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（226））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
UPA2371T1P-E1-A	0.5800	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的	-	表面安装	4-uflga	UPA2371	MOSFET （金属 o化物）	-	4-Eflip（1.62x1.62）	-	Rohs不合规	供应商不确定	2156-UPA2371T1P-E1-A	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）		24V	6a		-	-	-		-	-
2SK3377-Z-AZ	0.8300	RFQ	771	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SK3377-Z-AZ	Ear99	8541.29.0075	1		n通道	60 V	20A（TA）	4V，10V	44mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	17 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 10 V	-	1W（TA），30W（TC）
2SK4150TZ-E	0.6300	RFQ	19	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	-	Rohs不合规	供应商不确定	2156-2SK4150TZ-E	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	250 v	400mA（TA）	2.5V，4V	5.7OHM @ 200mA，4V	1.5V @ 1mA	3.7 NC @ 4 V	±10V	80 pf @ 25 V	-	750MW（TA）
2SK1958-T1-A	0.0700	RFQ	69	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	8-tssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-mmpak	-	Rohs不合规	供应商不确定	2156-2SK1958-T1-A	Ear99	8541.21.0095	1		n通道	16 V	（100mA）（TA）	1.5V，4V	12ohm @ 10mA，4V	1.1V @ 10µA		±7V	10 pf @ 3 V	-	150MW（TA）
2SK3902-ZK-E1-AY	1.2100	RFQ	2	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-3	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SK3902-ZK-E1-AY	Ear99	8541.29.0075	1		n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	21mohm @ 15a，10v	2.5V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 10 V	-	1.5W（ta），45W（（（（（（（（（
2SJ358-T1-AZ	0.8400	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-243AA		MOSFET （金属 o化物）		MP-2	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SJ358-T1-AZ	Ear99	8541.29.0095	1		P通道	60 V	3A（3A）	4V，10V	300MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 1mA	23.9 NC @ 10 V	+10V，-20V	600 pf @ 10 V	-	2W（TA）
RJL5014DPP-E0 ＃T2	5.7400	RFQ	2	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-	Rohs不合规	供应商不确定	2156-RJL5014DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	（19a ta）	10V	400MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±30V	1700 PF @ 25 V	-	35W（TC）
HAT1093C-EL-E	0.2500	RFQ	30	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	下载	Rohs不合规	供应商不确定	2156-HAT1093C-EL-E	Ear99	8541.29.0095	1		P通道	12 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	54mohm @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 1mA	11 NC @ 4.5 V	±8V	940 pf @ 10 V	-	900MW（TA）
HAT1089C-EL-E	-	RFQ	9103	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	-			2156-HAT1089C-EL-E			1		P通道	20 v	2A（TA）	2.5V，4.5V	103MOHM @ 1A，4.5V	1.4V @ 1mA	4.5 NC @ 4.5 V	±12V	365 pf @ 10 V	-	850MW（TA）
2SJ529L06-E	0.9400	RFQ	60	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AB		MOSFET （金属 o化物）		DPAK（l） - 2）	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SJ529L06-E	Ear99	8541.29.0095	1		P通道	60 V	10a（10a）	4V，10V	160MOHM @ 5A，10V	2V @ 1mA		±20V	580 pf @ 10 V	-	20W（TC）
UPA1770G-E1-A	1.6800	RFQ	2	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA1770	MOSFET （金属 o化物）	750MW（TA）	8-sop	-	Rohs不合规	供应商不确定	2156-UPA1770G-E1-A	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）		20V	6a（6a）		37MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 1mA	11NC @ 4.5V		1300pf @ 10V	-
2SK1954-Z-E1-AZ	-	RFQ	3177	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		MP-3Z	-			2156-2Sk1954-Z-e1-az			1		n通道	180 v	4A（ta）	10V	650MOHM @ 2A，10V	4V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 10 V	-	1W（ta），20W（20W）TC）
NP69N03ZHGW-U	-	RFQ	7422	肾脏	-	大部分	积极的								-			2156-NP69N03ZHGW-U			1
RJK5026DPP-E0 ＃T2	2.9500	RFQ	4	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-RJK5026DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	6a（6a）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±30V	440 pf @ 25 V	-	28.5W（TC）
RJP4301APP-00 ＃T2	-	RFQ	4204	肾脏	-	大部分	过时的								-			2156-RJP4301APP-00 ＃T2			1
