晶体管(226)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
HAT2196C-EL-E	0.2600	询价	18	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-HAT2196C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	20V	2.5A（塔）	2.5V、4.5V	58毫欧@1.3A，4.5V	1.4V@1mA	2.8nC@4.5V	±12V	270pF@10V	-	850毫W（塔）
UPA1740TP-E1-AZ	1.7300	询价	第282章	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-UPA1740TP-E1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	200V	7A（温度）	10V	440毫欧@3.5A，10V	4.5V@1mA	12nC@10V	±30V	420pF@10V	-	1W（Ta）、22W（Tc）
2SC4554(7)-S6-AZ	-	询价	4586	瑞萨	-	大部分	过时的								-			2156-2SC4554(7)-S6-AZ			1
2SK3402-Z-E1-AZ	-	询价	1817	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	-			2156-2SK3402-Z-E1-AZ			1		N沟道	60V	36A（温度）	4V、10V	15毫欧@18A，10V	2.5V@1mA	61nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	1W（Ta）、40W（Tc）
2SK3813-Z-AZ	-	询价	7024	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		MP-3	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK3813-Z-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	40V	60A（温度）	4.5V、10V	5.3毫欧@30A，10V	2.5V@1mA	96nC@10V	±20V	5500pF@10V	-	1W（Ta）、84W（Tc）
2SB605-AZ	-	询价	2348	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	3-SSIP				-	-			2156-2SB605-AZ			1															100nA（ICBO）	国民党	350mV@50mA、500mA	90@100mA，1V	120兆赫
2SK3654W-S17-AY	-	询价	4030	瑞萨	-	大部分	过时的								-			2156-2SK3654W-S17-AY			1
RJK6013DPP-E0#T2	4.4900	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-RJK6013DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	600伏	11A（塔）	10V	700毫欧@5.5A，10V	4.5V@1mA	10V时为37.5nC	±30V	1450pF@25V	-	30W（温度）
2SJ604-Z-AZ	1.8100	询价	4755	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SJ604-Z-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道	60V	45A（温度）	4V、10V	30毫欧@23A，10V	2.5V@1mA	63nC@10V	±20V	3300pF@10V	-	1.5W（Ta）、70W（Tc）
2SK3714-S12-AZ	2.0100	询价	139	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3隔离片		MOSFET（金属O化物）		MP-45F	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK3714-S12-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	60V	50A（温度）	4V、10V	13毫欧@25A，10V	2.5V@1mA	60nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	2W（Ta）、35W（Tc）
2SD1579-T-AZ	1.3100	询价	8	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	3-SSIP			1W	-	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SD1579-T-AZ	EAR99	8541.21.0075	1													80V	1.5A	1毫安	NPN-达林顿	1.5V@1mA、1A	2000 @ 1A，2V	60兆赫
2SC4783-T1-A	-	询价	9066	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416				SC-75	-			2156-2SC4783-T1-A			1															10μA（ICBO）	NPN	300毫伏@10毫安，100毫安	90@1mA，6V	250兆赫
2SK2157C-T1-AZ	0.8100	询价	34	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		MP-2	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK2157C-T1-AZ	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道	30V	3.5A（塔）	2.5V、4.5V	63毫欧@2A，4.5V	1.5V@1mA	4nC@4V	±12V	260pF@10V	-	2W（塔）
UPA2706GR-E2-AT	1.1600	询价	19号	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-UPA2706GR-E2-AT	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道	30V	11A（Ta）、20A（Tc）	4V、10V	15毫欧@5.5A，10V	2.5V@1mA	7.1nC@5V	±20V	660pF@10V	-	3W（Ta）、15W（Tc）
