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晶体管（（3821）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDMS5361L	0.4600	RFQ	5	Fairchild半导体	*	大部分	积极的				FDMS5361		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000												-
FQD630TM	0.6100	RFQ	9	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		200 v	7A（TC）	10V	400MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），46W（TC）
HUF75631SK8T_NB82083	0.7100	RFQ	651	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道		100 v	5.5A（ta）	10V	39mohm @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
BC640BU	0.0200	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,000															80 V	1 a					100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
NDS9959	0.4700	RFQ	7722	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS995		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）			50V	2a		300MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	15nc @ 10V		250pf @ 25V	-
HUF75339G3	1.1300	RFQ	3	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	300		n通道		55 v	75A（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
FDW2516NZ	0.2900	RFQ	107	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	FDW25		MOSFET （金属 o化物）	1.1W	8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			20V	5.8a		30mohm @ 5.8A，4.5V	1.5V @ 250µA	12nc @ 5V		745pf @ 10V	逻辑级别门
FQP6P25	0.8300	RFQ	127	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		250 v	6A（TC）	10V	1.1OHM @ 3A，10V	5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	780 pf @ 25 V	-	90W（TC）
KSP222222ATA	0.0500	RFQ	96	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	6,497															40 V	600 MA					10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
RFP50N06_NL	-	RFQ	3974	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	50A（TC）	10V	22mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	2020 PF @ 25 V	-	131W（TC）
FDPF15N65	-	RFQ	2828	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		650 v	15A（TC）	10V	440MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	3095 pf @ 25 V	-	38.5W（TC）
FDB8860-F085	-	RFQ	2526	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDB8860-F085-600039			1		n通道		30 V	80A（TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 80A，10V	3V @ 250µA	214 NC @ 10 V	±20V	12585 pf @ 15 V	-	254W（TC）
RF1S50N06SM9A	0.8700	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	50A（TC）	10V	22mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	2020 PF @ 25 V	-	131W（TC）
FDD050N03B	1.0000	RFQ	7543	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±16V	2875 PF @ 15 V	-	65W（TC）
FDMS015N04B	1.0000	RFQ	8411	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		40 V	31.3a（TA），100A（tc）	10V	1.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±20V	8725 PF @ 20 V	-	2.5W（ta），104W（tc）
BD436S	-	RFQ	8546	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				36 W	TO-126-3	下载					Ear99	8541.29.0095	344															32 v	4 a					100µA	PNP	500mv @ 200mA，2a	40 @ 10mA，5v	3MHz
KSE13007H2SMTU	-	RFQ	3760	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	KSE13007				TO-220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																					-	NPN	3V @ 2a，8a	8 @ 2a，5v	4MHz
HUF76419D3ST	0.2500	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	20A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	27.5 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
2N6076	0.0200	RFQ	36	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000															25 v	500 MA					100NA	PNP	250mv @ 1mA，10mA	100 @ 10mA，1V	-
IRF9510R4941	-	RFQ	6749	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		P通道		100 v	3A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	20W（TC）
NDS8425	0.8200	RFQ	60	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS842		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		20 v	7.4a（ta）	2.7V，4.5V	22mohm @ 7.4a，4.5V	1.5V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±8V	1098 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FDMS86252L	-	RFQ	9092	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDMS86252L	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	4.4A（ta），12a （TC）	4.5V，10V	56mohm @ 4.4A，10V	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1335 PF @ 75 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
ZTX749A	0.1400	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1 w	TO-226	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,500															35 v	2 a					100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	100 @ 1A，2V	100MHz
ISL9V303333	1.4100	RFQ	3	Fairchild半导体	Ecospark®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		逻辑		150 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			300V，1KOHM，5V											-	360 v	21 a	1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4.8µs
SS9014ABU-FS	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				450兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1															45 v	100 ma					50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，100mA	60 @ 1mA，5V	270MHz
FQU5N40TU	0.5600	RFQ	28	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	535		n通道		400 v	3.4A（TC）	10V	1.6OHM @ 1.7A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
KST13MTF	0.0300	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST13			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000															30 V	300 MA					100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
2N3904TAR	-	RFQ	2085	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															40 V	200 ma					50NA	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
FDMA8051L	-	RFQ	8873	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	-						0000.00.0000	1		n通道		40 V	10A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1260 pf @ 20 V	-	2.4W（TA）
FQP2P25	-	RFQ	3576	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	750		P通道		250 v	2.3a（TC）	10V	4ohm @ 1.15a，10v	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	52W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3821）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²