SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
2SB1261(1)-AZ Renesas 2SB1261(1)-az 0.8400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 2 w TO-252(MP-3Z) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SB1261(1)-az Ear99 8541.29.0095 1 60 V 3 a 10µA(ICBO) PNP 300mv @ 150mA,1.5a 100 @ 600mA,2V 50MHz
HAT2195R-EL-E Renesas HAT2195R-EL-E -
RFQ
ECAD 1128 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 -55°C〜150°C 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) 8-sop - 2156-HAT2195R-EL-E 1 n通道 30 V 18a 4.5V,10V 5.8mohm @ 9a,10v 2.5V @ 1mA 23 NC @ 4.5 V ±20V 3400 PF @ 10 V - 2.5W
2SB798(0)-T1-AZ Renesas 2SB798(0)-T1-AZ -
RFQ
ECAD 2144 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA SC-62 - 2156-2SB798(0)-T1-AZ 1 100NA(ICBO) PNP 400mv @ 100mA,1a 90 @ 100mA,1V 110MHz
UPA2752GR-E1-A Renesas UPA2752GR-E1-A 1.3000
RFQ
ECAD 32 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) UPA2752 MOSFET (金属 o化物) 1.7W(TA) 8-sop - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UPA2752GR-E1-A Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道(双) 30V 8A(TC) 23mohm @ 4A,10V 2.5V @ 1mA 10NC @ 10V 480pf @ 10V -
KA4L4M(0)-T1-A Renesas KA4L4M(0)-t1-a -
RFQ
ECAD 2905 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 200兆 SC-75 - 2156-KA4L4M(0)-T1-A 1 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 200mv @ 250µA,5mA 85 @ 50mA,5v 47科姆斯 47科姆斯
2SC1623B-T1B-AT Renesas 2SC1623B-T1B-AT -
RFQ
ECAD 3602 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 2156-2SC1623B-T1B-AT 1
2SK3354(0)-Z-E1-AY Renesas 2SK3354(0)-Z-e1-ay -
RFQ
ECAD 9228 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263,TO-220SMD - 2156-2SK3354(0)-z-e1-ay 1 n通道 60 V 83A(TC) 4V,10V 8mohm @ 42a,10v 2.5V @ 1mA 106 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 10 V - 1.5W(TA),100W(TC)
2SJ328-Z-E1-AZ Renesas 2SJ328-Z-e1-az -
RFQ
ECAD 6110 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-220SMD - Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SJ328-Z-E1-AZ Ear99 8541.29.0095 1 P通道 60 V 20A(TA) 4V,10V 60mohm @ 10a,10v 2V @ 1mA 85 NC @ 10 V ±20V 2150 pf @ 10 V - 1.5W(ta),75W((((ta)
UPA1760G-E1-AT Renesas UPA1760G-E1-AT 1.6000
RFQ
ECAD 80 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) UPA1760 MOSFET (金属 o化物) 2W(TA) 8-sop - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UPA1760G-E1-AT Ear99 8541.29.0075 1 2 n 通道(双) 30V 8a(8a) 26mohm @ 4a,10v 2.5V @ 1mA 14NC @ 10V 760pf @ 10V -
2SB605-T-AZ Renesas 2SB605-T-AZ -
RFQ
ECAD 5729 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 3-SSIP - - 2156-2SB605-T-az 1 100NA(ICBO) PNP 350mv @ 50mA,500mA 90 @ 100mA,1V 120MHz
UPA2378T1P-E1-A Renesas UPA2378T1P-E1-A 0.3700
RFQ
ECAD 60 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - Rohs不合规 到达不受影响 2156-UPA2378T1P-E1-A Ear99 8541.29.0095 1
RJK6002DPH-E0#T2 Renesas RJK6002DPH-E0#t2 0.8700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) TO-251 - Rohs不合规 到达不受影响 2156-RJK6002DPH-E0 #T2 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 2A(TA) 10V 6.8ohm @ 1A,10V 4.5V @ 1mA 6.2 NC @ 10 V ±30V 165 pf @ 25 V - 30W(TC)
2SK3433(0)-Z-E1-AZ Renesas 2SK3433(0)-z-e1-az 1.3300
RFQ
ECAD 714 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263,TO-220SMD - Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SK3433(0)-z-e1-az Ear99 8541.29.0095 1 n通道 60 V 40a(TC) 4V,10V 26mohm @ 20a,10v 2.5V @ 1mA 30 NC @ 10 V ±20V 1500 pf @ 10 V - 1.5W(ta),47W(tc)
2SJ358C-T1-AZ Renesas 2SJ358C-T1-AZ 0.7700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-243AA MOSFET (金属 o化物) MP-2 下载 Rohs不合规 供应商不确定 2156-2SJ358C-T1-AZ Ear99 8541.21.0075 1 P通道 60 V 3.5A(ta) 4V,10V 143MOHM @ 2A,10V 2.5V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±20V 666 pf @ 10 V - 2W(TA)
2SK2933-E Renesas 2SK2933-E 1.6300
RFQ
ECAD 261 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220CFM - rohs3符合条件 到达不受影响 2156-2SK2933-E Ear99 8541.29.0095 1 n通道 60 V 15A(TA) 4V,10V 52MOHM @ 8A,10V 2.5V @ 1mA ±20V 500 pf @ 10 V - 25W(TA)
