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参考图片	产品编号	（（（）	数量	ECAD	可用数量	（kg）	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
	2SB601-AZ	1.5000	RFQ		4	0.00000000	肾脏	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				1.5 w	TO-220AB	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SB601-AZ	Ear99	8541.29.0095	1															100 v	5 a					10µA	pnp-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	2000 @ 3A，2V	-
	2SD1581-T-AZ	-	RFQ		6400	0.00000000	肾脏	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	3-SSIP					-	-			2156-2SD1581-T-AZ			1																					100NA（ICBO）	NPN	300mv @ 10mA，1a	800 @ 500mA，5V	350MHz
	NP89N04PUK-E1-AY	-	RFQ		1610	0.00000000	肾脏	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-3	-			2156-NP89N04PUK-E1-AY			1	n通道		40 V	90A（TC）	10V	2.95MOHM @ 45A，5V	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），147W（TC）
	2SK1521-E1-E ＃T2	-	RFQ		4426	0.00000000	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-264-3，TO-264AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-264	-			2156-2SK1521-E1-E ＃T2			1	n通道		450 v	50a	10V	100mohm @ 25a，10v	3V @ 1mA		±30V	8700 PF @ 10 V	-	250W（TC）
	RJK5013DPP-00 ＃T2	4.9400	RFQ		2	0.00000000	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FN	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-RJK5013DPP-00 t2	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		500 v	14A（TA）	10V	465MOHM @ 7A，10V	4.5V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	30W（TC）
	RJK0703DPP-E0 ＃T2	-	RFQ		9258	0.00000000	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-			2156-RJK0703DPP-E0 ＃T2			1	n通道		75 v	70a（ta）	10V	6.7MOHM @ 35A，10V	4V @ 1mA	56 NC @ 10 V	±20V	4150 pf @ 10 V	-	25W（TC）
	FA4L4L-T1B-A	0.0300	RFQ		348	0.00000000	肾脏	-	大部分	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FA4L4L			200兆	SC-59	-	Rohs不合规	供应商不确定	2156-FA4L4L-T1B-A	Ear99	8541.29.0095	1															50 V	100 ma					100NA	npn-预先偏见	200mv @ 250µA，5mA	90 @ 5mA，5V		47科姆斯	22 KOHMS
	ce2f3p-t-az	0.7000	RFQ		2	0.00000000	肾脏	-	大部分	过时的		通过洞	3-SSIP	CE2F3P			1 w	-	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-CE2F3P-T-az	Ear99	8541.29.0095	431															60 V	2 a					100NA	npn-预先偏见	-	1000 @ 1A，5V		2.2 kohms	10 kohms
	RJK1001DPP-E0＃t2	-	RFQ		7375	0.00000000	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-			2156-RJK1001DPP-E0 ＃T2			1	n通道		100 v	80a（ta）	10V	5.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 1mA	147 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 10 V	-	30W（TC）
	2SJ162-E	-	RFQ		1385	0.00000000	肾脏	-	大部分	积极的	150°C	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-			2156-2SJ162-E			1	P通道		160 v	7a（ta）	10V	-	1.45V @ 100mA		±15V	900 pf @ 10 V	-	100W（TC）
	RJK6013DPP-E0 ＃T2	4.4900	RFQ		2	0.00000000	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-RJK6013DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		600 v	11a（11a）	10V	700MOHM @ 5.5A，10V	4.5V @ 1mA	37.5 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	30W（TC）
	RJH60D1DPP-E0 ＃T2	1.5200	RFQ		1	0.00000000	肾脏	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		30 W	TO-220FP	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-RJH60D1DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1		300V，10a，5ohm，15V											70 ns	沟	600 v	20 a	2.5V @ 15V，10a	（100µJ）（在130µJ）（OFF）	13 NC	30ns/42ns
	2SC5293（0）-t-az	-	RFQ		1101	0.00000000	肾脏	-	大部分	过时的									-			2156-2SC5293（0）-t-az			1
	2SA1871-T1-AZ	0.8100	RFQ		5	0.00000000	肾脏	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				2 w	MP-2	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SA1871-T1-AZ	Ear99	8541.29.0095	1															600 v	1 a					10µA（ICBO）	PNP	1V @ 60mA，300mA	30 @ 100mA，5V	30MHz
	2SD571-AZ	-	RFQ		5114	0.00000000	肾脏	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-SSIP					-	-			2156-2SD571-AZ			1																					100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 2mA，20mA	-	110MHz
	2SK2857-T1-AZ	0.5000	RFQ		14	0.00000000	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-243AA			MOSFET （金属 o化物）		SC-62	下载	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SK2857-T1-AZ	Ear99	8541.29.0075	1	n通道		60 V	4A（ta）	4V，10V	150MOHM @ 2.5a，10V	2V @ 1mA	10.6 NC @ 10 V	±20V	265 pf @ 10 V	-	2W（TA）

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