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（226））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RJK5014DPP-E0 ＃T2	5.4200	RFQ	12	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	Rohs不合规	到达不受影响	2156-RJK5014DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	56		n通道		500 v	（19a ta）	10V	390MOHM @ 9.5A，10V	4.5V @ 1mA	46 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	35W（TC）
HS54095TZ-E	0.7900	RFQ	7	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			MOSFET （金属 o化物）		到92	-	Rohs不合规	供应商不确定	2156-HS54095TZ-E	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	200ma（ta）	10V	16.5OHM @ 100mA，10V	5V @ 1mA	4.8 NC @ 10 V	±30V	66 pf @ 25 V	-	750MW（TA）
2SJ529L06-E	0.9400	RFQ	60	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AB			MOSFET （金属 o化物）		DPAK（l） - 2）	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SJ529L06-E	Ear99	8541.29.0095	1		P通道		60 V	10a（10a）	4V，10V	160MOHM @ 5A，10V	2V @ 1mA		±20V	580 pf @ 10 V	-	20W（TC）
HAT2203C-EL-E	0.2300	RFQ	9	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	-	Rohs不合规	供应商不确定	2156-HAT2203C-EL-E	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		20 v	2A（TA）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 1A，4.5V	1.4V @ 1mA	1.8 NC @ 4.5 V	±12V	165 pf @ 10 V	-	830MW（TA）
RJK6012DPP-E0 ＃T2	2.6600	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-RJK6012DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	10a（10a）	10V	920MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	30W（TA）
UPA1759G-E1-A	0.5300	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-Powersop	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-UPA1759G-E1-A	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	5A（TC）	4V，10V	150MOHM @ 2.5a，10V	2.5V @ 1mA	8 nc @ 10 V	±20V	190 pf @ 10 V	-	2W（TA）
RQA0004LXAQ＃h1	-	RFQ	8694	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-243AA			MOSFET （金属 o化物）		Upak	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-RQA0004LXAQS＃h1	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		16 V	300mA（TA）	-	-	900mv @ 1mA		±5V	10 pf @ 0 V	-	（3W）（TA）
NP82N10PUF-E1-AY	2.4900	RFQ	6	肾脏	-	大部分	过时的	175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-3	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-NP82N10PUF-E1-AY	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	82A（TC）	5.8V，10V	15mohm @ 41a，10v	3.3V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±20V	4350 pf @ 25 V	-	1.8W（150W），150w tc）
HAT1091C-EL-E	0.2500	RFQ	21	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	-	Rohs不合规	供应商不确定	2156-HAT1091C-EL-E	Ear99	8541.29.0095	1		P通道		20 v	1.5A（TA）	2.5V，4V	175mohm @ 800mA，4.5V	1.4V @ 1mA	2.6 NC @ 4.5 V	±12V	200 pf @ 10 V	-	830MW（TA）
2SC4942-T1-AZ	1.2500	RFQ	6	肾脏	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				2 w	MP-2	下载	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SC4942-T1-AZ	Ear99	8541.29.0095	1																600 v	1 a						10µA（ICBO）	NPN	1V @ 80mA，400mA	30 @ 100mA，5v	30MHz
UPA2756GR-E1-A	0.8200	RFQ	14	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度）	UPA2756		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-Powersop	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-UPA2756GR-E1-A	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			60V	4A（ta）		105MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	6NC @ 10V		260pf @ 10V	-
2SK3455B-S17-AY	3.3600	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		ITO-220（MP-45F）	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SK3455B-S17-AY	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	12A（TC）	10V	600mohm @ 6a，10v	3.5V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 10 V	-	2W（TA），50W（TC）