UPA1602GS-E1-A Renesas UPA1602GS-E1-A 1.5500
RFQ
ECAD 62 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 16-SOIC (0.220英寸,5.59mm) UPA1602 MOSFET (金属 o化物) 1W(ta) 16 SOP - Rohs不合规 到达不受影响 2156-UPA1602GS-E1-A Ear99 8542.39.0001 1 7 n通道 30V 430ma(ta) 5.3OHM @ 150mA,4.5V 1V @ 150mA - 10pf -
2SK3813-Z-AZ Renesas 2SK3813-Z-AZ -
RFQ
ECAD 7024 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) MP-3 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SK3813-Z-AZ Ear99 8541.29.0075 1 n通道 40 V 60a(TC) 4.5V,10V 5.3MOHM @ 30a,10v 2.5V @ 1mA 96 NC @ 10 V ±20V 5500 pf @ 10 V - 1W(ta),84W tc(TC)
UPA1911ATE(0)-T1-A Renesas UPA1911(0)-t1-a -
RFQ
ECAD 1649年 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 SC-95 MOSFET (金属 o化物) SC-95 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UPA1911ATE (0)-t1-a Ear99 8541.29.0095 1 P通道 20 v 2.5a(ta) 2.5V,4.5V 115MOHM @ 1.5A,4.5V 1.5V @ 1mA 2.3 NC @ 4 V ±12V 370 pf @ 10 V - 200mw(ta)
2SK2857-T1-AZ Renesas 2SK2857-T1-AZ 0.5000
RFQ
ECAD 14 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-243AA MOSFET (金属 o化物) SC-62 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SK2857-T1-AZ Ear99 8541.29.0075 1 n通道 60 V 4A(ta) 4V,10V 150MOHM @ 2.5a,10V 2V @ 1mA 10.6 NC @ 10 V ±20V 265 pf @ 10 V - 2W(TA)
2SK4178-ZK-E1-AY Renesas 2SK4178-ZK-E1-AY 0.7100
RFQ
ECAD 27 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252(MP-3ZK) - Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SK4178-ZK-E1-AY Ear99 8541.29.0095 1 n通道 30 V 48A(TC) 4.5V,10V 9mohm @ 30a,10v 2.5V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 1500 pf @ 10 V - 1W(TA),33W(tc)
2SJ607-ZJ-AZ Renesas 2SJ607-ZJ-AZ 1.0000
RFQ
ECAD 5250 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263 - Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SJ607-ZJ-AZ Ear99 8541.29.0095 1 P通道 60 V 83A(TC) 4V,10V 11mohm @ 42a,10v 2.5V @ 1mA 188 NC @ 10 V ±20V 7500 PF @ 10 V - 1.5W(TA),160W(tc)
RJL5013DPP-E0#T2 Renesas RJL5013DPP-E0 #T2 -
RFQ
ECAD 2825 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP - Rohs不合规 供应商不确定 2156-RJL5013DPP-E0 #T2 Ear99 8541.29.0095 52 n通道 500 v 14A(TA) 10V 510MOHM @ 7A,10V 4V @ 1mA 37.6 NC @ 10 V ±30V 1400 pf @ 25 V - 30W(TC)
2SD571-AZ Renesas 2SD571-AZ -
RFQ
ECAD 5114 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 3-SSIP - - 2156-2SD571-AZ 1 100NA(ICBO) NPN 600mv @ 2mA,20mA - 110MHz
2SD1581-T-AZ Renesas 2SD1581-T-AZ -
RFQ
ECAD 6400 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 3-SSIP - - 2156-2SD1581-T-AZ 1 100NA(ICBO) NPN 300mv @ 10mA,1a 800 @ 500mA,5V 350MHz
RJH1DF7RDPQ-80#T2 Renesas RJH1DF7RDPQ-80 #T2 5.6100
RFQ
ECAD 400 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 250 w TO-247 - Rohs不合规 到达不受影响 2156-RJH1DF7RDPQ-80 #T2 Ear99 8541.29.0095 1 600V,35A,5OHM,15V - 1350 v 60 a 2.55V @ 15V,35a - 58NS/144NS
2SK3714-S12-AZ Renesas 2SK3714-S12-AZ 2.0100
RFQ
ECAD 139 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-220-3隔离选项卡 MOSFET (金属 o化物) MP-45F 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SK3714-S12-AZ Ear99 8541.29.0075 1 n通道 60 V 50A(TC) 4V,10V 13mohm @ 25a,10v 2.5V @ 1mA 60 NC @ 10 V ±20V 3200 PF @ 10 V - 2W(TA),35W(tc)(TC)
FS20LM-5A-E4#C02 Renesas FS20LM-5A-E4 #C02 -
RFQ
ECAD 1938年 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 2156-FS20LM-5A-E4 #C02 1
2SK3402-Z-E1-AZ Renesas 2SK3402-Z-e1-az -
RFQ
ECAD 1817年 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252(MP-3Z) - 2156-2SK3402-Z-e1-az 1 n通道 60 V 36a(TC) 4V,10V 15mohm @ 18a,10v 2.5V @ 1mA 61 NC @ 10 V ±20V 3200 PF @ 10 V - 1W(ta),40W(40W)TC)
GA4F3M(0)-T1-A Renesas GA4F3M(0)-t1-a 0.0800
RFQ
ECAD 63 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 GA4F3M 150兆 SC-70 下载 Rohs不合规 供应商不确定 2156-GA4F3M(0)-t1-a Ear99 8541.29.0095 1 50 V 100 ma 100NA npn-预先偏见 200mv @ 250µA,5mA 50 @ 50mA,5V 2个科姆斯 2个科姆斯
2SK3654W-S17-AY Renesas 2SK3654W-S17-AY -
RFQ
ECAD 4030 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 2156-2SK3654W-S17-AY 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库