085-600039			1	n通道		60 V	35A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 16.5a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1980 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FDP8443	1.2300	RFQ	12	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400	n通道		40 V	20A（20A），80a tc（TC）	10V	3.5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	9310 PF @ 25 V	-	188W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3821）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²