SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
UPA1911ATE(0)-T1-A Renesas UPA1911(0)-t1-a -
RFQ
ECAD 1649年 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 SC-95 MOSFET (金属 o化物) SC-95 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UPA1911ATE (0)-t1-a Ear99 8541.29.0095 1 P通道 20 v 2.5a(ta) 2.5V,4.5V 115MOHM @ 1.5A,4.5V 1.5V @ 1mA 2.3 NC @ 4 V ±12V 370 pf @ 10 V - 200mw(ta)
2SK4178-ZK-E1-AY Renesas 2SK4178-ZK-E1-AY 0.7100
RFQ
ECAD 27 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252(MP-3ZK) - Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SK4178-ZK-E1-AY Ear99 8541.29.0095 1 n通道 30 V 48A(TC) 4.5V,10V 9mohm @ 30a,10v 2.5V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 1500 pf @ 10 V - 1W(TA),33W(tc)
2SJ607-ZJ-AZ Renesas 2SJ607-ZJ-AZ 1.0000
RFQ
ECAD 5250 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263 - Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SJ607-ZJ-AZ Ear99 8541.29.0095 1 P通道 60 V 83A(TC) 4V,10V 11mohm @ 42a,10v 2.5V @ 1mA 188 NC @ 10 V ±20V 7500 PF @ 10 V - 1.5W(TA),160W(tc)
RJL5013DPP-E0#T2 Renesas RJL5013DPP-E0 #T2 -
RFQ
ECAD 2825 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP - Rohs不合规 供应商不确定 2156-RJL5013DPP-E0 #T2 Ear99 8541.29.0095 52 n通道 500 v 14A(TA) 10V 510MOHM @ 7A,10V 4V @ 1mA 37.6 NC @ 10 V ±30V 1400 pf @ 25 V - 30W(TC)
2SD1579-T-AZ Renesas 2SD1579-T-AZ 1.3100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 3-SSIP 1 w - - Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SD1579-T-AZ Ear99 8541.21.0075 1 80 V 1.5 a 1ma npn-达灵顿 1.5V @ 1mA,1a 2000 @ 1A,2V 60MHz
RJH1DF7RDPQ-80#T2 Renesas RJH1DF7RDPQ-80 #T2 5.6100
RFQ
ECAD 400 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 250 w TO-247 - Rohs不合规 到达不受影响 2156-RJH1DF7RDPQ-80 #T2 Ear99 8541.29.0095 1 600V,35A,5OHM,15V - 1350 v 60 a 2.55V @ 15V,35a - 58NS/144NS
2SK2933-E Renesas 2SK2933-E 1.6300
RFQ
ECAD 261 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220CFM - rohs3符合条件 到达不受影响 2156-2SK2933-E Ear99 8541.29.0095 1 n通道 60 V 15A(TA) 4V,10V 52MOHM @ 8A,10V 2.5V @ 1mA ±20V 500 pf @ 10 V - 25W(TA)
2SC3380ASTR-E Renesas 2SC3380ASTR-E 0.3300
RFQ
ECAD 16 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA 1 w Upak 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SC3380ASTR-E Ear99 8541.29.0095 1 300 v 100 ma 1µA NPN 1.5V @ 2mA,20mA 30 @ 20mA,20v 80MHz
N0302P-T1-AT Renesas N0302P-T1-AT -
RFQ
ECAD 9693 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 MOSFET (金属 o化物) SOT-23F - Rohs不合规 供应商不确定 2156-N0302P-T1-AT Ear99 8541.21.0095 1 P通道 30 V 4A(ta) 4V,10V 54mohm @ 2.2a,10v 2.5V @ 1mA 14 NC @ 10 V ±20V 620 pf @ 10 V - 200mw(ta)
2SC4554(7)-S6-AZ Renesas 2SC4554(7)-s6-az -
RFQ
ECAD 4586 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 2156-2SC4554(7)-s6-az 1
2SJ197-T1-AZ Renesas 2SJ197-T1-AZ -
RFQ
ECAD 8658 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-243AA MOSFET (金属 o化物) SOT-89 - Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SJ197-T1-AZ Ear99 8541.29.0095 1 P通道 60 V 1.5A(TA) 4V,10V 1ohm @ 500mA,10v 3V @ 1mA ±20V 220 pf @ 10 V - 2W(TA)
2SD571(1)-T(ND)-AZ Renesas 2SD571(1)-t(nd)-az -
RFQ
ECAD 4035 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 2156-2SD571(1)-t(t(nd)-az 1
2SD1581-AZ Renesas 2SD1581-az -
RFQ
ECAD 6243 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 3-SSIP - - 2156-2SD1581-AZ 1 100NA(ICBO) NPN 300mv @ 10mA,1a 800 @ 500mA,5V 350MHz
NP80N055MHE-S18-AY Renesas NP80N05555555555MHE-S18-AY 2.2400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 175°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) MP-25K - Rohs不合规 到达不受影响 2156-NP80N0N05555555-S18-AY Ear99 8541.29.0095 1 n通道 55 v 80A(TC) 10V 11mohm @ 40a,10v 4V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 25 V - 1.8W(ta),120W​​(tc)
2SK1590-T1B-A Renesas 2SK1590-T1B-A -
RFQ
ECAD 4271 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 2156-2SK1590-T1B-A 1
UPA1740TP-E1-AZ Renesas UPA1740TP-E1-AZ 1.7300
RFQ
