晶体管(226)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
UPA1727G-E1-AT	1.5400	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA1727G-E1-AT	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	10A（塔）	4V、10V	19毫欧@5A，10V	2.5V@1mA	45nC@10V	±20V	2400pF@10V	-	2W（塔）
RQA0009TXDQS#H1	-	询价	第1446章	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		尤帕克	-				2156-RQA0009TXDQS#H1			1		N沟道	16V	3.2A（塔）	-	-	0.8V@1mA		±5V	76pF@0V	-	15W（温度）
2SK3435-AZ	2.6000	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3435-AZ	EAR99	8541.29.0075	116		N沟道	60V	80A（温度）	10V	14毫欧@40A，10V	2.5V@1mA	60nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	1.5W（Ta）、84W（Tc）
2SJ603(0)-Z-E1-AZ	-	询价	9402	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-				2156-2SJ603(0)-Z-E1-AZ			1		P沟道	60V	25A（温度）	10V	48毫欧@13A，10V	2.5V@1mA	38nC@10V	±20V	1900pF@10V	-	1.5W（Ta）、50W（Tc）
NP80N04KHE-E1-AZ	1.6500	询价	800	瑞萨	-	大部分	过时的	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP80N04KHE-E1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	40V	80A（温度）	10V	8毫欧@40A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	3300pF@25V	-	1.8W（Ta）、120W（Tc）
2SK3755-AZ	-	询价	1934年	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3隔离片		MOSFET（金属O化物）		MP-45F	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3755-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	40V	45A（温度）	4.5V、10V	12毫欧@23A，10V	2.5V@1mA	10V时为25.5nC	±20V	1200pF@10V	-	2W（Ta）、24W（Tc）
2SK3402-ZK-E1-AY	1.3800	询价	17号	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3402-ZK-E1-AY	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	60V	36A（温度）	4V、10V	15毫欧@18A，10V	2.5V@1mA	61nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	1W（Ta）、40W（Tc）
UPA2700TP-E2-AZ	-	询价	7014	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）裸露焊盘		MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	-				2156-UPA2700TP-E2-AZ			1		N沟道	30V	17A（塔）	4V、10V	5.3毫欧@9A，10V	2.5V@1mA	26nC@5V	±20V	2600pF@10V	-	2W（塔）
2SJ461-T1B-A	-	询价	9937	瑞萨	-	大部分	过时的								-				2156-2SJ461-T1B-A			1
2SA952-TA	0.2400	询价	1	瑞萨	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-2SA952-TA-1833			1
HAT1108C-EL-E	-	询价	8371	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-				2156-HAT1108C-EL-E			1		P沟道	30V	1.5A（塔）	4.5V	194mOhm@750mA，10V	2V@1mA	3nC@10V	±20V	160pF@10V	-	830毫W（塔）
2SC4942-AZ	1.2500	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			2W	MP-2	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SC4942-AZ	EAR99	8541.29.0095	1													600伏	1A	10μA（ICBO）	NPN	1V@80mA、400mA	30@100mA，5V	30兆赫兹
2SK3366-AZ	-	询价	5372	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		MP-3	-				2156-2SK3366-AZ			1		N沟道	30V	20A（塔）	10V	21毫欧@10A，10V	2.5V@1mA	15nC@10V	±20V	730pF@10V	-	1W（Ta）、30W（Tc）
2SK1581-T1B-A	0.1600	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SC-59	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK1581-T1B-A	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道	16V	200mA（塔）	2.5V、4V	5欧姆@1mA，4V	1.6V@10μA		±16V	27pF@3V	-	200毫W（塔）
2SK3353-AZ	3.4500	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3353-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	82A（温度）	4V、10V	9.5毫欧@41A，10V	2.5V@1mA	90nC@10V	±20V	4650pF@10V	-	1.5W（Ta）、95W（Tc）
HAT1093C-EL-E	0.2500	询价	30	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT1093C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道	12V	3A（塔）	1.8V、4.5V	54毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@1mA	11nC@4.5V	±8V	940pF@10V	-	900毫W（塔）
2SK4092-S35-A	2.8400	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		MOSFET（金属O化物）		TO-3P (MP-88)	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK4092-S35-A	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	600伏	21A（温度）	10V	400毫欧@10A，10V	3.5V@1mA	50nC@10V	±30V	10V时为3240pF	-	3W（Ta）、200W（Tc）
2SK3402-AZ	1.3800	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3402-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	60V	36A（温度）	4V、10V	15毫欧@18A，10V	2.5V@1mA	61nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	1W（Ta）、40W（Tc）
UPA1981TE-T1-A	0.2400	询价	27	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	SC-95	UPA1981	MOSFET（金属O化物）	1W（塔）	SC-95	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA1981TE-T1-A	EAR99	8542.39.0001	1	N 和 P 沟道		8V	2.8A（塔）		70毫欧@2.8A、5V、105毫欧@1.9A、2.5V	200mV @ 2.8A, 200mV @ 1.9A	-		-	-
2SK1168-E	-	询价	9196	瑞萨	-	大部分	过时的								-				2156-2SK1168-E			1
UPA1770G-E1-AT	-	询价	3730	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）	750毫W（塔）	8-PowerSOP	-				2156-UPA1770G-E1-AT			1	2 N 沟道		20V	6A（塔）		37毫欧@3A，4.5V	1.5V@1mA	11nC@4.5V		1300pF@10V	标准
2SK3455B-S17-AY	3.3600	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		ITO-220 (MP-45F)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3455B-S17-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	500V	12A（温度）	10V	600mOhm@6A，10V	3.5V@1mA	30nC@10V	±30V	1800pF@10V	-	2W（Ta）、50W（Tc）
RJL5014DPP-E0#T2	5.7400	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RJL5014DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	500V	19A（塔）	10V	400毫欧@9.5A，10V	4V@1mA	43nC@10V	±30V	1700pF@25V	-	35W（温度）
2SK3902-ZK-E1-AY	1.2100	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3902-ZK-E1-AY	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	60V	30A（温度）	4.5V、10V	21毫欧@15A，10V	2.5V@1mA	25nC@10V	±20V	1200pF@10V	-	1.5W（Ta）、45W（Tc）
2SB736-D-T1-A	-	询价	3910	瑞萨	-	大部分	过时的								-				2156-2SB736-D-T1-A			1
2SC4942-T1-AZ	1.2500	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			2W	MP-2	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SC4942-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1													600伏	1A	10μA（ICBO）	NPN	1V@80mA、400mA	30@100mA，5V	30兆赫兹
2SK3482-Z-E2-AZ	-	询价	7930	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	-				2156-2SK3482-Z-E2-AZ			1		N沟道	100V	36A	4.5V、10V	33毫欧@18A，10V	2.5V@1mA	72nC@10V	±20V	3600pF@10V	-	1W
2SK3430-Z-E2-AZ	-	询价	2663	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-				2156-2SK3430-Z-E2-AZ			1		N沟道	40V	80A（温度）	4V、10V	7.3毫欧@40A，10V	2.5V@1mA	50nC@10V	±20V	2800pF@10V	-	1.5W（Ta）、84W（Tc）
UPA2752GR-E2-A	1.3000	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2752	MOSFET（金属O化物）	1.7W（塔）	8-SOP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA2752GR-E2-A	EAR99	8541.21.0095	1	2 个 N 沟道（双）		30V	8A（温度）		23毫欧@4A，10V	2.5V@1mA	10nC@10V		480pF@10V	-
2SK1591W-T1B-A	-	询价	3764	瑞萨	-	大部分	过时的								-				2156-2SK1591W-T1B-A			1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(226)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²