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晶体管（（3821）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FQPF2N90	1.2000	RFQ	52	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	900 v	1.4A（TC）	10V	7.2OHM @ 700mA，10v	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	35W（TC）
FQAF28N15	0.8000	RFQ	473	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）			to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30		n通道	150 v	22a（TC）	10V	90mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±25V	1600 pf @ 25 V	-	102W（TC）
MMBT5962	-	RFQ	5656	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆		SOT-23-3	-					Ear99	8541.21.0095	1														45 v	100 ma		2NA（ICBO）			NPN	200mv @ 500µA，10mA	600 @ 10mA，5V	-
2N4124TFR	0.0200	RFQ	2405	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件			2156-2N4124TFR-FSTR	Ear99	8541.21.0075	2,000														25 v	200 ma		50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	300MHz
FP210-TL-E	0.2400	RFQ	4	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FP210-TL-E-600039			1
BC856BMTF	-	RFQ	3208	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856		310 MW		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000														65 v	100 ma		15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	150MHz
FDBL86210	-	RFQ	8016	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				FDBL862	-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,000											-
SS8050DBU	0.1000	RFQ	313	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			1 w		TO-92-3	下载					Ear99	8541.29.0075	2,929														25 v	1.5 a		100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 80mA，800mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
BC32725TF	-	RFQ	9485	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000														45 v	800 MA		100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
FQU6N25TU	0.5500	RFQ	6	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	70		n通道	250 v	4.4A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.2A，10V	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	300 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
FQU2N60CTLTU	0.3400	RFQ	5705	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5		n通道	600 v	1.9A（TC）	10V	4.7ohm @ 950mA，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
FDB6030L	0.4900	RFQ	22	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800		n通道	30 V	48a（ta）	4.5V，10V	13mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±20V	1250 pf @ 15 V	-	52W（TC）
FJX3003RTF	0.0200	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	FJX300		200兆		SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	100 ma		100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
FQB7N65CTM	1.4400	RFQ	7	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800		n通道	650 v	7A（TC）	10V	1.4OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1245 PF @ 25 V	-	173W（TC）
PN3643	0.0400	RFQ	40	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000														30 V	500 MA		50NA			NPN	220mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
FDPF5N50UTYDTU	0.6300	RFQ	49	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				FDPF5N	-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
HUF753373	-	RFQ	2357	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	400		n通道	55 v	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	109 NC @ 20 V	±20V	1775 PF @ 25 V	-	175W（TC）
NDS9953A	0.5700	RFQ	282	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS995	MOSFET （金属 o化物）	900MW		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	2.9a		130MOHM @ 1A，10V	2.8V @ 250µA	25nc @ 10V		350pf @ 10V	逻辑级别门
FMC7G30US60	-	RFQ	5546	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			125 w	三相桥梁整流器	-	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器												-	600 v	30 a	2.8V @ 15V，30a	250 µA	不	1.97 NF @ 30 V
D45C11	0.3600	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	D45C		60 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1														80 V	4 a		10µA			PNP	500mv @ 50mA，1a	40 @ 200ma，1V	32MHz
FQU2N60TU	0.6700	RFQ	10	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.7ohm @ 1A，10V	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
BD17910STU	0.4900	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			30 W		TO-126-3	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-BD17910STU-600039			1														80 V	3 a		100µA（ICBO）			NPN	800mv @ 100mA，1a	63 @ 150mA，2V	3MHz
BD239BTU	0.2600	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BD239		30 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,158														80 V	2 a		300µA			NPN	700mv @ 200mA，1a	15 @ 1A，4V	-
FQPF4N80	0.8300	RFQ	4136	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	334		n通道	800 v	2.2A（TC）	10V	3.6ohm @ 1.1a，10v	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	880 pf @ 25 V	-	43W（TC）
FDB16AN08A0	1.3700	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	239		n通道	75 v	（9A）（ta），58a tc（TC）	6V，10V	16mohm @ 58a，10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1857 PF @ 25 V	-	135W（TC）
KSC5030FRTU	0.9000	RFQ	7247	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-3P-3			60 W		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	300														800 v	6 a		10µA（ICBO）			NPN	2V @ 600mA，3a	10 @ 600mA，5V	-
KSR1102MTF	0.0700	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KSR1102		200兆		SOT-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	4,438														50 V	100 ma		100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250MHz
2N5550/D26Z	0.0200	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆		TO-92-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	15,000														140 v	600 MA		100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
FQI7N10LTU	0.3200	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	7.3A（TC）	5V，10V	350MOHM @ 3.65a，10V	2V @ 250µA	6 NC @ 5 V	±20V	290 pf @ 25 V	-	3.75W（ta），40W（TC）
FDPC1002S	0.3900	RFQ	10	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C〜150°C	表面安装	8-Powerwdfn	FDPC1	MOSFET （金属 o化物）	1.6W（ta），2W（ta）		PowerClip-33	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）		25V	（13a）（20a ta）（20a tc），27a（ta（60a tc）（60a tc）（TC）		6mohm @ 13A，10V，1.8MOHM @ 27A，10V	2.2V @ 250µA，2.2V @ 1mA	19nc @ 10v，64nc @ 10v		1240pf @ 13V，4335pf @ 13V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3821）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²