GA4F3M(0)-T1-A	0.0800	询价	63	瑞萨	-	大部分	过时的		表面贴装	SC-70、SOT-323	GA4F3M		150毫W	SC-70	下载	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-GA4F3M(0)-T1-A	EAR99	8541.29.0095	1													50V	100毫安	100纳安	NPN - 预偏置	200mV@250μA，5mA	50@50mA，5V		2欧姆	2欧姆
RJK5013DPP-E0#T2	4.9400	询价	17号	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-RJK5013DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	61		N沟道	500V	14A（塔）	10V	465毫欧@7A，10V	4.5V@1mA	38nC@10V	±30V	1450pF@25V	-	30W（温度）
2SK3433(0)-Z-E1-AZ	1.3300	询价	第714章	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK3433(0)-Z-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	40A（温度）	4V、10V	26毫欧@20A，10V	2.5V@1mA	30nC@10V	±20V	1500pF@10V	-	1.5W（Ta）、47W（Tc）
2SJ358C-T1-AZ	0.7700	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		MP-2	下载	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-2SJ358C-T1-AZ	EAR99	8541.21.0075	1		P沟道	60V	3.5A（塔）	4V、10V	143毫欧@2A，10V	2.5V@1mA	12nC@10V	±20V	666pF@10V	-	2W（塔）
NP89N04PUK-E1-AY	-	询价	1610	瑞萨	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	-			2156-NP89N04PUK-E1-AY			1		N沟道	40V	90A（温度）	10V	2.95毫欧@45A，5V	4V@250μA	10V时为102nC	±20V	5850pF@25V	-	1.8W（Ta）、147W（Tc）
FS20LM-5A-E4#C02	-	询价	1938年	瑞萨	-	大部分	过时的								-			2156-FS20LM-5A-E4#C02			1
2SK425-T1B-A	-	询价	8928	瑞萨	-	大部分	过时的								-			2156-2SK425-T1B-A			1
UPA1602GS-E1-A	1.5500	询价	62	瑞萨	-	大部分	过时的	-40℃～85℃	表面贴装	16-SOIC（0.220英寸，5.59毫米宽）	UPA1602	MOSFET（金属O化物）	1W（塔）	16-SOP	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-UPA1602GS-E1-A	EAR99	8542.39.0001	1	7 N 沟道		30V	430mA（塔）		5.3欧姆@150mA，4.5V	1V@150mA	-		10皮法	-
2SK2933-E	1.6300	询价	261	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220CFM	-	符合ROHS3标准	REACH 不出行	2156-2SK2933-E	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	15A（塔）	4V、10V	52mOhm@8A，10V	2.5V@1mA		±20V	500pF@10V	-	25W（塔）
2SK1590-T1B-A	-	询价	4271	瑞萨	-	大部分	过时的								-			2156-2SK1590-T1B-A			1
2SK1521-E1-E#T2	-	询价	4426	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-264-3、TO-264AA		MOSFET（金属O化物）		TO-264	-			2156-2SK1521-E1-E#T2			1		N沟道	450伏	50A	10V	100mOhm@25A，10V	3V@1mA		±30V	8700pF@10V	-	250W（温度）
GA1A4Z-T1-A	0.1100	询价	11	瑞萨	-	大部分	过时的		表面贴装	SC-70、SOT-323	GA1A4Z		150毫W	SC-70	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-GA1A4Z-T1-A	EAR99	8541.29.0095	2,719													50V	100毫安	100纳安	NPN - 预偏置	200mV@250μA，5mA	135@5mA，5V		10欧姆
2SC5293(0)-T-AZ	-	询价	1101	瑞萨	-	大部分	过时的								-			2156-2SC5293(0)-T-AZ			1
RJL5013DPP-E0#T2	-	询价	2825	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-RJL5013DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	52		N沟道	500V	14A（塔）	10V	510毫欧@7A，10V	4V@1mA	10V时为37.6nC	±30V	1400pF@25V	-	30W（温度）
2SK4178-ZK-E1-AY	0.7100	询价	27号	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK4178-ZK-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	30V	48A（温度）	4.5V、10V	9毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	1500pF@10V	-	1W（Ta）、33W（Tc）
HAT2202C-EL-E	0.2900	询价	46	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-HAT2202C-EL-E	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道	20V	3A（塔）	2.5V、4.5V	40毫欧@1.5A，4.5V	1.4V@1mA	6nC@4.5V	±12V	520pF@10V	-	200毫W

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(226)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²