NP90N04VUG-E1-AY	-	RFQ	8968	肾脏	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZP）	-			2156-NP90N04VUG-E1-AY			1		n通道	40 V	90A（TC）	10V	4mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）
2SK3482-Z-e2-az	-	RFQ	7930	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	-			2156-2SK3482-Z-e2-az			1		n通道	100 v	36a	4.5V，10V	33mohm @ 18a，10v	2.5V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 10 V	-	1W
2SK3402-az	1.3800	RFQ	2	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	下载	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SK3402-AZ	Ear99	8541.29.0075	1		n通道	60 V	36a（TC）	4V，10V	15mohm @ 18a，10v	2.5V @ 1mA	61 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 10 V	-	1W（ta），40W（40W）TC）
UPA1601GS-E1-A	1.8400	RFQ	40	肾脏	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-SOIC （0.220英寸，5.59mm）	UPA1601	MOSFET （金属 o化物）	1W（ta）	16 SOP	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-UPA1601GS-E1-A	Ear99	8542.39.0001	163	7 n通道		30V	270mA（ta）		5.3OHM @ 150mA，4V	800mv @ 150mA	-		15pf @ 10V	-
HS54095TZ-E	0.7900	RFQ	7	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	-	Rohs不合规	供应商不确定	2156-HS54095TZ-E	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	200ma（ta）	10V	16.5OHM @ 100mA，10V	5V @ 1mA	4.8 NC @ 10 V	±30V	66 pf @ 25 V	-	750MW（TA）
2SK4092-S35-A	2.8400	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-3P（MP-88）	下载	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SK4092-S35-A	Ear99	8541.29.0075	1		n通道	600 v	21a（TC）	10V	400mohm @ 10a，10v	3.5V @ 1mA	50 NC @ 10 V	±30V	3240 pf @ 10 V	-	（3W）（200W）（200w tc）
2SK3366-az	-	RFQ	5372	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		MP-3	-			2156-2SK3366-AZ			1		n通道	30 V	20A（TA）	10V	21mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	730 pf @ 10 V	-	1W（TA），30W（TC）
RJK5030DPD-03＃j2	0.9900	RFQ	6	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		MP-3A	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-RJK5030DPD-03＃j2	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	5A（5A）	10V	1.6OHM @ 2A，10V	4.5V @ 1mA		±30V	550 pf @ 25 V	-	41.7W（TC）
RJK1003DPP-E0 ＃T2	2.4000	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	Rohs不合规	到达不受影响	2156-RJK1003DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	100 v	50a（ta）	10V	11mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	59 NC @ 10 V	±20V	4150 pf @ 10 V	-	25W（TC）
RQM2201DNS ＃P0	1.1800	RFQ	32	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	6-WDFN暴露垫	RQM2201	MOSFET （金属 o化物）	1.5W（TA）	6-hwson（3x3）	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-RQM2201DNS ＃P0	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）		60V	2A（TA）		225MOHM @ 1A，4.5V	1.4V @ 1mA	2.4NC @ 4.5V		200pf @ 10V	-
2SK3813-az	-	RFQ	4491	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		MP-3	-			2156-2SK3813-az			1		n通道	40 V	60a（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 1mA	96 NC @ 10 V	±20V	5500 pf @ 10 V	-	1W（ta），84W tc（TC）
2SJ461-T1B-A	-	RFQ	9937	肾脏	-	大部分	过时的								-			2156-2SJ461-T1B-A			1
HAT1108C-EL-E	-	RFQ	8371	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	-			2156-HAT1108C-EL-E			1		P通道	30 V	1.5A（TA）	4.5V	194MOHM @ 750mA，10V	2V @ 1mA	3 NC @ 10 V	±20V	160 pf @ 10 V	-	830MW（TA）
2SJ604-ZJ-e1-az	2.1600	RFQ	662	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-2SJ604-ZJ-E1-AZ	Ear99	8541.29.0095	1		P通道	60 V	45A（TC）	4V，10V	30mohm @ 23A，10V	2.5V @ 1mA	63 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 10 V	-	1.5W（ta），70W（70W）TC）
UPA1759G-E1-A	0.5300	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的	150°C	表面安装	8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-Powersop	-	Rohs不合规	到达不受影响	2156-UPA1759G-E1-A	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	5A（TC）	4V，10V	150MOHM @ 2.5a，10V	2.5V @ 1mA	8 nc @ 10 V	±20V	190 pf @ 10 V	-	2W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（226））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²