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晶体管(226)

参考图片	产品编号	价格（美元）	数量	电子计算机辅助设计	可用数量	重量（公斤）	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	RoHS 状态	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
	2SK425-T1B-A	-	询价		8928	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的										2156-2SK425-T1B-A			1
	2SC4554(7)-S6-AZ	-	询价		4586	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的										2156-2SC4554(7)-S6-AZ			1
	UPA1602GS-E1-A	1.5500	询价		62	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的	-40℃～85℃	表面贴装	16-SOIC（0.220英寸，5.59毫米宽）	UPA1602	MOSFET（金属O化物）	1W（塔）	16-SOP	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-UPA1602GS-E1-A	EAR99	8542.39.0001	1	7 N 沟道		30V	430mA（塔）		5.3欧姆@150mA，4.5V	1V@150mA	-		10皮法	-
	2SJ197-T1-AZ	-	询价		8658	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		SOT-89	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SJ197-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道	60V	1.5A（塔）	4V、10V	1欧姆@500mA，10V	3V@1mA		±20V	220pF@10V	-	2W（塔）
	HAT2202C-EL-E	0.2900	询价		46	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-HAT2202C-EL-E	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道	20V	3A（塔）	2.5V、4.5V	40毫欧@1.5A，4.5V	1.4V@1mA	6nC@4.5V	±12V	520pF@10V	-	200毫W
	2SB601-AZ	1.5000	询价		4	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			1.5W	TO-220AB	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SB601-AZ	EAR99	8541.29.0095	1													100伏	5A	10微安	PNP-达林顿	1.5V@3mA，3A	2000 @ 3A，2V	-
	UPA1722G-E2-A	-	询价		6348	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP			2156-UPA1722G-E2-A			1		N沟道	30V	9A（塔）	4V、10V	21毫欧@4.5A，10V	2.5V@1mA	20nC@10V	±20V	980pF@10V	-	2W（塔）
	UPA2378T1P-E1-A	0.3700	询价		60	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的								不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-UPA2378T1P-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1
	FA4L4L-T1B-A	0.0300	询价		第348章	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	FA4L4L		200毫W	SC-59	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-FA4L4L-T1B-A	EAR99	8541.29.0095	1													50V	100毫安	100纳安	NPN - 预偏置	200mV@250μA，5mA	90@5mA，5V		47欧姆	22欧姆
	2SK3714(0)-S12-AZ	2.3600	询价		7	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3隔离片		MOSFET（金属O化物）		MP-45F	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK3714(0)-S12-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	50A（温度）	4V、10V	13毫欧@25A，10V	2.5V@1mA	60nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	2W（Ta）、35W（Tc）
	RJK6002DPH-E0#T2	0.8700	询价		3	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		TO-251	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-RJK6002DPH-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	600伏	2A（塔）	10V	6.8欧姆@1A，10V	4.5V@1mA	6.2nC@10V	±30V	165pF@25V	-	30W（温度）
	NP80N055MHE-S18-AY	2.2400	询价		2	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的	175℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		MP-25K	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-NP80N055MHE-S18-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	55V	80A（温度）	10V	11毫欧@40A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	3600pF@25V	-	1.8W（Ta）、120W（Tc）
	N0302P-T1-AT	-	询价		9693	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-N0302P-T1-AT	EAR99	8541.21.0095	1		P沟道	30V	4A（塔）	4V、10V	54毫欧@2.2A，10V	2.5V@1mA	14nC@10V	±20V	620pF@10V	-	200毫W（塔）
	2SK4178-ZK-E1-AY	0.7100	询价		27号	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK4178-ZK-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	30V	48A（温度）	4.5V、10V	9毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	1500pF@10V	-	1W（Ta）、33W（Tc）
	2SD1581-T-AZ	-	询价		6400	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	3-SSIP				-			2156-2SD1581-T-AZ			1															100nA（ICBO）	NPN	300mV@10mA，1A	800@500mA，5V	350兆赫
	2SJ607-ZJ-AZ	1.0000	询价		5250	0.00000000	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SJ607-ZJ-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道	60V	83A（温度）	4V、10V	11毫欧@42A，10V	2.5V@1mA	188nC@10V	±20V	7500pF@10V	-	1.5W（Ta）、160W（Tc）

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