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晶体管（（3821）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FQB17P10TM	1.0100	RFQ	5526	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	281		P通道		100 v	16.5A（TC）	10V	190MOHM @ 8.25a，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），100W（TC）
FGI3040G2-F085	-	RFQ	5990	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		逻辑		150 w	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			300V，6.5a，1KOHM，5V											1.9 µs	-	400 v	41 a		1.25V @ 4V，6A	-	21 NC	- /4.8µs
FDY301NZ	-	RFQ	6207	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-89，SOT-490			MOSFET （金属 o化物）		SOT-523F	下载				Ear99	8542.39.0001	1		n通道		20 v	200ma（ta）	1.5V，4.5V	5ohm @ 200ma，4.5V	1.5V @ 250µA	1.1 NC @ 4.5 V	±12V	60 pf @ 10 V	-	625MW（TA）
FQP44N08	0.6100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		80 V	44A（TC）	10V	34mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	1430 pf @ 25 V	-	127W（TC）
FDB016N04AL7	-	RFQ	3084	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	FDB016		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载				Ear99	8542.39.0001	1		n通道		40 V	160a（TC）	10V	1.6mohm @ 80a，10v	3V @ 250µA	167 NC @ 10 V	±20V	11600 PF @ 25 V	-	283W（TC）
BC560ABU	0.0200	RFQ	6659	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	13,975																45 v	100 ma						15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
KSP8098TA	0.0200	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	2,000																60 V	500 MA						100NA	NPN	300mv @ 10mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
FDR8702H	0.7500	RFQ	254	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）	FDR87		MOSFET （金属 o化物）	800MW	Supersot™-8	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道			20V	3.6a，2.6a		38mohm @ 3.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	10NC @ 4.5V		650pf @ 10V	逻辑级别门
KSC2328AOTA	0.0800	RFQ	2998	Fairchild半导体	-	大部分	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）				1 w	TO-92-3	下载				Ear99	8542.39.0001	574																30 V	2 a						100NA（ICBO）	NPN	2V @ 30mA，1.5a	100 @ 500mA，2V	120MHz
FDS9431A-F085	-	RFQ	6085	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		20 v	3.5A（ta）		130MOHM @ 3.5A，4.5V	1V @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±8V	405 pf @ 10 V	-	1W（ta）
FDY2001PZ	0.0600	RFQ	161	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	FDY20		MOSFET （金属 o化物）	446MW	SOT-563F	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）			20V	150mA		8ohm @ 150mA，4.5V	1.5V @ 250µA	1.4NC @ 4.5V		100pf @ 10V	逻辑级别门
FQU5N60CTU	0.4300	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载				Ear99	8542.39.0001	695		n通道		600 v	2.8A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），49W（tc）
FQP5P20	1.0000	RFQ	1738年	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		200 v	4.8A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.4a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	75W（TC）
BD437S	0.2600	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD437			36 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																45 v	4 a						100µA	NPN	600mv @ 200mA，2a	30 @ 10mA，5V	3MHz
BC548	0.0400	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	2,000																30 V	100 ma						15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
提示115	1.0000	RFQ	4881	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示115			2 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																60 V	2 a						2mA	pnp-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	-
FGPF120N30TU	4.2700	RFQ	3	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		60 W	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			-												-	300 v	120 a	180 a	1.4V @ 15V，25a	-	112 NC	-
FDPF5N50FT	0.9100	RFQ	58	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载				Ear99	8542.39.0001	331		n通道		500 v	4.5A（TC）	10V	1.55OHM @ 2.25a，10V	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	28W（TC）
HGT1S20N36G3VL	1.8700	RFQ	58	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		逻辑		150 w	i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	400			300V，10a，25ohm，5V												-	395 v	37.7 a		1.9V @ 5V，20A	-	28.7 NC	- /15µs
HUF76423S3ST	0.6700	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	35A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 35a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±16V	1060 pf @ 25 V	-	85W（TC）
FDS9431	-	RFQ	7646	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				FDS99		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1												-
BC848AMTF	0.0500	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000																30 V	100 ma						15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
IRF640ACP001	0.8000	RFQ	47	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				IRF640		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	375												-
2N5210TFR	0.0200	RFQ	7068	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	-	不适用			Ear99	8541.21.0095	2,000																50 V	100 ma						50NA（iCBO）	NPN	700mv @ 1mA，10mA	200 @ 100µA，5V	30MHz
SGP13N60UFTU	0.2300	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP13N60	标准		60 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			300V，6.5a，50ohm，15V												-	600 v	13 a	52 a	2.6V @ 15V，6.5a	（85µJ）（在），95µJ（95µJ）中	25 NC	20N/70NS
FCPF650N80Z	-	RFQ	9256	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FCPF650		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载				Ear99	8542.39.0001	1		n通道		800 v	8A（TC）	10V	650MOHM @ 4A，10V	4.5V @ 800µA	35 NC @ 10 V	±20V	1565 PF @ 100 V	-	30.5W（TC）
FDD6680	1.4100	RFQ	199	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	12a（12A），46A（tc）	4.5V，10V	10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	1230 pf @ 15 V	-	3.3W（TA），56w（tc）
FDB33N25TM	-	RFQ	7869	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载				Ear99	8542.39.0001	1		n通道		250 v	33A（TC）	10V	94mohm @ 16.5A，10V	5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±30V	2135 PF @ 25 V	-	235W（TC）
HGT1S12N60C3DS	2.1000	RFQ	565	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		104 w	TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			-											32 ns	-	600 v	24 a	96 a	2.2V @ 15V，15a	-	71 NC	-
2N4403RP	0.0200	RFQ	349	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N4403			625兆	到92	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	1																40 V	600 MA						100NA	PNP	750mv @ 50mA，500mA	60 @ 1mA，10v	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3821）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²