ECAD 282 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-Powersoic(0.173“,4.40mm宽度) MOSFET (金属 o化物) 8-hsop 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2156-UPA1740TP-E1-AZ Ear99 8541.29.0075 1 n通道 200 v 7A(TC) 10V 440MOHM @ 3.5A,10V 4.5V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±30V 420 pf @ 10 V - 1W(1W),22W(22W)TC)
RJK6002DPH-E0#T2 Renesas RJK6002DPH-E0#t2 0.8700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) TO-251 - Rohs不合规 到达不受影响 2156-RJK6002DPH-E0 #T2 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 2A(TA) 10V 6.8ohm @ 1A,10V 4.5V @ 1mA 6.2 NC @ 10 V ±30V 165 pf @ 25 V - 30W(TC)
2SK3402-Z-E1-AZ Renesas 2SK3402-Z-e1-az -
RFQ
ECAD 1817年 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252(MP-3Z) - 2156-2SK3402-Z-e1-az 1 n通道 60 V 36a(TC) 4V,10V 15mohm @ 18a,10v 2.5V @ 1mA 61 NC @ 10 V ±20V 3200 PF @ 10 V - 1W(ta),40W(40W)TC)
UPA2793GR(0)-E1-AZ Renesas UPA2793GR(0)-e1-az 1.7100
RFQ
ECAD 75 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) UPA2793 MOSFET (金属 o化物) 2W(TA) 8-sop - Rohs不合规 到达不受影响 2156-UPA2793GR(0)-e1-az Ear99 8541.29.0095 1 n和p通道 40V 7a(ta) 15mohm @ 3.5a,10v,26mohm @ 3.5a,10v 2.5V @ 1mA 40NC @ 10V,45nc @ 10V 2200pf @ 10V -
2SK3714-S12-AZ Renesas 2SK3714-S12-AZ 2.0100
RFQ
ECAD 139 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-220-3隔离选项卡 MOSFET (金属 o化物) MP-45F 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SK3714-S12-AZ Ear99 8541.29.0075 1 n通道 60 V 50A(TC) 4V,10V 13mohm @ 25a,10v 2.5V @ 1mA 60 NC @ 10 V ±20V 3200 PF @ 10 V - 2W(TA),35W(tc)(TC)
RJH60D1DPP-E0#T2 Renesas RJH60D1DPP-E0 #T2 1.5200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 标准 30 W TO-220FP - Rohs不合规 到达不受影响 2156-RJH60D1DPP-E0 #T2 Ear99 8541.29.0095 1 300V,10a,5ohm,15V 70 ns 600 v 20 a 2.5V @ 15V,10a (100µJ)(在130µJ)(OFF) 13 NC 30ns/42ns
CE2F3P-T-AZ Renesas ce2f3p-t-az 0.7000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 通过洞 3-SSIP CE2F3P 1 w - - Rohs不合规 到达不受影响 2156-CE2F3P-T-az Ear99 8541.29.0095 431 60 V 2 a 100NA npn-预先偏见 - 1000 @ 1A,5V 2.2 kohms 10 kohms
2SK2857-T1-AZ Renesas 2SK2857-T1-AZ 0.5000
RFQ
ECAD 14 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-243AA MOSFET (金属 o化物) SC-62 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SK2857-T1-AZ Ear99 8541.29.0075 1 n通道 60 V 4A(ta) 4V,10V 150MOHM @ 2.5a,10V 2V @ 1mA 10.6 NC @ 10 V ±20V 265 pf @ 10 V - 2W(TA)
UPA1722G-E2-A Renesas UPA1722G-E2-A -
RFQ
ECAD 6348 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) MOSFET (金属 o化物) 8-sop - 2156-UPA1722G-E2-A 1 n通道 30 V 9a(9a) 4V,10V 21MOHM @ 4.5A,10V 2.5V @ 1mA 20 nc @ 10 V ±20V 980 pf @ 10 V - 2W(TA)
2SJ358C-T1-AZ Renesas 2SJ358C-T1-AZ 0.7700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-243AA MOSFET (金属 o化物) MP-2 下载 Rohs不合规 供应商不确定 2156-2SJ358C-T1-AZ Ear99 8541.21.0075 1 P通道 60 V 3.5A(ta) 4V,10V 143MOHM @ 2A,10V 2.5V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±20V 666 pf @ 10 V - 2W(TA)
FS20LM-5A-E4#C02 Renesas FS20LM-5A-E4 #C02 -
RFQ
ECAD 1938年 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 2156-FS20LM-5A-E4 #C02 1
2SK3326(2)-AZ Renesas 2SK3326 (2)-az -
RFQ
ECAD 1431 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 2156-2SK3326(2)-2 1
FA4L4L-T1B-A Renesas FA4L4L-T1B-A 0.0300
RFQ
ECAD 348 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FA4L4L 200兆 SC-59 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-FA4L4L-T1B-A Ear99 8541.29.0095 1 50 V 100 ma 100NA npn-预先偏见 200mv @ 250µA,5mA 90 @ 5mA,5V 47科姆斯 22 KOHMS
RJK6013DPP-E0#T2 Renesas RJK6013DPP-E0 #T2 4.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP - Rohs不合规 到达不受影响 2156-RJK6013DPP-E0 #T2 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 11a(11a) 10V 700MOHM @ 5.5A,10V 4.5V @ 1mA 37.5 NC @ 10 V ±30V 1450 pf @ 25 V - 30W(TC)
2SC5293(0)-T-AZ Renesas 2SC5293(0)-t-az -
RFQ
ECAD 1101 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 2156-2SC5293(0)-t-az 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库