晶体管(226)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
2SK3899(0)-ZK-E1-AY	-	询价	6127	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	-			2156-2SK3899(0)-ZK-E1-AY			1		N沟道			60V	84A（温度）	4.5V、10V	5.3毫欧@42A，10V	2.5V@1mA	96nC@10V	±20V	5500pF@10V	-	1.5W（塔）、146W（塔）
HAT2205C-EL-E	0.2600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	6-SMD，写入			MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	下载	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-HAT2205C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			12V	3A（塔）	1.8V、4.5V	50毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@1mA	6nC@4.5V	±8V	430pF@10V	-	200毫W（塔）
2SD1694(2)-S2-AZ	-	询价	6768	瑞萨	-	大部分	过时的									-			2156-2SD1694(2)-S2-AZ			1
RJK6011DP3-A0#J2	0.9900	询价	45	瑞萨	-	大部分	过时的	-	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA			MOSFET（金属O化物）		SOT-223	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-RJK6011DP3-A0#J2	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道			600伏	100毫安	-	-	-		-		-	-
RJK1002DPP-E0#T2	-	询价	6033	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-			2156-RJK1002DPP-E0#T2			1		N沟道			100伏	80A（塔）	10V	7.6毫欧@35A，10V	4V@1mA	147nC@10V	±20V	10000pF@10V	-	30W（温度）
2SK2112W-T1-AZ	-	询价	5869	瑞萨	-	大部分	过时的									-			2156-2SK2112W-T1-AZ			1
2SB605-T-AZ	-	询价	5729	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	3-SSIP					-	-			2156-2SB605-T-AZ			1																					100nA（ICBO）	国民党	350mV@50mA、500mA	90@100mA，1V	120兆赫
RJK0603DPN-E0#T2	-	询价	4152	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220ABS	-			2156-RJK0603DPN-E0#T2			1		N沟道			60V	80A（塔）	10V	5.2毫欧@40A，10V	4V@1mA	57nC@10V	±20V	4150pF@10V	-	125W（温度）
UPA1808GR-9JG-E1-A	0.6000	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-PowerTSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8 电源 TSSOP	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-UPA1808GR-9JG-E1-A	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道			30V	9.5A（塔）	4V、10V	17毫欧@5A，10V	2.5V@1mA	13nC@10V	±20V	660pF@10V	-	2W（塔）
2SB804-D-T1-AZ	-	询价	6963	瑞萨	-	大部分	过时的									-			2156-2SB804-D-T1-AZ			1
RJK5013DPP-00#T2	4.9400	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220FN	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-RJK5013DPP-00#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			500V	14A（塔）	10V	465毫欧@7A，10V	4.5V@1mA	38nC@10V	±30V	1450pF@25V	-	30W（温度）
2SK2925L06-E	-	询价	6499	瑞萨	-	大部分	过时的									-			2156-2SK2925L06-E			1
2SK2858(0)-T1-AT	-	询价	4525	瑞萨	-	大部分	过时的									-			2156-2SK2858(0)-T1-AT			1
2SK3326(2)-AZ	-	询价	第1431章	瑞萨	-	大部分	过时的									-			2156-2SK3326(2)-AZ			1
2SD571-AZ	-	询价	5114	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	3-SSIP					-	-			2156-2SD571-AZ			1																					100nA（ICBO）	NPN	600mV@2mA、20mA	-	110兆赫
2SC3380ASTR-E	0.3300	询价	16	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				1W	尤帕克	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SC3380ASTR-E	EAR99	8541.29.0095	1																300伏	100毫安				1微安	NPN	1.5V@2mA、20mA	30@20mA，20V	80兆赫
2SD1694(1)-AZ	-	询价	第1562章	瑞萨	-	大部分	过时的									-			2156-2SD1694(1)-AZ			1
RJH1DF7RDPQ-80#T2	5.6100	询价	400	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		250W	TO-247	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-RJH1DF7RDPQ-80#T2	EAR99	8541.29.0095	1			600V，35A，5欧姆，15V												-	1350伏	60A	2.55V@15V，35A	-	58纳秒/144纳秒
RJK1001DPP-E0#T2	-	询价	7375	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-			2156-RJK1001DPP-E0#T2			1		N沟道			100伏	80A（塔）	10V	5.5毫欧@40A，10V	4V@1mA	147nC@10V	±20V	10000pF@10V	-	30W（温度）
2SC2721-AZ	-	询价	9912	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	3-SSIP				1W	-	-			2156-2SC2721-AZ			1				-												60V	700毫安					NPN		90@100mA，1V	110兆赫			-
2SD571(1)-T(ND)-AZ	-	询价	4035	瑞萨	-	大部分	过时的									-			2156-2SD571(1)-T(ND)-AZ			1
RJK0225DNS-00#J5	-	询价	9419	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-PowerVDFN			MOSFET（金属O化物）		8-HVSON (3x3.3)	-			2156-RJK0225DNS-00#J5			1		N沟道			25V	30A（塔）	4.5V、10V	7.2毫欧@15A，10V	2.5V@1mA	8.5nC@4.5V	+16V，-12V	10V时为2310pF	-	30W（塔）
UPA2793GR(0)-E1-AZ	1.7100	询价	75	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2793		MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-SOP	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-UPA2793GR(0)-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1	N 和 P 沟道				40V	7A（塔）		15mOhm @ 3.5A, 10V, 26mOhm @ 3.5A, 10V	2.5V@1mA	10V时为40nC，10V时为45nC		2200pF@10V	-
2SD1581-AZ	-	询价	6243	瑞萨	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	3-SSIP					-	-			2156-2SD1581-AZ			1																					100nA（ICBO）	NPN	300mV@10mA，1A	800@500mA，5V	350兆赫
CE2F3P-T-AZ	0.7000	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		通孔	3-SSIP	CE2F3P			1W	-	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-CE2F3P-T-AZ	EAR99	8541.29.0095	第431章																60V	2A				100纳安	NPN - 预偏置	-	1000 @ 1A，5V		2.2欧姆	10欧姆
2SA1871-T1-AZ	0.8100	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				2W	MP-2	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SA1871-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1																600伏	1A				10μA（ICBO）	国民党	1V@60mA、300mA	30@100mA，5V	30兆赫兹
RJK0703DPP-E0#T2	-	询价	9258	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-			2156-RJK0703DPP-E0#T2			1		N沟道			75V	70A（塔）	10V	6.7毫欧@35A，10V	4V@1mA	56nC@10V	±20V	4150pF@10V	-	25W（温度）
2SK4070-ZK-E1-AY	-	询价	4128	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	-			2156-2SK4070-ZK-E1-AY			1		N沟道			600伏	1A（温度）	10V	11欧姆@500mA，10V	3.5V@1mA	5nC@10V	±30V	110pF@10V	-	1W（Ta）、22W（Tc）
2SJ162-E	-	询价	第1385章	瑞萨	-	大部分	的积极	150℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3P	-			2156-2SJ162-E			1		P沟道			160伏	7A（塔）	10V	-	1.45V@100mA		±15V	900pF@10V	-	100W（温度）
UPA1911ATE(0)-T1-A	-	询价	第1649章	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	SC-95			MOSFET（金属O化物）		SC-95	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-UPA1911ATE(0)-T1-A	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道			20V	2.5A（塔）	2.5V、4.5V	115毫欧@1.5A，4.5V	1.5V@1mA	2.3nC@4V	±12V	370pF@10V	-	200毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(226)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²