NP32N055SLE-E1-AZ	1.6400	RFQ	60	肾脏	-	大部分	过时的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-NP32N055SLE-E1-AZ	Ear99	8541.29.0075	1		n通道		55 v	32a（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	1.2W（TA），66W（tc）
NP80N055KLE-E1-AY	2.2400	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的	175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-3	下载	Rohs不合规	到达不受影响	2156-NP80N055KLE-E1-AY	Ear99	8541.29.0075	135		n通道		55 v	80A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），120W（tc）
2SK3354-az	3.7400	RFQ	946	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SK3354-az	Ear99	8541.29.0075	1		n通道		60 V	83A（TC）	4V，10V	8mohm @ 42a，10v	2.5V @ 1mA	106 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 10 V	-	1.5W（TA），100W（TC）
UPA1981TE-T1-A	0.2400	RFQ	27	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	SC-95	UPA1981		MOSFET （金属 o化物）	1W（ta）	SC-95	-	Rohs不合规	供应商不确定	2156-UPA1981TE-T1-A	Ear99	8542.39.0001	1	n和p通道			8V	2.8A（ta）		70mohm @ 2.8a，5v，105mohm @ 1.9a，2.5V	200mv @ 2.8a，200mv @ 1.9a	-		-	-
RQA0008RXDQS＃h1	0.5900	RFQ	40	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-243AA			MOSFET （金属 o化物）		Upak	-	Rohs不合规	供应商不确定	2156-RQA0008RXDQS＃h1	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		16 V	2.4A（TA）	-	-	800mv @ 1mA		±5V	44 pf @ 0 V	-	10W（TC）
2SK3377-Z-AZ	0.8300	RFQ	771	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SK3377-Z-AZ	Ear99	8541.29.0075	1		n通道		60 V	20A（TA）	4V，10V	44mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	17 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 10 V	-	1W（TA），30W（TC）
2SK3813-az	-	RFQ	4491	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		MP-3	-			2156-2SK3813-az			1		n通道		40 V	60a（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 1mA	96 NC @ 10 V	±20V	5500 pf @ 10 V	-	1W（ta），84W tc（TC）
2SJ179-T2-AZ	-	RFQ	5513	肾脏	-	大部分	过时的									-			2156-2SJ179-T2-AZ			1
2SK3366-az	-	RFQ	5372	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		MP-3	-			2156-2SK3366-AZ			1		n通道		30 V	20A（TA）	10V	21mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	730 pf @ 10 V	-	1W（TA），30W（TC）
2SK1591W-T1B-A	-	RFQ	3764	肾脏	-	大部分	过时的									-			2156-2SK1591W-T1B-A			1
HAT1108C-EL-E	-	RFQ	8371	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	-			2156-HAT1108C-EL-E			1		P通道		30 V	1.5A（TA）	4.5V	194MOHM @ 750mA，10V	2V @ 1mA	3 NC @ 10 V	±20V	160 pf @ 10 V	-	830MW（TA）
2SJ603（0）-z-e1-az	-	RFQ	9402	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263，TO-220SMD	-			2156-2SJ603（0）-z-e1-az			1		P通道		60 V	25A（TC）	10V	48mohm @ 13a，10v	2.5V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 10 V	-	1.5W（ta），50W（TC）
RJH65D27BDPQ-A0 ＃T2	-	RFQ	7829	肾脏	-	大部分	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		375 w	TO-247A	-			2156-RJH65D27BDPQ-A0 t2			1			400V，50a，10ohm，15V											80 ns	沟	650 v	100 a	200 a	1.65V @ 15V，50a	1MJ（在）上，1.5MJ（OFF）	175 NC	20NS/165NS
2SA1843（0）-t-az	-	RFQ	1831年	肾脏	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	3-SIP					-	-			2156-2SA1843（0）-t-az			1																							10µA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，4a	100 @ 1A，2V	80MHz
HAT1089C-EL-E	-	RFQ	9103	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	-			2156-HAT1089C-EL-E			1		P通道		20 v	2A（TA）	2.5V，4.5V	103MOHM @ 1A，4.5V	1.4V @ 1mA	4.5 NC @ 4.5 V	±12V	365 pf @ 10 V	-	850MW（TA）
RJP4301APP-00 ＃T2	-	RFQ	4204	肾脏	-	大部分	过时的									-			2156-RJP4301APP-00 ＃T2			1
NP69N03ZHGW-U	-	RFQ	7422	肾脏	-	大部分	积极的									-			2156-NP69N03ZHGW-U			1
2SK4092-S35-A	2.8400	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3P（MP-88）	下载	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SK4092-S35-A	Ear99	8541.29.0075	1		n通道		600 v	21a（TC）	10V	400mohm @ 10a，10v	3.5V @ 1mA	50 NC @ 10 V	±30V	3240 pf @ 10 V	-	（3W）（200W）（200w tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（226））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²