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晶体管（（3821）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
U1898	0.0600	RFQ	9606	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,841		n通道									16pf @ 20V												40 V	15 ma @ 20 V	2 V @ 1 na		50欧姆
FDS6930A	0.3400	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS6930		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	946	2 n 通道（双）			30V	5.5a		40mohm @ 5.5a，10v	3V @ 250µA	7NC @ 5V		460pf @ 15V	逻辑级别门
KSA928AYBU	-	RFQ	7501	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3				1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	500																30 V	2 a									100NA（ICBO）		PNP	2V @ 30mA，1.5a	160 @ 500mA，2V	120MHz
BC560CTA	1.0000	RFQ	1751年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC560			500兆	TO-92-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																45 v	100 ma									15NA（icbo）		PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
KST3906MTF	1.0000	RFQ	5074	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST39			350兆	SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																40 V	200 ma									-		PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
FDN352AP	1.0000	RFQ	6950	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FDN352		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1		P通道		30 V	1.3a（ta）	4.5V，10V	180MOHM @ 1.3A，10V	2.5V @ 250µA	1.9 NC @ 4.5 V	±25V	150 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
sgh30n60ruftu	-	RFQ	2893	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	SGH30N60	标准		235 w	to-3pn	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	450			300V，30a，7ohm，15V												-	600 v	48 a	90 a	2.8V @ 15V，30a	（919µJ）（在），814µj（（（（）	85 NC	30ns/54ns
KSC1815Grta	0.0500	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																50 V	150 ma									100NA（ICBO）		NPN	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
FQP11N50CF	1.7700	RFQ	2	Fairchild半导体	FRFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	（195W）（TC）
FDB110N15A	1.0000	RFQ	4610	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		150 v	92A（TC）	10V	11mohm @ 92a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	4510 PF @ 75 V	-	234W（TC）
SGS6N60UFDTU	1.0000	RFQ	9771	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SGS6N	标准		22 W	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			300V，3A，80OHM，15V											52 ns	-	600 v	6 a	25 a	2.6V @ 15V，3A	（57µJ）（在），25µJ（25µJ）中	15 NC	15NS/60NS
HUF761213	0.4000	RFQ	26	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	47A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 47a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FDFM2N111	1.0000	RFQ	2243	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		Microfet 3x3mm	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	100mohm @ 4A，4.5V	1.5V @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 V	±12V	273 PF @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.7W（TA）
FQI5N20TU	0.3100	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		200 v	4.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.25a，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	270 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），52W（（ta）
MPSA43	0.0700	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																200 v	500 MA									100NA（ICBO）		NPN	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 1mA，10v	50MHz
KSC2258ASTU	0.1200	RFQ	33	Fairchild半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				4 W	TO-126-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	60																300 v	100 ma									-		NPN	1.2V @ 5mA，50mA	40 @ 40mA，20v	100MHz
NDS355AN-F169	-	RFQ	4005	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156S35555AN-F169-600039			1		n通道		30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	85MOHM @ 1.9A，10V	2V @ 250µA	5 nc @ 5 V	±20V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
TIP32C	-	RFQ	4328	Fairchild半导体	TIP32C	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	476																100 v	3 a									300µA		PNP	1.2V @ 375mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
IRFS520A	0.3400	RFQ	2724	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	640		n通道		100 v	7.2A（TC）	10V	200mohm @ 3.6a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 25 V	-	28W（TC）
FQPF13N10	0.6100	RFQ	146	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	8.7A（TC）	10V	180MOHM @ 4.35a，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±25V	450 pf @ 25 V	-	30W（TC）
KSD5041QTA	0.0900	RFQ	65	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSD5041			750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																20 v	5 a									100NA（ICBO）		NPN	1V @ 100mA，3a	230 @ 500mA，2V	150MHz
SSU2N60BTU	0.3200	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	1.8A（TC）	10V	5ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
HUF75829D3	0.4900	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道		150 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	70 NC @ 20 V	±20V	1080 pf @ 25 V	-	110W（TC）
FQI4N25TU	0.1900	RFQ	8002	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,175		n通道		250 v	3.6A（TC）	10V	1.75OHM @ 1.8A，10V	5V @ 250µA	5.6 NC @ 10 V	±30V	200 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），52W（（ta）
BC550	0.0400	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																45 v	100 ma									15NA（icbo）		NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
KSC838YTA	0.0200	RFQ	1999	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,751																30 V	30 ma									100NA（ICBO）		NPN	400mv @ 1mA，10mA	120 @ 2mA，12v	250MHz
FQP6N25	0.3100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		250 v	5.5A（TC）	10V	1OHM @ 2.75a，10V	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	300 pf @ 25 V	-	63W（TC）
KSB564ACGTA	0.0200	RFQ	5217	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	514																25 v	1 a									100NA（ICBO）		PNP	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	110MHz
FDPF51N25YDTU	1.9700	RFQ	566	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		250 v	51A（TC）	10V	60mohm @ 25.5a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	3410 PF @ 25 V	-	38W（TC）
MMBT3906	-	RFQ	9960	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT			250兆	SOT-23-3（TO-236）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																40 V	200 ma									50NA		PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3821）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²